本技术公开了一种高耐压平面型VDMOS的结构，包括漏极电极、第一N型区、JFET区、轻N型掺杂区、P型掺杂区、P‑body区、第二重N型区、栅极电极和源极电极，所述漏漏极电极设置在第一N型区的底端。本技术的制作工艺将P‑body区与终端...

本技术涉及一种提高VDMOS抗雷击浪涌能力的结构，包括VDMOS器、防护壳、抗震层和L形防护盖，防护壳的内部装设有对位组件，对位组件包括升降板、棱锥形对位筒和复位弹簧，升降板的顶部开设有对位孔，棱锥形对位筒固定安装于升降板的底部，防护壳...

本技术公开了一种片式高压VDMOS电容器件的测量用具，包括底板，所述底板的顶端中部固定连接有固定板，所述固定板的内部通过轴承转动连接有转动杆，所述转动杆的顶端固定安装有转动板。本技术通过电动推杆的输出端带动电容测量器上下运动，使得电容测...

本发明属于高压VDMOS器件制备领域，具体为一种高压VDMOS器件制备用自调节式原料曝光装置，包括装置外壳，所述装置外壳的顶端安装固定有液压杆，所述液压杆的底端安装固定有激光器，所述激光器的底端固定连接有安装板，所述安装板上贯穿开设有通...

本实用新型涉及一种防钝化的高压VDMOS器件，包括衬底、外延、金属电极和接触孔，金属电极裸露在外，其特征在于，在金属电极外部设有钝化层。本实用新型在晶圆金属电极生成之后，在晶圆表面再覆盖一层钝化保护层，利用钝化层的致密性来屏蔽外界的沾污...

本实用新型涉及一种高压VDMOS器件，包括CP测试Ron为2.77Ω的晶圆，晶圆上每片晶圆的芯片数量为2808颗，芯片面积为2316um

本实用新型涉及一种高压VDMOS，包括：支撑衬底和键合衬底，所述支撑衬底和键合衬底硅硅键合，键合衬底位于支撑衬底之上，所述支撑衬底电阻率为0.008~0.06ohm.cm，键合衬底的电阻率>15ohm.cm。本申请的高压V...

本实用新型涉及一种650V高压VDMOS器件，包括金属场版，金属场版位于高压VDMOS器件的顶层，所述金属场版的尺寸为2460um*2460um，金属场版表面经过腐蚀形成一圈H非金属区和一圈F非金属区；所述H非金属区、F非金属区均为等宽...

本发明涉及一种采用硅硅键合工艺制作高压VDMOS的方法，包括：准备支撑衬底和键合衬底；将所述支撑衬底和键合衬底进行硅硅键合，并进行高温退火固化；对键合后支撑衬底和键合衬底的边缘倒角进行腐蚀处理；将所述键合衬底减薄到需要的厚度；对所述键合...

本发明涉及一种650V高压VDMOS器件，包括金属场版，金属场版位于高压VDMOS器件的顶层，所述金属场版的尺寸为2460um*2460um，金属场版表面经过腐蚀形成一圈H非金属区和一圈F非金属区；所述H非金属区、F非金属区均为等宽非金...