本发明属于高压VDMOS器件制备领域，具体为一种高压VDMOS器件制备用自调节式原料曝光装置，包括装置外壳，所述装置外壳的顶端安装固定有液压杆，所述液压杆的底端安装固定有激光器，所述激光器的底端固定连接有安装板，所述安装板上贯穿开设有通...

本实用新型涉及一种防钝化的高压VDMOS器件，包括衬底、外延、金属电极和接触孔，金属电极裸露在外，其特征在于，在金属电极外部设有钝化层。本实用新型在晶圆金属电极生成之后，在晶圆表面再覆盖一层钝化保护层，利用钝化层的致密性来屏蔽外界的沾污...

本实用新型涉及一种高压VDMOS器件，包括CP测试Ron为2.77Ω的晶圆，晶圆上每片晶圆的芯片数量为2808颗，芯片面积为2316um

本实用新型涉及一种高压VDMOS，包括：支撑衬底和键合衬底，所述支撑衬底和键合衬底硅硅键合，键合衬底位于支撑衬底之上，所述支撑衬底电阻率为0.008~0.06ohm.cm，键合衬底的电阻率>15ohm.cm。本申请的高压V...

本实用新型涉及一种650V高压VDMOS器件，包括金属场版，金属场版位于高压VDMOS器件的顶层，所述金属场版的尺寸为2460um*2460um，金属场版表面经过腐蚀形成一圈H非金属区和一圈F非金属区；所述H非金属区、F非金属区均为等宽...

本发明涉及一种采用硅硅键合工艺制作高压VDMOS的方法，包括：准备支撑衬底和键合衬底；将所述支撑衬底和键合衬底进行硅硅键合，并进行高温退火固化；对键合后支撑衬底和键合衬底的边缘倒角进行腐蚀处理；将所述键合衬底减薄到需要的厚度；对所述键合...

本发明涉及一种650V高压VDMOS器件，包括金属场版，金属场版位于高压VDMOS器件的顶层，所述金属场版的尺寸为2460um*2460um，金属场版表面经过腐蚀形成一圈H非金属区和一圈F非金属区；所述H非金属区、F非金属区均为等宽非金...