本申请涉及化工喷雾器技术领域，具体公开了一种氟硅酸浓缩喷雾器的轴封结构，其包括支撑转轴旋转的轴承座、固定轴承座的支撑板，支撑板上开有供转轴穿过的通孔，在转轴与通孔的间隙端部设置填料函，填料函内设置多层四氟盘根填料，填料通过密封油浸润和液...

本技术专利涉及化工生产技术领域，具体是一种氢氟酸连续生产装置，包括吸收塔，吸收塔具有进气口、通入纯水的进水口、排放处理后的物料的第一出料口，所述进气口连通有用于加热无水氟化氢产生氟化氢气体的加热装置，所述第一出料口连通有循环罐，循环罐侧...

本申请涉及无机氟化工技术领域，具体公开了一种含氟二氧化硅联产氟化钠的纯化方法。其方法包括了水浸、氢氟酸处理、过滤、碱反应、干燥等五个步骤，利用氢氟酸将高模数不溶于水的硅酸钠反应生成二氧化硅，在利用碱溶液将二氧化硅反应生成低模数、可溶的硅...

本申请涉及氟化工技术领域，具体公开了一种含氟二氧化硅氟回收的方法及装置，其根据含氟二氧化硅中氟的不同形式设计了再浆

本申请涉及含氟二氧化硅固废处理技术领域，具体公开了一种用含氟二氧化硅功能性填料的制备方法及装置，制备方法包括以下步骤：步骤

本发明涉及紫外

本实用新型涉及氟化氢制备技术领域，尤其涉及一种用于氟化氢生产的硫酸处理系统，包括：第一硫酸塔，第一硫酸塔的第一液体进口与主反应器的第一溶氟硫酸出口相连，第一硫酸塔的第一气体进口与主反应器的气体出口相连，第一硫酸塔还设置浓硫酸加料口，第一...

本实用新型涉及HF制备技术领域，尤其涉及一种含氟硫酸混合溶液的分离系统。所述分离系统包括：主反应器；两级蒸馏器；所述两级蒸馏器与所述主反应器的第一液体出口相连；硫酸塔；所述硫酸塔的液体进口与所述主反应器的第二液体出口相连；所述硫酸塔的液...

本发明涉及氟硅酸制备技术领域，尤其涉及一种氟硅酸溶液的浓缩方法及系统。所述氟硅酸溶液的浓缩方法包括以下步骤：将含氟废气与氟硅酸溶液在第一洗涤区中混合，进行一级洗涤；将所述一级洗涤后的洗涤液输送至第二浓缩区；将SiF4气体输送至第一浓缩区...

本发明涉及氟化氢制备技术领域，尤其涉及一种含氟化氢和硫酸混合溶液的分离方法。所述分离方法包括：A)浓氟硅酸和浓硫酸在反应装置中反应生成四氟化硅气体和含有氟化氢的硫酸溶液；B)将第一部分含有氟化氢的硫酸溶液进行两段式分离，得到氟化氢气体；...

本发明公开了一种高危流体介质存贮体间的灌装平台，配合移动装置与其中一组的移动式工作阀配合后，配合移动装置带动移动式工作阀另一端与固定式工作阀另一端对应连通，连通无误后与移动式工作阀分离，而后与下一组的移动式工作阀配合，配合移动装置再次带...

本发明公开了一种双锁阀体连接机构，包括：入口管，阀体，阀体的接口端A与入口管的接口端从内部密闭对接连通。由于受压自锁组件能自动实现入口管的接口端与向阀体的接口端A从内部密闭对接连通，解决了需要人工操作使快速连接密封装置从连接管与溢流阀本...

本实用新型公开了一种耐强腐蚀膜压滤机，包括膜压滤机机架、进料挡板、支撑腿、进料口、滤板、推动挤压装置、压滤控制装置和移动控制装置，所述膜压滤机机架的前端均设有进料挡板，所述膜压滤机机架的中间分布有滤板，所述滤板的右部设有推动挤压装置，所...

本发明公开了一种氟硅酸除碘方法，包含：氟硅酸质量浓度5.23‑44.28%，碘离子质量浓度为15.8–182.3ppm；使用空气源臭氧发生器500g O3/h对氟硅酸中的碘离子进行氧化，或者添加质量浓度30%的双氧水对氟硅酸中的碘离子进...

本发明公开了一种氟硅酸除氯的方法，包括：选取氟硅酸质量浓度为5.08‑42.15%、氯离子质量浓度为2.28‑6.31%的磷酸副产的氟硅酸；电极阴极材料为碳板，阳极材料选碳板或钛合金板为基材表面镀钌或铱等稀有金属，电解池材质为聚丙烯、聚...

本发明公开了一种活性二氧化硅制备缓释硅肥的方法，包括：用活性二氧化硅与氢氧化钠或氢氧化钾溶液反应，生成模数在2.52‑3.48的液体硅酸钠或硅酸钾，过滤除去不溶性杂质；过滤后的液体硅酸钠或硅酸钾浓缩到硅酸钠或硅酸钾重量含量为25.3‑3...

本发明公开了一种利用含氟氨氮废水制备氟化钠和铵盐的方法，包括：向含氟氨氮混合液中加入碳酸钠粉末，加入碳酸钠和氟化铵摩尔比为1:1.9‑1:2.1，反应1‑2h后，测PH大于12得到溶液A，溶液A打入汽提塔顶部喷淋下来，喷淋量8m

本发明公开了一种制备氟化钾联产超细白炭黑的方法，包含：将氟硅酸溶液缓慢的加入到碳酸钾溶液中，并保持200r/min搅拌，反应物料添加完成后，溶液温度保持在42‑55℃，随后进行加热，按反应生成二氧化硅质量的1%添加乙二醇分散剂，加热到8...

本发明公开了一种高温稀硫酸浓缩氟硅酸的方法，包括：以质量浓度为10‑20%的稀氟硅酸连续进料、进料流量为5‑35m

本发明公开了一种去除氟硅酸中碘的方法，包括：含碘氟硅酸、闪蒸槽循环回来的氟硅酸连续进料入降膜蒸发器；向闪蒸槽中加双氧水；降膜蒸发器壳层内通入热源介质，对降膜蒸发器内的氟硅酸料液加热至50‑55℃，控制真空度在79‑90kPa，氟硅酸降膜...