本发明公开了一种探针台自动聚焦和压针方法，包括：接收晶圆片图像识别匹配成功的信号，并对晶圆片进行定位；控制探针和与其同步运动的压力传感组件对定位后的晶圆片进行压针作业；接收探针接触晶圆片表面时，压力传感组件所发出的触压信号，控制探针运动...

本发明公开了一种提升电镀速率的方法及设备，该方法通过在电镀装置的电镀槽安装超声波转换单元，产生超声波震动，使电镀槽内部的电镀液更加均匀，避免件表面中间部位镀层较薄而边缘镀层较厚，保证电镀效果，而且超声波震动能加快电镀液的流动，从而可提高...

一种基于自动剥离机的晶片的装载和浸泡的方法和剥离机及其使用方法，涉及晶片加工技术领域；包括以下步骤：1)控制浸泡花篮移动至浸泡工位上方的放片区处，所述浸泡花篮内部设有多个平行的晶片槽，向位于最上端的晶片槽内装载晶片，然后控制浸泡花篮自下...

本发明涉及射频滤波器技术领域，具体涉及一种兰姆波谐振器及其制备方法。所述兰姆波谐振器包括自下而上的衬底，叉指底电极、压电层和叉指顶电极；所述衬底上刻蚀有空腔；所述压电层未被叉指顶电极覆盖的表面有反射金属层；所述压电层具有弧形边缘。本发明...

本实用新型公开了一种大尺寸低应力单晶氮化物厚膜结构，包括衬底，及生长在所述衬底上的单晶氮化物厚膜；所述衬底上刻蚀有沟道，所述沟道将所述衬底的表面分成多个不连续的区域；所述沟道的深度大于所述单晶氮化物厚膜的厚度。本实用新型通过刻蚀沟道将衬...

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种高质量单晶氮化铝薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法包括在第一基板上依次生长单晶氧化锌薄膜、单晶氮化铝成核层、单晶氮化铝薄膜；然后在单晶氮化铝薄膜上沉积键合层；将第二基板与键合层键合；最后去除第一基...

本发明涉及光传感器技术领域，具体涉及一种基于体声波的光传感器及其制备方法。所述光传感器包括衬底及其上方的光敏压电震荡层；所述衬底上具有空气腔；所述光敏压电震荡层根据光信号变化而发生频率变化，包括从下至上依次排列的下电极、压电薄膜、上电极...

本实用新型提供一种薄膜体声波谐振器及无线通信装置，该薄膜体声波谐振器包括；衬底，衬底一侧设置有凹槽；支撑层，支撑层设置在凹槽开口一侧，覆盖衬底未设置凹槽的区域；底电极，设置在凹槽开口一侧，底电极朝向凹槽一侧与凹槽两侧的支撑层连接，压电薄...

本发明公开了一种大尺寸低应力单晶氮化物厚膜结构，包括衬底，及生长在所述衬底上的单晶氮化物厚膜；所述衬底上刻蚀有沟道，所述沟道将所述衬底的表面分成多个不连续的区域；所述沟道的深度大于所述单晶氮化物厚膜的厚度。本发明在沟道处理后的衬底上生长...

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种嵌入式电极结构LED器件及其制备方法。所述嵌入式电极结构LED器件包括从下到上依次排列的第二硅衬底、键合层、第一钝化层、金属层、反射镜层、p‑GaN层、AlGaN电子阻挡层、InGaN/GaN多量子...

本发明提供一种嵌入式LED芯片及其制备方法，该LED芯片包括：导电衬底、第一键合金属层、第二键合金属层、功能层、柱状P电极和柱状N电极；所述导电衬底、所述第一键合金属层、所述第二键合金属层和所述功能层按照从下向上的顺序依次排布；所述柱状...

本实用新型提供一种FBAR双工器以及无线通信模块，该FBAR双工器包括；FBAR双工器包括：空腔、键合层、压电层以及第一通孔；键合层设置在空腔外侧，其中，键合层根据空腔的区域、等效电感以及等效电容的图形进行图形化设置；压电层设置在键合层...

本实用新型公开了一种频率可调的薄膜体声波谐振器，包括：衬底、底电极、调谐层、压电层以及顶电极，底电极设置在衬底的上表面，调谐层设置在底电极的上表面，压电层设置在调谐层的上表面，顶电极设置在压电层的上表面，底电极和顶电极均连接有电极引出结...

本实用新型公开了一种背硅刻蚀型剪切波滤波器，该滤波器包括：硅衬底、压电材料层以及顶部电极，所述顶部电极采用石墨烯制成；所述压电材料层覆盖在所述硅衬底上，所述硅衬底设有多个凹槽以使所述压电材料层位于所述凹槽处的下表面能够与空气接触，所述顶...

本实用新型公开了一种曝光机自动上下片装置，包括传送机械手、第一装片卡槽、第二装片卡槽、自动对平边装置与曝光机，所述传送机械手设置在所述曝光机前端，所述第一装片卡槽设置在所述传送机械手左侧，所述自动对平装置设置在所述传送机械手与所述曝光机...

本实用新型公开了一种氮化物和金属薄膜沉积与修整设备，包括载片装置、修膜装置、金属溅射装置、氮化物溅射装置、传送装置；传送腔分别与载片腔、修膜腔、金属溅射腔、氮化物溅射腔的晶片传送口连通；在每个晶片传送口处均安装有阀门，每个阀门都能够实现...

本实用新型公开了一种芯片双面对准键合机，包括具有第一标识的顶部卡盘、设置在所述顶部卡盘下方的具有第二标识的底部卡盘、设置在所述顶部卡盘与所述底部卡盘之间的机械臂、用于带动所述顶部卡盘的第一驱动机构以及用于带动所述底部卡盘横向移动的第二驱...

本实用新型提供一种单片集成的射频器件及集成电路系统，射频器件包括键合连接的滤波器与电子器件；电子器件的第一缓冲层设置在第一基板上，第三单晶层远离第二单晶层的一侧设置有钝化层，钝化层上设置有连接滤波器与电子器件的通孔；滤波器的金属电极设置...

本实用新型提供一种FBAR滤波器，FBAR滤波器包括：键合衬底，键合衬底一侧设置有与第一键合层键合连接的第二键合层，支撑层设置在第一键合层远离第二键合层的一侧；第一电极，第一电极设置在支撑层远离第一键合层的一侧，支撑层空腔贯穿支撑层、第...