专利查询
首页
专利评估
登录
注册
豪威科技股份有限公司专利技术
豪威科技股份有限公司共有589项专利
基于彩色路由器的光电二极管及集成像素电路制造技术
本公开涉及基于彩色路由器的光电二极管及集成像素电路。在一个实施例中,布置成像素阵列的行及列的多个像素安置于半导体材料中。在一些实施例中,每一像素包括多个光电二极管及覆盖所述多个光电二极管的彩色路由器。在一些实施例中,所述多个像素经配置以...
多存储门控成像系统技术方案
本公开涉及一种多存储门控成像系统。一种门控成像系统包含被配置成产生多个光脉冲的脉冲式照明器以及像素电路。所述像素电路包含:光电二极管,其被配置成收集响应于入射光而光生的图像电荷;浮动扩散部,其经耦合以从所述光电二极管接收所述图像电荷;感...
图像传感器及用于对第一彩色像素进行全内插的方法技术
一种用于从输入图像对绿色像素进行全内插的方法、图像传感器及用于对第一彩色像素进行全内插的方法,所述绿色像素具有包括4×4个像素的第一最小重复单元,其中将相同颜色的2×2个像素分组在一起,所述方法包括:将输入图像下采样为第一下采样图像;将...
利用事件数据压缩的事件视觉传感器,包含利用像素中事件数据压缩的事件视觉传感器,以及相关联系统、装置及方法制造方法及图纸
本文中公开了利用事件数据压缩的事件视觉传感器,包含利用像素中事件数据压缩的事件视觉传感器,以及相关联系统、装置及方法。在一个实施例中,事件视觉传感器包含多个事件视觉像素。所述多个事件视觉像素中的每一事件视觉像素被配置成基于从外部场景接收...
具有共享栅极架构以用于金属层减少的图像传感器制造技术
本公开涉及一种具有共享栅极架构以用于金属层减少的图像传感器。描述一种包括半导体衬底、第一源极区域、第二源极区域及共享栅极电极的图像传感器。所述半导体衬底包含第一侧及与所述第一侧相对的第二侧。所述第一源极区域及所述第二源极区域各自安置在所...
成像系统及用于从彩色图像重新马赛克拜耳图像的方法技术方案
一种成像系统及用于从彩色图像重新马赛克拜耳图像的方法,所述成像系统包括:相位检测图像传感器,包括多个相位检测像素单元;以及处理器,配置成:对绿色图像进行内插以获得包含具有伪影的散焦部分和具有清晰图像的对焦部分的全分辨率内插绿色图像;对全...
自适应相关多次取样制造技术
本公开涉及自适应相关多次取样。算术逻辑单元ALU包含耦合到格雷代码GC生成器以锁存GC输出的前端锁存器级、经耦合以锁存所述前端锁存器级的输出的信号锁存器级、经耦合以生成所述GC输出的二进制表示的GC转二进制级、包含经耦合以接收所述GC转...
稀疏4C2+相位检测自动聚焦及相关多重采样制造技术
本公开涉及稀疏4C2+相位检测自动聚焦及相关多重采样。一种算术逻辑单元包含:GC到二进制级;加法器级;加法器输出级;加法器输入锁存器级,其经耦合以锁存所述GC到二进制级的输出;反馈多路复用器级,其经耦合以接收所述GC到二进制级的所述输出...
自适应相关多重采样制造技术
本申请案涉及自适应相关多重采样。一种读出电路包含比较器,所述比较器具有经耦合以从斜坡发生器接收斜坡信号的第一输入及经耦合以从多条位线中的一者接收模拟图像数据信号的第二输入。所述比较器经配置以响应于所述斜坡信号及所述模拟图像数据信号的比较...
用于抑制泄漏的背侧深沟槽隔离结构制造技术
本公开涉及一种用于抑制泄漏的背侧深沟槽隔离结构。一种像素阵列衬底包含:半导体衬底,其包含像素阵列、第一侧及与所述第一侧相对的第二侧;保护环区,其在所述半导体衬底中,由经掺杂半导体形成,围封所述像素阵列,且从所述第一侧延伸到所述半导体衬底...
影像感测器封装件及其制造方法技术
一种影像感测器封装件,具有一多台阶空腔,形成于一基板中或该基板上,上述影像感测器封装件包括:一影像感测器接合至上述多台阶空腔的底部、以及一盖玻璃设置且密封于上述多台阶空腔的下部结构,上述多台阶空腔的下部结构包含至少一第一凸起台阶结构以及...
用于1乘2共享HDR VDGS的真实GS及OFG时序设计制造技术
本公开涉及用于1乘2共享HDR VDGS的真实GS及OFG时序设计。一种成像系统包含具有奇数及偶数像素单元的像素阵列。所述奇数及偶数像素单元中的每一者包含光电二极管、浮动扩散区、转移晶体管、复位晶体管、横向溢出积分电容器LOFIC及溢出...
用于图像传感器中的滚动箝位的HV驱动器制造技术
本公开涉及用于图像传感器中的滚动箝位的HV驱动器。成像系统包含具有像素电路的像素阵列,每一像素电路包含光电二极管、浮动扩散部、源极跟随器晶体管及行选择晶体管。所述成像系统进一步包含滚动箝位RC驱动器,每一驱动器耦合到所述像素电路中的一者...
用于CMOS图像传感器的深沟槽隔离结构及其方法技术
本申请涉及用于CMOS图像传感器的深沟槽隔离结构及其方法。一种像素包含具有第一侧及第二侧的半导体衬底。从所述第一侧延伸出第一深沟槽隔离DTI结构及第二DTI结构。所述第一DTI结构包含宽部分及从所述宽部分延伸的窄部分。所述宽部分的第一宽...
用于HDR结构的VRFD中的CAPMID设计制造技术
本公开涉及一种用于HDR结构的VRFD中的CAPMID设计。一种像素电路包含:光电二极管,其经配置以响应于入射光而光生图像电荷;浮动扩散部,其经耦合以从所述光电二极管接收所述图像电荷;传送晶体管,其耦合于所述光电二极管与所述浮动扩散部之...
具有连接垫屏蔽件的堆叠式半导体装置制造方法及图纸
本公开涉及一种具有连接垫屏蔽件的堆叠式半导体装置。描述一种堆叠式半导体装置,其包括第一半导体衬底、第二半导体衬底、安置于所述第一半导体衬底与所述第二半导体衬底之间的绝缘介质、包含第一连接垫及与所述第一连接垫邻近的第二连接垫的多个连接垫,...
具有安置于连接垫屏蔽件之间的连接垫的堆叠式半导体装置制造方法及图纸
本公开涉及一种具有安置于连接垫屏蔽件之间的连接垫的堆叠式半导体装置。一种堆叠式半导体装置包括第一半导体衬底、第二半导体衬底、安置于所述第一半导体衬底与所述第二半导体衬底之间的绝缘介质、包含第一连接垫及第二连接垫的多个连接垫、第一连接垫屏...
图像传感器和读出图像传感器的方法技术
一种图像传感器和读出图像传感器的方法。图像传感器包括:多个高灵敏度光电转换元件;多个低灵敏度光电转换元件;以及处理器,用于处理从多个低灵敏度光电转换元件和多个高灵敏度光电转换元件读出的信号,其中处理器配置成在多次曝光之后在单个帧中多次从...
用于减轻MIM图像滞后的优化像素设计制造技术
本公开涉及一种用于减轻MIM图像滞后的优化像素设计。一种像素电路包含光电二极管,所述光电二极管被配置成响应于入射光而光生图像电荷。转移晶体管耦合在所述光电二极管与浮动扩散部之间,以将所述图像电荷从所述光电二极管转移到所述浮动扩散部。复位...
具有水平/垂直四相位检测的相位检测自动聚焦制造技术
本公开涉及具有水平/垂直四相位检测的相位检测自动聚焦。一种成像装置包含具有布置成若干行及若干列的2×2像素电路的像素阵列。每一2×2像素电路包含4个光电二极管。位线耦合到2×2像素电路,且滤色器阵列安置于像素阵列的光电二极管上方。滤色器...
1
2
3
4
5
6
7
8
>>
尾页
科研机构数量排行前10
华为技术有限公司
117876
珠海格力电器股份有限公司
90332
中国石油化工股份有限公司
76388
浙江大学
72443
中兴通讯股份有限公司
64106
三星电子株式会社
63589
国家电网公司
59735
清华大学
50638
腾讯科技深圳有限公司
48520
华南理工大学
47139
最新更新发明人
深圳市德怀科技有限公司
2
安徽龙磁科技股份有限公司
242
长江三峡技术经济发展有限公司
139
山东虎牙生物科技有限公司
2
安徽省宿州市立医院
99
远浪潮生态建设湖北有限公司
14
河北建工集团有限责任公司
249
南通大学
9859
中国矿业大学
20425
中国药科大学
5450