本发明提供了一种碲化镉多晶的制备方法，包括以下步骤：A）将碲粉装填在石英管底部；B）将碲粉和镉粉的混合粉末后装填到石英管内，与碲粉相接触但不混合，使得石英管垂直放置时碲粉和镉粉的混合粉末在碲粉的上方；C）真空焊封石英管，垂直置于可上下移...

提供一种提拉法用坩埚尺寸检测装置，其包括框架以及多个测距传感器；框架包括两U型架以及顶板，两U型架在底部中心十字垂直连接，两U型架共同围成轴对称的容置空间，两U型架在底部形成在同一水平面内延伸的十字型水平底面，十字型水平底面的中心开设有...

本发明提供了一种BGO的表面修型方法，包括以下步骤：A）以铸铁盘作为研磨盘，使用研磨液对BGO晶体表面进行研磨；所述研磨液包括粒径为8~12μm的白刚玉和水；B）以镶嵌氧化锆的聚氨酯作为粗抛抛光盘，使用粗抛抛光液对步骤A）中研磨后的BG...

本发明属于红外探测器技术领域，公开了一种红外探测器的控制电路。所述控制电路包括：温度采集模块，采集所述红外探测器的温度信号；温度设置模块，基于所述温度信号，输出温度设置信号；温度控制模块，基于所述温度设置信号以及温度信号，输出温度控制信...

一种锑化铟晶体的生长方法包括步骤：S1，装料，将掺杂剂颗粒铺在坩埚的底部，将InSb多晶料铺在掺杂剂颗粒上，掺杂剂与InSb多晶料的掺杂比例为(0.5‑1)g/10kg，掺杂剂的纯度为5N以上，InSb多晶料的纯度为7.5N以上，掺杂剂...

一种锑化铟晶体生长方法包括步骤：S1，装料，将InSb多晶料装在坩埚内，InSb多晶料的纯度为7.5N以上；S2，将提拉法晶体生长设备抽真空、赶气、检漏，以使提拉法晶体生长设备内达到真空；S3，将氢气通入提拉法晶体生长设备内，以使提拉法...

一种锑化铟晶片的退火方法包括步骤：S1，用提拉法生长未掺杂Te的载流子浓度在2E14/cm<supgt;3</supgt;以下的InSb晶体；S2，将InSb晶体切片作为InSb晶片；S3，将InSb晶片研磨抛光；S4，通过...

本发明提出了一种基于数字处理的干烧产生判断方法、装置及设备，具体包括实时获取基于干烧的原始帧图像，并经边缘提取和增强处理后生成以行和列表示的图像边缘增强表；提取所述图像边缘增强表中的数据并进行分析，以判断所述图像边缘增强表中的每一列是否...

提供一种籽晶组件以及锑化铟晶体生长的方法。籽晶组件包括锑化铟籽晶和夹头，锑化铟籽晶为横截面沿长度恒定的梯形，梯形的顶边长度为底边长度的1/2，梯形的高度与底边的长度相同，锑化铟籽晶的籽晶方向是<211>，其中，用于在提拉法生...

本发明属于红外探测器技术领域，公开了一种红外探测器偏置电压产生电路。所述电路包括：降压降噪电路，包括依次连接的DC‑DC模块、LDO降压模块、电压基准源，并用于输出降压、降噪后的参考电压信号；大负载电流偏压输出电路，包括低噪声运算放大器...

本发明属于红外图像处理技术领域，公开了一种解决红外显示画面突闪的AGC方法、系统。方法包括步骤：将获取的整个图像进行分块划分，得到多个图像分块；计算每个图像分块的直方图灰度映射表；根据所有图像分块的直方图灰度映射表获得整个图像最终的直方...