本发明公开了半导体技术领域的一种

本发明涉及半导体技术领域中的一种场限环终端结构和制备方法

本发明公开一种半导体功率器件，涉及半导体技术领域，包括：衬底，漂移层，漂移层位于所述衬底的上表面；阱区，阱区之间形成

本申请公开了一种沟槽型碳化硅功率MOSFET器件。器件包括：外延层与位于外延层顶部的MOSFET结构；MOSFET结构包括：若干个形状与结构均相同的元胞、第一高掺杂P型区域、沟槽；各元胞均包括阱区、源极区域、第二高掺杂P型区域、JFET...

本申请公开了集成结势垒肖特基二极管的沟槽型MOSFET器件及制造方法。器件包括：外延层与位于外延层顶部的MOSFET结构；MOSFET结构包括：若干个元胞、第一高掺杂P型区域、沟槽；元胞包括阱区、源极区域、第二高掺杂P型区域、包含预设数...

本发明公开了一种集成结势垒肖特基的沟槽型功率MOSFET器件及工艺流程，属于半导体制造技术领域，用于解决结势垒肖特基结构和MOSFET结构共同占用器件的有源区部分，若二者失衡，会导致较大的MOSFET导通损耗，或使得结势垒肖特基二极管的...

本发明公开了一种基于多边形元胞的沟槽型功率MOSFET器件及工艺流程，属于半导体制造技术领域，用于解决结势垒肖特基元胞和MOSFET元胞共同占用器件的有源区部分，若二者失衡，会导致较大的MOSFET导通损耗，或使得结势垒肖特基二极管的电...

本发明涉及碳化硅半导体领域，公开一种碳化硅器件制备工艺和碳化硅MOS器件，包括以下结构：N+衬底层；N

本发明公开了一种沟槽型功率MOSFET器件及工艺流程，属于半导体制造技术领域，用于解决肖特基结构和MOSFET结构共同占用器件的有源区部分，若二者失衡，会导致较大的MOSFET导通损耗，或使得肖特基二极管的电流导通能力较弱的技术问题。器...

本申请公开了集成肖特基二极管的沟槽型功率MOSFET器件及制造方法。器件包括：外延层与位于外延层顶部的MOSFET结构；MOSFET结构包括：若干个形状与结构均相同的元胞、第一高掺杂P型区域、沟槽；各元胞均包括阱区、源极区域、第二高掺杂...

本申请公开了一种含有P掺杂层的VDMOS器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域。该器件包括：漏电极、N+衬底、N

本申请公开了集成结势垒肖特基二极管的平面型功率MOSFET器件，用以解决现有的结势垒肖特基元胞和MOSFET元胞，在共同占用器件的有源区部分时存在冲突的技术问题。器件包括：外延层与在外延层的第一侧表面分布的复合元胞；复合元胞包括：阱区、...

本申请公开了一种化学干法刻蚀装置，其包括：自由基发生单元，所述自由基发生单元包括气源、供气管路和供电机构，所述气源与所述供气管路的入口连通，所述供电机构包括相对设置的第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极之间形成电场，所述电场用于将...

本申请公开了集成结势垒肖特基二极管的平面型功率MOSFET器件，用以解决现有的结势垒肖特基元胞和MOSFET元胞，在共同占用器件的有源区部分时存在冲突的技术问题。器件包括：外延层，以及在外延层的第一侧表面分布的复合元胞；复合元胞包括：阱...

本申请公开了一种晶片研磨支撑架及研磨装置，属于晶片研磨技术领域。该晶片研磨支撑架包括：支撑架本体；托架，所述托架设置在所述支撑架本体上，所述托架用于放置晶片；刷头，所述刷头设置在支撑架本体上，且位于所述托架的外侧，所述刷头向所述晶片移动...

本实用新型公开了一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件，属于半导体制造领域，用于解决在MOSFET器件的外部并联肖特基二极管的方式导致集成了MOSFET器件的芯片尺寸增大、制作成本增多的技术问题。器件包括：外延层，以及外延层的表面排布的...

本实用新型公开了一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件，属于半导体制造领域，用于解决在MOSFET器件的外部并联肖特基二极管的方式导致集成了MOSFET器件的芯片尺寸增大、制作成本增多的技术问题。器件包括：外延层，以及外延层的表面排布的...

本申请公开了集成结势垒肖特基二极管的平面型功率MOSFET器件，用以解决现有的结势垒肖特基元胞和MOSFET元胞，在共同占用器件有源区部分时存在冲突的技术问题。器件包括：外延层与分布于外延层第一侧表面的若干个形状与结构均相同的元胞；各元...

本发明公开了一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件，属于半导体制造领域，用于解决在MOSFET器件的外部并联肖特基二极管的方式导致集成了MOSFET器件的芯片尺寸增大、制作成本增多的技术问题。器件包括：外延层，以及外延层的表面排布的若干...

本发明公开了一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件，属于半导体制造领域，用于解决嵌入式的集成结势垒肖特基的MOSFET元胞无法灵活控制MOSFET器件中肖特基的占比的技术问题。MOSFET器件包括：外延层，以及外延层的表面排布的若干MO...