本发明涉及一种利用磁控溅射制备氮化物薄膜的方法，具体方法包括以下步骤：一、设计腔体的磁场分布；二、选用纯度为99.9％纯金属或者合金作为磁控溅射的靶材，选择氮化硅钝化的硅片或者砷化镓作为衬底；三、采用氩气为主要溅射气体，氮气为辅助溅射气...

本发明公开了一种半导体图层中薄层图形的测试结构及测试方法，属于半导体工艺制造领域。本发明对定期制作且需要监控的图形与非监控图形组合设置，测量与其相关的多种特殊结构的电阻，利用被监控图形与其他图形的组合关系反向解析图形线宽及方阻，判断其是...

本发明涉及一种晶圆解键合辅助载盘、解键合机及解键合方法。本发明解键合辅助载盘包括一层以上的载片，载片有空隙，下层载片的孔隙孔径大于上层载片，各层载片可以将解键合机形成的真空吸力和热量逐层均匀化，大大的提高了晶圆的破片率，同时只要更换被键...

本发明涉及一种砷化镓器件金属保护环。本发明砷化镓器件金属保护环围绕管芯设置并包括至少三层金属层，第一层金属层设置在衬底上，第二层以上金属层包括连接在一起的连续部和断开部，连续部围绕管芯，连续部的上方和上一层金属层连接，断开部分段设置，断...

本发明涉及材料加工领域，公开了一种适用于低导热导电材料基板的器件制成方法，包括：1）在低导热导电材料基板的背面镀上导电薄膜；2）在低导热导电材料基板的正面涂布光刻胶；3）曝光、显影；4）将低导热导电材料基板装入基板托盘，通过电感耦合等离...

本发明属于半导体技术领域。本发明公开了一种化合物半导体层间介电导线，其包括由SiNx介电层、BCB有机介电层和金属导电层组成的导线层，其中根据具体需求由一个或多个导线层组成；本发明还公开了一种化合物半导体层间介电导线的制备方法，包括Si...

本发明属于半导体技术领域。本发明公开了一种化合物半导体金属接触电极，将传统的非合金类金属电极Ti/Pt/Au、Pt/Ti/Pt/Au和合金类金属电极AuGe/Ni/Au中的铂Pt和金锗AuGe用钯Pd或钯锗Pd/Ge替代，并将顶层贵重金...

本发明公开了一种电感耦合等离子体干法刻蚀砷化镓背孔工艺，包括以下步骤：（1）将已完成正面器件工艺加工的III‑V族砷化镓半导体基片正面朝下粘附在蓝宝石载体上进行机械减薄及化学湿法刻蚀；（2）利用旋涂法在III‑V族砷化镓半导体基片背面涂...

本发明公开了一种铟镓磷异质结双极型晶体管及其制造方法。铟镓磷异质结双极型晶体管从下至上依次包括衬底、重掺杂次集电极区层、重掺杂铟镓磷蚀刻终止层、轻掺杂集电区层、基区层、轻掺杂铟镓磷发射区层和重掺杂发射帽层。本发明能够有效提高异质结双极型...

本发明公开了一种基于砷化镓器件的MIM电容器，包括砷化镓半导体基底、底层金属电极、顶层金属电极以及设于底层金属电极与顶层金属电极之间的绝缘层，底层金属电极为Ti/Pd/Au复合金属薄膜，底层金属电极总厚度为0.57~1.13μm；绝缘层...

本发明公开了一种砷化镓半导体基片湿法刻蚀工艺，包括以下步骤：（1）将已经完成前段器件工艺加工后的砷化镓半导体基片粘附在蓝宝石载体上；（2）将步骤（1）中的砷化镓半导体基片进行机械减薄；（3）将步骤（2）中的砷化镓半导体基片浸于刻蚀液中进...