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杭州华芯微科技有限公司专利技术
杭州华芯微科技有限公司共有10项专利
一种高耐压平面型VDMOS的结构制造技术
本技术公开了一种高耐压平面型VDMOS的结构,包括漏极电极、第一N型区、JFET区、轻N型掺杂区、P型掺杂区、P‑body区、第二重N型区、栅极电极和源极电极,所述漏漏极电极设置在第一N型区的底端。本技术的制作工艺将P‑body区与终端...
一种提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构制造技术
本技术涉及一种提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构,包括VDMOS器、防护壳、抗震层和L形防护盖,防护壳的内部装设有对位组件,对位组件包括升降板、棱锥形对位筒和复位弹簧,升降板的顶部开设有对位孔,棱锥形对位筒固定安装于升降板的底部,防护壳...
一种片式高压VDMOS电容器件的测量用具制造技术
本技术公开了一种片式高压VDMOS电容器件的测量用具,包括底板,所述底板的顶端中部固定连接有固定板,所述固定板的内部通过轴承转动连接有转动杆,所述转动杆的顶端固定安装有转动板。本技术通过电动推杆的输出端带动电容测量器上下运动,使得电容测...
一种高压VDMOS器件制备用自调节式原料曝光装置制造方法及图纸
本发明属于高压VDMOS器件制备领域,具体为一种高压VDMOS器件制备用自调节式原料曝光装置,包括装置外壳,所述装置外壳的顶端安装固定有液压杆,所述液压杆的底端安装固定有激光器,所述激光器的底端固定连接有安装板,所述安装板上贯穿开设有通...
一种防钝化的高压VDMOS器件制造技术
本实用新型涉及一种防钝化的高压VDMOS器件,包括衬底、外延、金属电极和接触孔,金属电极裸露在外,其特征在于,在金属电极外部设有钝化层。本实用新型在晶圆金属电极生成之后,在晶圆表面再覆盖一层钝化保护层,利用钝化层的致密性来屏蔽外界的沾污...
一种高压VDMOS器件制造技术
本实用新型涉及一种高压VDMOS器件,包括CP测试Ron为2.77Ω的晶圆,晶圆上每片晶圆的芯片数量为2808颗,芯片面积为2316um
一种高压VDMOS制造技术
本实用新型涉及一种高压VDMOS,包括:支撑衬底和键合衬底,所述支撑衬底和键合衬底硅硅键合,键合衬底位于支撑衬底之上,所述支撑衬底电阻率为0.008~0.06ohm.cm,键合衬底的电阻率>15ohm.cm。本申请的高压V...
一种650V高压VDMOS器件制造技术
本实用新型涉及一种650V高压VDMOS器件,包括金属场版,金属场版位于高压VDMOS器件的顶层,所述金属场版的尺寸为2460um*2460um,金属场版表面经过腐蚀形成一圈H非金属区和一圈F非金属区;所述H非金属区、F非金属区均为等宽...
一种采用硅硅键合工艺制作高压VDMOS的方法技术
本发明涉及一种采用硅硅键合工艺制作高压VDMOS的方法,包括:准备支撑衬底和键合衬底;将所述支撑衬底和键合衬底进行硅硅键合,并进行高温退火固化;对键合后支撑衬底和键合衬底的边缘倒角进行腐蚀处理;将所述键合衬底减薄到需要的厚度;对所述键合...
一种650V高压VDMOS器件制造技术
本发明涉及一种650V高压VDMOS器件,包括金属场版,金属场版位于高压VDMOS器件的顶层,所述金属场版的尺寸为2460um*2460um,金属场版表面经过腐蚀形成一圈H非金属区和一圈F非金属区;所述H非金属区、F非金属区均为等宽非金...
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