一种带有直角度校准功能的内圆机，其包括内圆机主体，在内圆机主体的外壁上开有入料口，位于入料口下方在内圆机主体的外壁上垂直连接一水平设置的托扳，在托扳的上表面设有一支架，该支架向上延伸并与一主尺相连，所述的主尺位于入料口上方并与入料口的轴...

本实用新型公开了一种石英埚装硅料辅助工具。其包括用来靠在石英埚外壁的竖直靠板，与竖直靠板相配合、用来靠在石英埚埚沿上、宽度与石英埚壁厚相等的水平靠板，设置在水平靠板上方、其内沿位置对应于石英埚内壁位置的竖直界限板，设置在竖直界限板对面、...

本实用新型公开了一种直拉单晶回收料的超声波清洗装置。其清洗槽、超声振子和超声波发生器，清洗槽由清洗部和加热部组成，加热部设置在清洗槽底部的右侧，并且向清洗槽的外部凸出，加热管安装在加热部；清洗部的工作面是一个倾斜设置的平面，设置在清洗部...

本实用新型公开了一种单晶炉，包括单晶炉主体和位于单晶炉主体上方的圆筒形副室，在圆筒形副室的底部外侧焊接圆环形凸台；在圆环形凸台上设有竖向转轴，还包括单晶硅棒托盘，单晶硅棒托盘包括与圆环形凸台的上台面相适配的圆弧形托板，圆弧形托板端部通过...

本实用新型公开了一种使用微波烘干硅料的装置，包括烘干箱和微波发生器，烘干箱包括方形金属箱体，在箱体的前壁设有金属密封门，箱体的底部设有装硅料筐滑动托架，装硅料筐滑动托架包括与箱体长宽相适配的金属框架，还包括多个平行设置的金属条，金属条的...

本实用新型公开了一种清洗籽晶的装置，包括工作台，在工作台的左端安装有纯水槽，其右端安装酸洗装置，酸洗装置包括安装在工作台上的水浴锅，水浴锅设有电加热装置，在水浴锅内设置酸洗槽，在酸洗槽的上方设有集气罩；还包括方籽晶固定装置，方籽晶固定装...

一种内圆机用自动送料滑台，其包括，滑台座和控制器，在滑台座上设有两条并行延伸的直线导轨，在滑轨上配装有两个V形滑托，位于两条滑轨的之间在滑台座上架设有一滚珠丝杠，滚珠丝杠穿过所述的V形滑托，每个V形滑托都通过配装在滚珠丝杠上的丝杠螺母与...

本实用新型公开了一种搬运大型铸锭坩埚的专用电车。其包括车架、四个车轮、供电电池、驾驶座、方向盘，还包括用来抱住和吸附大型铸锭坩埚的左真空吸盘和右真空吸盘，左真空吸盘和右真空吸盘分别连接有左前臂和右前臂，左真空吸盘和右真空吸盘通过左前臂和...

本实用新型公开了一种直拉单晶炉用石墨导电柱，包括石墨材质的圆柱形导电柱本体，在圆柱形导电柱本体上设有隔热带，隔热带包括第一圆柱形腔室和第二圆柱形腔室，第一圆柱形腔室和第二圆柱形腔室直径相同，且为圆柱形导电柱本体直径的四分之一，第一圆柱形...

本实用新型公开了一种直拉单晶炉热场用埚杆，包括石墨材质的托盘，在托盘的底部连接石墨材质的支撑柱，支撑柱与托盘同轴心，托盘与支撑柱为分体结构，托盘与支撑柱螺纹连接；在支撑柱的内部设有支撑柱保温碳毡腔室，支撑柱保温碳毡腔室内设有形体与支撑柱...

本实用新型公开了一种检测晶体缺陷的装置，包括盛有腐蚀液的腐蚀容器；还包括盛有恒温水的恒温水箱；所述腐蚀容器浸在恒温水中；所述恒温水箱中且在腐蚀容器的下方设有加热器和温度传感器；恒温水箱的外侧设有温控仪，加热器和温度传感器分别通过导线与温...

本实用新型公开了一种直拉单晶的新型籽晶，所述籽晶的一端开有凹槽，并且凹槽的上部为斜面；所述凹槽的下部也为斜面。本实用新型结构简单、实用，在拆炉、清洗过程中抗磕碰能力强，能够有效降低籽晶断造成闷炉事故发生的概率，同时有效延长籽晶的使用寿命。

本实用新型涉及一种用于直拉单晶炉的分体加热器，包括整体呈圆筒形的加热筒，加热筒的底部圆周上设有两个相对设置的L形的电极脚，电极脚包括横向的固定板和纵向的固定挂耳，在电极脚的固定板上设有固定螺孔，其特征在于：所述的加热筒和电极脚为分体结构...

本实用新型涉及一种取出直拉单晶炉中加热器的工装，包括两个相对设置的加热器提升部件，其特征在于：所述的加热器提升部件包括提取架和底托，底托由整体为弧形的底板和卡托组成，卡托固定在底板的外周圆弧上并与底板呈大于90°的夹角，所述的提取架为上...

本实用新型公开了一种单晶炉热场加热器，包括筒状的加热器本体；加热器本体具有电极脚，电极脚上设有电极螺丝；所述电极螺丝上设有护罩。本实用新型简单实用，能有效避免硅液对加热器的损伤。护罩能够对电极螺丝起到保护作用，在加上护罩后，如有液态硅滴...

本实用新型公开了一种用于泡沫堵的电热切割装置，包括工作台和固定在工作台上的支架；支架的顶部联接有横梁的一端，横梁的另一端为自由端；在横梁的自由端与工作台之间设有垂直于工作台的电阻丝；电阻丝的两端分别通过导线与控制电路连接；在电阻丝一侧的...

本发明公开了一种线切碎硅片杂质的处理方法，包括：用马弗炉对碎硅片烘烤1～2小时，烘烤温度550～800摄氏度；烘烤完成后，快速将高温碎硅片取出并用自来水反复冲洗；用浓度10～30%氢氧化铵溶液清洗碎硅片，不断搅拌，时间10～30分钟；清...