本发明提供一种基板处理装置。本发明的基板处理装置包括：工艺腔体、基板基座，设置于所述工艺腔体，在相同平面上放置有多个基板，与旋转轴相连接并进行旋转、加热器构件，位于所述基板基座的底面、以及反应诱导单元，用于在与放置于所述基板基座的多个基...

本发明涉及基板处理装置。本发明的基板处理装置包括：处理室，基板基座，设置在所述处理室，在该基板基座的同一平面上放置有多个基板，该基板基座与旋转轴连接来旋转，加热构件，位于所述基板基座的底面，以及喷射构件，在与放置于所述基板基座的多个基板...

本发明公开一种气相蚀刻装置。根据本发明一实施例的气相蚀刻装置包括：处理腔室，其设置有内部空间，所述内部空间由上侧开放的腔室主体和与腔室主体的上侧能够装卸地结合，并且下侧开放的圆顶形状的上部圆顶形成；基板支撑座，其设置在内部空间，利用驱动...

本发明提供基板处理设备。本发明的基板处理设备包括：工艺管，容置用于收纳多个基板的装载器，加热器组件，包围所述工艺管，喷嘴单元，向所述工艺管的内部供给用于在所述基板的表面上形成薄膜的工艺气体；所述喷嘴单元包括用于屏蔽并反射来自所述加热器组...

本发明提供一种选择性外延生长装置。本发明的选择性外延生长装置包括：工艺管，包括内管和包围所述内管的外管，所述内管收容用于收纳多个基板的基板搭载单元，加热组件，包围所述工艺管，侧部喷嘴部，铅垂设置于所述工艺管的内侧；所述侧部喷嘴部包括第一...

本发明涉及一种基板处理装置。基板处理装置包括：处理腔室，其容纳多个基板以便执行等离子处理过程；支撑构件，其安装在所述处理腔室内以便将多个基板安装在其相同平面上；喷射构件，其相对于所述支撑构件安装并且包括多个独立的挡板，以便将至少一种反应...

本发明涉及一种等离子体处理装置，其包括：处理室，在其中容纳有多个基板并且在其中执行等离子体处理过程；支撑件，其安装在处理室中，以至于将多个基板放置在与支撑件相同的平面上；喷射件，其与支撑件相对布置，并且其具有多个独立的挡板，用于从与放置...

本发明涉及用于半导体元件制造的沉积装置，根据本发明，包括：工艺腔；基板衬托器，其安装于所述工艺腔，在同心圆上具有放置基板的多个台；气体供应构件，其为多个，供应反应气体；净化气体供应构件，其供应净化气体；喷射构件，其具有多个独立的导流板，...