本发明公开了半导体发光二极管结构，包括一外延基底，包含有一主表面和一外露表面；一外延结构，设于外延基底的主表面上，至少包含有一第一导电型半导体层、一活性发光层和一第二导电型半导体层，其中第一导电型半导体层具有一第一侧壁，而且第一侧壁包含...

一种半导体发光结构，包括第一掺杂态半导体层、发光层、第二掺杂态半导体层、第一电传导层及多个第一导体。发光层配置于第一掺杂态半导体层上，且第二掺杂态半导体层配置于发光层上。第一电传导层配置于第一掺杂态半导体层上，其中第一电传导层与第一掺杂...

本发明公开一种发光二极管组件及用此发光二极管组件的发光二极管灯泡二极管。发光二极管组件包含透光载板、散热元件、发光二极管元件、第一及第二波长转换层、导电结构及电性接点。透光载板包含表面，并具有中间区域及围绕中间区域的外围区域。散热元件的...

本发明公开一种发光二极管组件及制作方法。该发光二极管组件包含有一第一透光基板、一第一荧光粉层、一第二透光基板、多个发光二极管芯片、以及一第二荧光粉层。该第一荧光粉层夹于该第一与第二透光基板之间。该第二透光基板至少具有二沟槽，大致平行地形...

本发明公开一种发光二极管组件及制造方法，其制造方法包含有：提供一第一载具，其上置放有多个LED芯片；提供一第二载具；使第二载具与多个LED芯片相连；以及，使多个LED芯片与第一载具相分离但仍与第二载具相接。

本发明公开一种可挠式发光二极管组件及发光二极管灯泡，该发光二极管组件包含有一可挠式透光基板、多个发光二极管芯片、以及一第一波长转换层。其中，可挠式透光基板具有形成于第一表面上的多个导电区段。该多个发光二极管芯片设在该第一表面上并分别与该...

本发明公开一种发光二极管组件以及相关的照明装置，该发光二极管组件包含有一发光二极管芯片。发光二极管芯片包含有：一透明基底，具有一表面，该表面大致为一长条，该长条具有二终端；及至少一发光二极管单元形成于该表面上，并具有一发光叠层；以及二接...

本发明公开一种高电子迁移率晶体管，包含：一基板；一外延叠层位于基板上，包含第一区域及环绕第一区域的第二区域；一阵列电极结构位于第一区域；以及多个第一电桥电连接至多个第二电极。阵列电极结构包含：多个第一电极位于外延叠层上，及多个第二电极位...

本发明公开一种发光二极管组件及制作方法。发光二极管组件包含有一透明基板、数个发光二极管芯片、一线路、一透明封装体、以及二电极板。该透明基板具有面对相反方向的一第一表面以及一第二表面。该多个发光二极管芯片，固定于该第一表面上。该线路电连接...

本发明公开一种发光二极管组件及制作方法。发光二极管组件包含有一透明基板、数个发光二极管芯片、一第一电极板以及一第二电极板。该透明基板具有面对相反方向的一第一表面以及一第二表面。该透明基板并包含有一通孔，贯穿该第一表面以及该第二表面。该通...

本发明公开一种发光组件及制作方法。该发光二极管组件包含有一透明基板、数个发光二极管芯片、一线路、一透明封装体、以及二电极板。该透明基板具有面对相反方向的一第一表面以及一第二表面。该多个发光二极管芯片，固定于该第一表面上。该线路电连接该多...

本发明公开一种利用烟囱效应改善散热效果的发光二极管灯具。该发光二极管灯具包含一灯壳，一对流加速器，一发光灯丝，以及一灯座，上述灯壳定义充满一填充气体的一内部空间，并包含一第一透明材料，上述对流加速器设置于上述内部空间之内，并包含一第二透...

在本发明的一实施例中，半导体元件包含一基板及设置于该基板上方的一外延层。该基板包含一上表面以及多个设置于该上表面的凸块，该凸块包含一顶面及多个壁面，该顶面实质上平行于该该上表面，该壁面夹置于该顶面与该上表面之间。在本发明的一实施例中，该...

本发明公开一种发光二极管装置，包括一管芯。该管芯包括一基底以及一叠层结构。该叠层结构位于该基底上且包括彼此独立的一中间部分以及一周围部分。该周围部分环绕该中间部分且具有一内侧面。该内侧面具有一反射层，而该反射层具有一第一反射面以及一第二...

本发明公开了半导体发光二极管结构，包括一外延基底，包含有一主表面和一外露表面；一外延结构，设于外延基底的主表面上，至少包含有一第一导电型半导体层、一活性发光层和一第二导电型半导体层，其中第一导电型半导体层具有一第一侧壁，而且第一侧壁包含...

本发明公开了一种发光装置，其特征在于包括一基底；一外延结构，设置于基底上，外延结构至少包括第一导电型半导体层、活性发光层和第二导电型半导体层；一第一电极，设置于第一导电型半导体层上；一透明导电层，位于第一电极和第一导电型半导体层间；以及...

本发明提供一种发光元件及其制作方法，发光元件包括基板、发光结构区域、静电放电保护结构区域、沟槽、导电层、第一电极及第二电极。发光结构区域与静电放电保护结构区域形成在基板上。发光结构区域包括第一半导体层、发光层、第二半导体层。静电放电保护...

一种半导体发光结构，包括第一掺杂态半导体层、发光层、第二掺杂态半导体层、第一电传导层及多个第一导体。发光层配置于第一掺杂态半导体层上，且第二掺杂态半导体层配置于发光层上。第一电传导层配置于第一掺杂态半导体层上，其中第一电传导层与第一掺杂...

一种半导体发光结构，包括第一导电性半导体层、第二导电性半导体层、发光层、第一电极、绝缘层及第一粘着层。发光层配置于第一导电性半导体层与第二导电性半导体层之间。第一电极配置于第一导电性半导体层上，其中第一电极具有第一上表面及第一侧表面。绝...

一种发光元件包括导电基板、金属反射层、具有两种或两种以上折射率相异的材质交互堆叠的多层膜结构、透明导电层及半导体叠层。金属反射层配置于导电基板上，交互堆叠的多层膜结构配置于金属反射层上，透明导电层配置于交互堆叠的多层膜结构上，半导体叠层...