本发明涉及复合衬底结构、外延结构及复合衬底结构的制备方法，所述复合衬底结构，包括：图形衬底，包括基底层和图形层，所述图形层形成于所述基底层的上表面，所述图形层包括多个突起部；以及依次敷设于所述图形衬底上的缓冲层和未掺杂半导体层；所述缓冲...

本公开实施例提供一种在图形化衬底上沉积氮化铝薄膜的方法，包括：采用物理气相沉积工艺进行溅射沉积处理，以在图形化衬底上沉积形成氮化铝薄膜；其中：被溅射靶材为铝靶材，所述图形化衬底为蓝宝石衬底；在进行所述溅射沉积处理的过程中使所述图形化衬底...

本发明涉及一种压印软膜的修复方法，包括以下步骤：S100：获取待修复压印软膜，所述压印软膜的材质为材料X；S200：获取UPy化合物，所述UPy化合物包括以下官能团：吡啶环或嘧啶环，以及脲键；S300：将液态的材料X内混入其质量0.00...

本申请涉及一种平齐型夹具系统及晶片刻蚀方法，其中平齐型夹具系统包括托盘本体、全绝缘的盖板和定位环，所述托盘本体的顶端面为一个齐平顶平面，所述齐平顶平面上具有多个晶片安放区，围绕所述晶片安放区的区域为盖板放置区；所述盖板上设有与所述晶片安...

本发明公开了一种刻蚀托盘和刻蚀夹具。刻蚀托盘包括支撑板和位于支撑板一侧的多个凸台，晶片装载至凸台背离支撑板的一侧；支撑板与凸台之间通过连接件固定，至少部分凸台与支撑板之间存在第一间隙；多个凸台包括第一凸台和第二凸台，在支撑板所在平面的延...

本发明公开了一种复合图形化衬底的制备方法以及控片和正片的制备方法，衬底的制备方法包括：提供第一控片和正片；其中，第一控片与正片异质；第一控片和正片的表面均包括周期性排布的掩膜结构；将第一控片和正片按第一预设数量分别设置于托盘的不同预设片...

本发明涉及一种半导体衬底刻蚀方法，包括以下步骤：S100：提供待刻蚀衬底；S200：首段刻蚀，刻蚀气体为Cl基气体和C/F化合物气体，含C/F化合物气体流量占Cl基气体流量的15％～30％；S300：后段刻蚀，刻蚀气体为Cl基气体；其中...

本发明实施例提供的一种高一致性图形化衬底的制备方法、图形化衬底和LED外延片，该方法首先提供一衬底；应用物理、化学或机械平坦化技术中的至少一种，对衬底的第一表面进行原子级平坦化处理，以使第一表面的粗糙度达到第一表面粗糙度范围，和/或对衬...

本发明提供一种剥离用图形化复合衬底及其制备方法和应用。所述图形化复合衬底包括蓝宝石衬底，以及设置在所述蓝宝石衬底一侧表面的多个异质凸起结构；所述多个异质凸起结构构成周期性图形阵列，所述周期性图形阵列的图形单元为类六棱锥型结构，所述图形单...

本技术属于半导体设备技术领域，公开了一种喷嘴装置及刻蚀机。该喷嘴装置包括反应腔和喷嘴组件，反应腔的腔口盖设有石英盖；喷嘴组件穿设于石英盖的中心处，喷嘴组件包括固定环体和滑动环体，固定环体的一端插设于石英盖的圆形凹槽内，滑动环体转动穿设于...

本发明涉及一种光电探测器结构及其制备方法，其中光电探测器结构至少能够对蓝紫外光有响应，光电探测器结构包括：基底层，包括上表面；图形层，形成于所述基底层的上表面；所述图形层包括多个突出部，所述突出部的侧壁设有多个从顶部延伸至底部的凹槽；其...

本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种晶片清洗方法及晶片清洗设备。该晶片清洗方法包括S1、晶片酸洗，去除晶体表面的有机物；S2、为晶片降温；S3、调节晶片的界面动电势，使晶片表面的电性与附着在晶片上的带电胶体微粒的电性相同；S4、去除...

本公开实施例提供一种氮化铝薄膜的制备方法，包括：在衬底上制备氮化铝薄膜半成品；采用第一物理气相沉积工艺在半成品上继续沉积氮化铝，得到氮化铝薄膜成品；所述第一物理气相沉积工艺中氮气和氩气的体积流量比大于95：5。在氮气流量百分比极高的条件...

本发明属于半导体技术领域，公开了一种纳米压印方法及纳米压印设备。该纳米压印方法首先使用第一施压机构向施压腔室提供第一压力，并使得软膜向晶片凸出，并贴设于晶片的表面，确保空隙中的空气顺利排出，解决空气在空隙中形成缺陷；随后第二施压机构逐渐...

本发明涉及一种高深度微结构图形化半导体衬底及其制备方法，所述制备方法，包括以下步骤：S100：获取图形化半导体衬底；S200：采用物理气相沉积方法在图形化半导体衬底上进行差异性沉积，以备在图形化半导体衬底表面形成厚度不均的薄膜，S300...

本发明提供一种从废旧PDMS压印软膜中回收再生硅胶的方法及其应用，所述方法首先将废旧PDMS压印软膜浸入酸性降解液中进行降解，得到液体胶液，然后对所得液体胶液进行萃取，获取有机相，即为再生硅胶；所述方法能够实现对完整废旧PDMS压印软膜...

本发明实施例公开了一种桥链型图形化衬底的制备方法及桥链型图形化衬底。该制备方法通过在平片衬底上制备初始掩膜图形相互独立的掩膜图案，利用该掩膜图案进行主刻蚀和过刻蚀两个步骤，在主刻蚀中先进行初始微结构的制作，而后利用三氟甲烷气体与掩膜图形...

本技术公开了一种图形化衬底及发光二极管，图形化衬底包括基底层和异质材料结构；基底层包括平台部和凸起部，凸起部包括第一凸起分部和第二凸起分部，第二凸起分部位于第一凸起分部远离平台部的一侧；平台部、第一凸起分部、第二凸起分部在垂直于平台部的...

本技术属于污水处理技术领域，公开了一种超纯水循环利用设备，包括原水桶、过滤组、杀菌消毒装置和纯水桶，原水桶的出水口和过滤组的进水口之间通过第一连通管连通，杀菌消毒装置的进水口和过滤组的出水口之间通过第三连通管连通，纯水桶的进水口和杀菌消...

本技术属于半导体生产制造技术领域，公开了收集装置及刻蚀机。该收集装置用于收集载台上的螺丝，该收集装置包括主体、收集盒、刮板和驱动件，其中，主体包括支撑台；收集盒设于支撑台上，收集盒一侧设有入口；刮板立设于支撑台上，刮板转动连接于支撑台上...