广东芯华镁半导体技术有限公司专利技术

广东芯华镁半导体技术有限公司共有20项专利

  • 本发明涉及半导体测试的技术领域,提供了一种半导体测试方法及装置,包括采集半导体器件的电信号参数、温度数据及光学图像信息并处理,得到标准化电信号序列、连续温度分布曲线以及器件表面形貌特征;将标准化电信号序列与连续温度分布曲线进行分析,生成...
  • 本发明涉及到半导体制造技术领域,公开了一种半导体加工设备的升降装置及半导体加工设备,半导体加工设备的升降装置包括底座和龙门架,龙门架设置在底座的上端面;升降组件包括与龙门架转动连接的驱动丝杠,旋转辅助机构包括两组与升降平台转动连接的旋转...
  • 本技术涉及晶圆电镀设备技术领域,且公开了一种半导体晶圆的电镀槽,包括槽体、喷淋机构和回流机构;所述槽体的上表面开设有容纳槽,所述容纳槽用于对电镀液进行存储并对待镀的基材进行容纳;所述喷淋机构设置在槽体上,所述喷淋机构的喷淋端用于对位于容...
  • 本技术涉及自动补水技术领域,尤其涉及一种半导体自动补水化学镍槽,包括化学镍槽,所述化学镍槽的内部底端设置有加热槽,所述加热槽的顶端固定连接有挡板,所述加热槽的内部设置有呈对称设置的加热棒,所述加热棒远离化学镍槽的一端固定连接有加热泵,所...
  • 本发明公开了一种半导体器件封装后转移设备及半导体生产线,其包括取放料组件及移动组件,移动组件的移动端安装有存料组件和托盘组件;托盘组件开设有安装槽,安装槽滑动连接有滑动板,安装槽被滑动板分隔形成第一槽与第二槽,第一槽较第二槽更靠近取放位...
  • 本发明涉及数据优化处理技术领域,提供了半导体设备控制系统的优化方法及系统,包括获取电极间距参数和设备电流参数,对电极间距参数和设备电流参数进行分析,得到电流调控指令;获取阴阳极夹持力参数,利用电流调控指令对阴阳极夹持力参数进行动态调整,...
  • 本技术公开了一种半导体镀膜装置,具体包括壳体和多个组锁紧组件,壳体开设有密封口,密封口转动连接有用于封堵密封口的密封门;锁紧组件包括第一锁紧部、第二锁紧部和转动块;第一锁紧部包括安装于密封口外的螺栓,螺栓依次与转动块及壳体螺纹连接,转动...
  • 本技术属于半导体晶圆化学金槽技术领域,尤其是一种半导体晶圆化学金槽,针对现有的半导体晶圆为静止浸泡,浸泡效果不佳,不方便后期镀金的问题,现提出如下方案,其包括金槽主体,金槽主体的底部设置有四个支撑腿,金槽主体内固定安装有两个支撑滑杆,两...
  • 本发明公开了一种晶圆陶瓷镍钯金表面处理生产线及生产工艺,包括两条并行设置的生产线和一个分解通道,沿长度方向依次包括多个工位,具体工位包括上下料工位,水洗工位,硝挂工位,填孔镀铜工位和搭桥镀铜工位,微蚀工位,酸浸工位,交换工位,喷淋水洗工...
  • 本发明涉及载板通孔填埋镀铜的技术领域,公开了一种用于DVCP和AJBT载板填孔的全自动镀铜生产线,包括生产线,在对印刷电路板进行镀铜工作时,对其中一个龙门架进行载板的装配,并使其导送至连续电镀组件的正上方,此时通过驱动电机驱动切换轮进行...
  • 本技术涉及半导体加工技术领域,尤其涉及一种半导体具有温控功能的碱蚀槽,包括槽体、冰水机和热水器,所述冰水机和热水器之间设有两个连接管,两个所述连接管上分别固定连接有进水管和出水管,所述槽体的侧壁内开设有回形腔,本技术采用热水器将热水通过...
  • 本技术属于半导体晶圆领域,尤其是一种半导体晶圆环保电金槽,针对现有的半导体晶圆在电镀过程中,不便于对晶圆进行快速定位,且不便于对晶圆进行均匀电镀的问题,现提出如下方案,其包括槽体,所述槽体的外侧固定安装有加热槽,加热槽的底部固定安装有底...
  • 本技术属于半导体晶圆化学镍槽技术领域,尤其是一种半导体晶圆化学镍槽,针对现有技术中,由于药水长时间静态,导致药水沉淀,从而影响了化镀的质量的问题,现提出如下方案,其包括槽体,所述槽体内固定安装有放置架,槽体的底部内壁上且位于放置架的下方...
  • 本发明属于半导体技术领域,公开了一种晶圆级金属沉积的半导体集成制造系统与方法,包括锌置换模块;化学镍处理模块包括三个化学镍沉积机构;化学钯处理模块包括两个间隔设置的化学钯沉积机构;化学金处理模块包括五个依次设置的化学金沉积机构,其中,第...
  • 本发明涉及晶圆加工的技术领域,公开了一种半导体晶圆夹具,包括基盘和夹片,所述基盘的顶部安装有往复旋转设置的转环,基盘的上方通过所述转环驱动有升降设置的换向盘,所述换向盘的内部设置有托环,所述夹片的底部设置有抵板,所述抵板配合所述托环用于...
  • 本技术旨在提供一种晶圆电镀挂具及电镀槽结构,其包括挂板、导电组件及固定组件,挂板上开设有电镀孔,导电组件包括金属挂片及若干导电触片,金属挂片设置于挂板的一侧面上,各导电触片均设置于挂板上,且各导电触片环绕分布在电镀孔的四周,并且各导电触...
  • 本技术旨在提供一种半导体晶圆镀铜槽结构,其包括镀槽组件、摇摆组件及外加热组件,镀槽组件包括外槽体及内槽体,内槽体内开设有电镀腔,内槽体上挂设有阴极挂具及阳极板,阴极挂具与阳极板位于电镀腔内,摇摆组件包括摆杆、摆板及摇摆驱动件,摆杆转动设...
  • 本发明属于电镀工艺技术领域,尤其涉及一种半导体晶圆自动化学镍钯金化镀工艺及化镀设备,包括以下步骤:(1)采用酸性除油剂对晶圆的表面进行清洗;(2)采用过硫酸钠与硫酸对晶圆的表面进行微蚀处理;(3)利用酸性液体对晶圆的表面进行酸洗;(4)...
  • 本发明属于电镀工艺技术领域,尤其涉及一种半导体大功率陶瓷DPC自动电镀工艺及电镀设备,包括以下步骤:(1)清理陶瓷基板预处理;(2)镀金;(3)镀钯;(4)镀镍;(5)碱性化学镀镍;(6)酸性化学镀钯;(7)浸锌。(8)超声波碱洗,(9...
  • 本发明属于电镀工艺技术领域,尤其涉及一种半导体晶圆电镀工艺及自动电镀设备,包括以下步骤:(1)喷淋;(2)镀铜;(3)氮气吹干;(4)镀镍;(5)镀锡;(6)镀银;(7)镀金;(8)氮气吹干;(9)下料;本发明提供的晶圆电镀工艺中,铜镀...
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