用于尤其是通过柴可拉斯基法生产从熔体中生长出来的导电块状β‑Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;单晶的方法和设备。为了生长高导电率、大直径(大于一英寸)并结合长度超过25mm的β...

本发明涉及一种用于在包括至少两个清洁模块的清洁线中清洁半导体晶圆的方法，在所述方法中，利用相应的清洁步骤的流体在清洁步骤期间相继地处理竖直定向的半导体晶圆，其中包括两个相邻的操纵器的至少一个夹持系统在所述清洁模块中的一个清洁模块的上方移...

一种制造用于在其上构建III‑V族器件的衬底晶圆的方法，该方法包括提供硅单晶晶圆；在硅单晶晶圆的顶部表面下方形成吸除区域；形成表示衬底晶圆的顶部部分的富氮钝化层。

一种异质外延晶圆，其按以下顺序包括：(1)由硅制成的衬底，其具有厚度、直径和电阻率，并包括用于氢的埋入的吸除层，(2)3C‑SiC层，(3)氮化铝成核层，其按给定顺序包括第一富氮氮化铝区、氮化铝区和第二富氮氮化铝区。

一种用于在衬底的表面上沉积硅锗的应变松弛渐变缓冲层的方法，所述表面由硅构成，并且所述缓冲层具有直至最终含量的渐增的锗含量，所述方法包括：在不低于800℃的沉积温度下，在第一和第二阶段期间在所述衬底的表面上传导GeCl<subgt;...

本发明涉及一种清洗半导体晶片表面的方法，按给定顺序包括以下步骤：(1)用臭氧水进行清洗的第一清洗步骤，和随后使用纯化水的冲洗步骤；(2)第二清洗步骤，包括使用臭氧水的处理步骤，然后是使用含HF液体的处理步骤，其中所述第二清洗步骤可以重复...

公开了一种用于生产单晶硅半导体晶圆的方法，按顺序包括：根据CZ法生长硅的单晶体；从所述单晶体切分出至少一个单晶硅半导体晶圆；对所述半导体晶圆进行第一、第二和第三RTA处理。

一种磨削半导体晶圆的方法，其中，在向旋转的半导体晶圆和磨削工具之间的接触区域提供冷却介质时借助包含具有高度h的磨削齿的磨削工具以移除材料的方式加工半导体晶圆，其中，在磨削的每个瞬间，借助一个或多个喷嘴向半导体晶圆的一侧的第一区域施加第一...

一种用于生产硅单晶体的工艺，包括：在悬浮区装置中安装硅进料棒，进料棒具有不小于230mm且不大于270mm的直径，安装具有底部边缘和比进料棒的直径大不小于30mm且不大于50mm的量的内径的第一空心圆柱体，安装具有顶部边缘和比单晶体的目...

一种生产外延涂覆的单晶硅半导体晶圆的方法，该方法包括：在坩埚中提供硅的熔体；通过CZ方法，以拉制速度v从熔体的表面拉制出硅的单晶，其中在单晶中包含了氧和硼，而单晶中的氧的浓度不小于6.4×10<supgt;17</supgt...

根据切克劳斯基法生产晶体的设备和方法。所述设备包括：包括表面的拉制轴；适于在晶体提拉期间保持晶种的晶种保持器；以及中空截头圆锥体形式的盘状件，所述盘状件构建开口，包括顶部半径R<subgt;2</subgt;、高度h、材料厚...

一种在衬底上生长β‑Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;层的方法，包括以下步骤：(1)提供衬底，(2)使用氧气和包含Ga的前体以第一生长速率进行第一沉积循环，所述第一沉积循环具有...

一种方法切割半导体晶圆。所述方法包括：将半导体锭料切割成工件；以及使用具有固定磨料颗粒线的线栅将工件锯切成切片，同时将工件朝向线栅移动。在工件与线栅初次接触时，初始切割速度小于2毫米/分钟，冷却剂流量小于0.1升/小时，并且线速度大于2...

本发明涉及一种用于在沉积设备中在由半导体材料制成的衬底晶圆上沉积外延层的方法，所述方法包括：在沉积设备的基座上放置衬底晶圆，所述基座被预热环包围且以一定的间隙与其分隔开，并且由支撑轴保持；确定垂直穿过预热环的中心的轴线与垂直穿过基座的中...

公开了一种在沉积室中制备包含气相外延层的半导体晶圆的工艺，包括通过对沉积室进行蚀刻从沉积室中去除在先前的涂布过程中沉积在沉积室中的材料；在蚀刻的沉积室中进行连续的涂布操作，每个所述涂布操作包括使机器人将衬底晶圆放置在具有圆形周边的基座上...

本发明涉及一种用于由半导体材料制成的圆柱形棒生产圆盘的方法，该圆柱形棒具有轴线和在该棒的侧表面中且平行于该轴线的识别沟槽

公开了在沉积室中生产具有从气相沉积的外延层的半导体晶片的方法，其包括通过对所述沉积室进行蚀刻，从所述沉积室中去除已经在先前的涂覆操作期间沉积在所述沉积室中的材料；连续进行涂覆操作，并且每个操作都需要在所述沉积室中将外延层沉积在衬底晶片上...

公开了一种用于在沉积室中制造包含气相外延层的半导体晶圆的工艺，包括：由机器人将衬底晶圆放置在具有圆形周边的基座上，所述机器人将衬底晶圆移动到放下位置并将其放置在基座上，由于预定的校正参数，在所述放下位置中，衬底晶圆的中心不位于基座的中心...

一种在系统的沉积反应器的腔室中生产外延层晶圆的方法，包括：在沉积反应器的腔室中在衬底晶圆上重复性地沉积外延层，从而形成第一数量的外延层晶圆；并且同时，通过利用冲刷气体冲刷沉积反应器的替换腔室在系统外部制备所述替换腔室；中断外延层在衬底晶...

用于运输半导体晶圆的运输容器，其通过3D打印由主材以预定形状生产，其中至少运输容器的表面的一区域包括用于防护以免受适于蚀刻半导体晶圆的化学品的影响的涂覆材料，其中该涂覆材料已通过低温涂覆工艺、特别是低温烧结工艺优选地在低于150℃的温度...