本发明公开了一种芯片级GaAs刻蚀温度控制方法，包括：实时检测刻蚀过程中GaAs晶圆上表面温度，得到第一温度数据；根据静电卡盘内部的分区结构及第一温度数据，确定待调节静电卡盘分区以及确定待调节静电卡盘分区对应所承载GaAs晶圆上表面的第...

本发明公开了一种芯片级GaAs功率器件的表面温度检测方法，属于半导体器件温度检测技术领域。方法包括步骤：获取工作状态下的器件表面温度图像，根据表面温度图像识别器件的若干虚拟热源点；在器件表面设置若干热电偶；在不同环境温度下获取器件表面的...

本发明公开了一种实现GaAs芯片电磁屏蔽功能的封装的方法及GaAs芯片，属于半导体封装技术领域。包括封装基板、封装基板上包括由若干GaAs管芯构成的器件区和围绕所述器件区的边框周侧区；在GaAs管芯侧面形成的第一电磁屏蔽层，形成于边框周...

发明公开了一种GaAs芯片的样品测试系统，属于芯片测试技术领域，包括源测量单元对样品施加偏置电压；可调谐光源模块提供稳定且波长连续可调的单模光束；光学耦合模块将所述单模光束耦合到样品上；光电探测及转换模块收集样品在不同波长的单模光束下的...

本发明公开了一种GaAs基芯片的激光切割方法，涉及激光加工技术领域。方法包括步骤：通过正交试验获取不同焦点深度参数下影响切割质量的控制参数的最优水平组合，生成焦点深度参数‑最优水平组合关系映射表。根据焦点深度参数‑最优水平组合关系映射表...

本发明公开了一种GaAs基芯片的切割方法，包括：获取GaAs晶圆及其预设的多个待分离芯片间的切割道信息，并基于切割道金属层信息，将切割道细分并分别对待处理的金属层子切割道与非金属层子切割道制定相应的激光束参数，利用调制后的激光束精准照射...

本发明改善光束质量的脊波导结构，包括半导体衬底，半导体衬底上生长外延结构，外延结构上刻蚀沟槽，沟槽内填充材料；在沟槽内填充材料，外延结构所能支持的模式数会随之减少，从而导致光束质量的提升。填充材料的折射率足够大，还可以形成反波导效应，这...

本发明公开了用于GaAs边发射激光器的脊波导结构制备方法，在不改变芯片尺寸的前提下，通过湿法氧化工艺对高铝层进行氧化形成氧化膜限制电场，形成高密度电流，从而降低输出的阈值电流，提高光功率的输出。提高光功率的输出。提高光功率的输出。