本发明公开了一种超宽禁带半导体材料氧化镓的外延生长装备，其中：包括加热壳体，壳体上设置有出气口，壳体内设置有氯化镓通道结构、氧气通道结构以及生长盘，氯化镓通道结构包括依次连通的进气管、镓舟、第一匀气折流板以及喷涂管，氧气通道结构包括氧气...

本实用新型涉及一种氢气敏感型声表波传感器，其中：包括压电基底、两个叉指换能器、输入接线、输出接线以及IC芯片，两个叉指换能器分别安装在压电基底的左侧和右侧，两个叉指换能器之间的压电基底的中部表面为声信号通道，其中一个叉指换能器通过输入接...

本实用新型公开了一种氢气测试平台，包括氢气发生器、氦气罐、压缩空气罐、干扰气体罐、阀控切换装置和数据采集端。本实用新型中，设置有氢气发生器、氦气罐、压缩空气罐和干扰气体罐，氢气发生器和氦气罐中的氢气和氦气经过质量流量控制管混合后，可以让...

本实用新型公开了一种氢压力传感器，包括壳体，所述壳体为扁平状，且壳体一侧开设有空腔，所述空腔为敞口设计，且空腔内侧壁固定有两个压力传感器，所述空腔内部靠近敞口设有压力板，所述壳体远离空腔一侧的中部设有凸壳，所述凸壳内部设有微型控制器，所...

本发明公开了一种用于炮弹装配包装的智慧装配自动化系统，包括：弹丸输送线；喷漆前装配子系统，用于在炮弹上依次喷涂涂虫胶漆和红丹漆，再自动装配稳定装置；喷漆子系统，用于在弹体上完成喷漆涂装；喷漆后装配子系统，用于制作标识、弹口螺纹涂脂、假引...

本实用新型涉及一种基于3D封装的半导体氢气传感芯片，包括氢气传感芯片和IC芯片，氢气传感芯片用于感应氢气浓度并传导氢气浓度信息，IC芯片用于进行接收信息，其中：氢气传感芯片和和IC芯片之间通过减薄晶圆进行3D封装，减薄晶圆上开设有贯通孔...

本发明涉及基于压电薄膜的MEMS麦克风芯片，包括MEMS芯片基底，所述的MEMS芯片基底上开设有上下贯通的空腔，所述的空腔上安装有由多组悬膜单元串联而成的悬膜体，所述的悬膜体密封覆盖在空腔上，所述的悬膜单元以压电层为基底，分别在压电层上...

本发明涉及一种基于MOCVD生长氧化物氢敏薄膜及其制备方法，氧化物氢敏薄膜包括基底材料、氧化锌铟籽晶层和氧化物主体层；所述氧化锌籽晶层附着在基底材料的表面，所述氧化物主体层附着在氧化锌籽晶层的表面，所述的氧化物主体层由锌、铟、锡通过MO...

本发明涉及MOCVD双腔体生长氧化物氢敏薄膜设备，包括压电薄膜生长腔、氢敏薄膜生长腔、连接通道、运输结构、隔离装置以及抽真空装置，压电薄膜生长腔由上下连通的两部分组成，其中，上部为第一匀气混气区，下部为第一生长区，氢敏薄膜生长腔由上下连...