本发明公开了一种电机控制器总成，包括中部具有通腔的散热套，所述散热套的一端封闭，另一端设置有电容器，所述电容器与所述通腔的开口端对位封装适配，以形成能够容纳IGBT组件和控制电路板的装配腔，所述散热套的侧部设置有与所述IGBT组件和控制...

本申请公开了自驱式功率半导体导通压降检测电路，可应用于电力电子技术领域。第一二极管负极与待测功率半导体模块连接，正极与第一电阻第一端和第一MOS管门极连接；第一电阻第二端与第一电压源和第一MOS管源极连接；第二电阻第一端与第一MOS管漏...

一种导通压降测试电路与结温测试仪，涉及电子电路技术与功率半导体可靠性领域。检测电路的第一端为导通压降测试电路的输入端，检测电路的第二端用于连接第一电压跟随电路的第一端，检测电路的第三端用于连接第二电压跟随电路的第一端，检测电路的第四端为...

本申请公开了一种数据采集设备及方法，用于老化测试，涉及数据采集技术领域，该设备包括：数据采集电路以及数据中心；数据采集电路与数据中心串联，数据采集电路包括多个串联的电路板；数据采集电路采集产品数据，一个电路板采集的产品数据形成一个产品数...

本实用新型公开了一种热测试装置及系统，热测试装置包括：测试风道，测试风道为中空的结构；安装在测试风道内的底部支撑组件，底部支撑组件用于支撑待测试件；高度可调件，高度可调件用于穿过测试风道的底端调节底部支撑组件的高度，实现了对不同高度的待...

本申请公开了一种IGBT关断电压尖峰抑制电路及相关设备，可用于IGBT关断电压尖峰抑制技术领域，该电路包括：信号处理模块，电阻模块，绝缘栅双极型晶体管IGBT以及电压比较模块；信号处理模块、电阻模块、绝缘栅双极型晶体管IGBT以及电压比...

本申请公开了一种计算相位延迟时间的方法、装置、设备及存储介质，该方法包括：获取半导体器件恢复阻断过程中示波器的第一通道采集的电流信号以及第二通道采集的电压信号；对电流信号或电压信号进行频域分析，得到所述电流信号或所述电压信号的振荡周期，...

本发明公开了一种MOS管组件，其包括：MOS管、散热器、PCBA板和压片，其中，所述压片位于所述MOS管和所述PCBA板之间，并与所述MOS管的上表面相抵，为所述MOS管提供向所述散热器挤压的压力。采用压片将MOS管压装在散热器上，可不...

本申请公开了一种信号传输电路以及控制方法，该电路包括：第一比较器、第二比较器以及逻辑门；第一比较器的正输入端与电源连接，负输入端与变压器的负输出端连接，第一比较器的输出端与逻辑门的使能端连接；第二比较器的正输入端与变压器的正输出端连接，...

本申请公开了一种基于三电平拓扑结构的IGBT驱动保护电路，该电路包括：绝缘栅双极型晶体管IGBT、IGBT驱动电路、钳位二极管、内部体二极管、母线电容以及保护器件。通过并联于IGBT驱动电路的VSS端和OUT端之间的保护器件，可以分流由...

本申请公开了一种相位补偿方法及装置，该方法包括：获取半导体器件关断过程中示波器的第一通道采集的电流信号以及第二通道采集的电压信号；对所述电流信号进行微分处理，获得微分后的电流信号；根据所述微分后的电流信号的谷值对应的第一时间点与电压信号...