本发明涉及一种制造复合结构（１４）的方法，所述复合结构包含至少一层结合在载体衬底（１０）上的薄膜（４），在载体衬底（１０）和薄膜（４）之间通过沉积形成氧化物结合层（１２），所述薄膜和载体衬底的平均热膨胀系数为７×１０－６Ｋ－１或更高。通...

本发明涉及制备混合衬底的方法，所述混合衬底包含支持衬底（４０）、连续的埋藏绝缘层（４２）、和所述埋藏绝缘层上的包含第一材料（２６）和至少一种第二材料（３２）的交替区域的混合层（２６），其中所述两种材料的性质和／或结晶特性不同，所述方法包...

本发明涉及一种通过外延生长制造材料的方法，其包括在复合结构（１４）上外延生长至少一层材料（１５）的步骤。所述复合结构包含至少一层结合在载体衬底（１０）上的薄膜（４），在载体衬底（１０）和薄膜（４）之间沉积形成结合层（２５），薄膜（４）和...

本发明涉及一种制备用于微电子和／或光电应用的半导体材料的晶片的方法。该方法包括在氧化气氛中对所述材料退火的步骤以及利用基于胶质二氧化硅的微粒的磨料进行研磨的步骤。该研磨步骤可利用研磨头（１０）执行，所述半导体材料衬底（１２）被插入到所述...

本发明涉及一种基板分离设备（１，２），所述基板由两个相邻且彼此之间形成一分裂面的部分组成。本发明设备的特征在于包括：将多个平行的沿基板存储方向放置的基板提供给分离装置的装置；将基板的两部分分离的装置（１２１，２２１ａ，２２１ｂ，２２２ａ...

本发明涉及一种从半导体材料的晶片（１），获得用于在其一个表面上支撑至少一电子部件和／或电路的由所述材料制成的自支撑薄膜的方法，所述晶片包括支撑有或设计用于支撑至少一电子部件和／或电路（３）的第一面（２），以及后面（４′），所述方法的特征...

本发明涉及一种用于自动高精度切割一种材料层的设备（５０），该材料层通过脆化区域而结合在源基片上，该源基片和被切割材料层形成被切割工件，所述设备包括切割装置（５３１，５３２）和用于保持被切割工件的位置的装置（５１０），其特征在于，所述切割...

本发明涉及一种半导体结构，包括：衬底（１０）或基层，具有大于０．５ｎｍ　　ｒｍｓ粗糙度的表面或具有不适合于分子键合的化学性质；选自半导体材料的材料层（１４）；称为键合层的层（１２），位于衬底或基层与选自半导体材料的材料层之间。