本技术涉及光伏组件制备技术领域，尤其涉及一种汇流条涂层刮除装置，本技术的汇流条涂层刮除装置采用汇流条固定，刮刀上下运动的方式刮除涂胶，并且将刮刀安装在转轴上，通过转轴转动调整刮刀相对汇流条的距离，以确保刮刀复位是不会与汇流条发生磕碰二损...

本技术涉及砂浆收集技术领域，公开了一种下料小车砂浆收集盒，本技术的砂浆收集盒包括槽体、柔性防水件和两个延长件；槽体设置于下料小车的接浆位置；两个延长件相互间隔且可拆卸连接于槽体的顶部两相对侧边；柔性防水件的两侧分别可拆卸连接于两个延长件...

本发明公开了一种硅片改性环氧树脂粘板胶及其制备方法和应用，属于材料制备技术领域。本发明公开的硅片改性环氧树脂粘板胶为AB双组分，A组分包括双酚A型环氧树脂、环氧活性稀释剂、改性粉末填料E、消泡剂和着色剂；B组分包括聚硫醇固化剂、促进剂、...

本发明提供一种用于单晶炉检测液位的直射式激光检测方法，包括运用光电检测器接收散射与漫反射的激光信号；光电检测器将接收到的激光信号输出至图像采集装置，图像采集装置将该激光信号转换成电信号后传输给FPGA控制模块进行信号处理、储存、转换驱动...

本发明公开了一种基于纹路宽度检测的单晶硅片分选方法及系统，包括：对单晶硅片进行图像采集，得到硅片纹路图像；对硅片纹路图像进行灰度转化，得到第一硅片纹路灰度图像，并进行深化处理，得到第二硅片纹路灰度图像；对第二硅片纹路灰度图像进行条纹识别...

本发明公开一种用于晶棒切割的标准化对刀方法，包括：在切割机台尾部的机仓壁上安装第一和第二激光发射器；在切割机台头部的机仓壁上安装第一和第二光线感应器；启动第一、二激光发射器发射出与切割线网平行的第一、二激光线，并通过第一、二激光线组成一...

本发明属于单晶硅技术领域，具体涉及一种

本发明公开一种直拉单晶硅主抽管道及提高其气体流速的方法，包括：获取抽气管道的内径；确定多个椭圆形挡板的安装角度，并根据安装角度和内径得到多个椭圆形挡板的最大斜角距离，进一步确定多个椭圆形挡板的挡板长度；获取多个椭圆形挡板在椭圆中心点处的...

本发明公开了AGV全自动单晶炉炉筒内壁清理装置及清理方法，其中清理装置包括AGV小车、多级电动推杆和清理组件，所述清理组件包括支撑架、伸缩件和清理片，所述伸缩件的一端与支撑架连接，所述伸缩件的另一端与所述清理片连接，所述多级电动推杆的一...

本发明提供一种缩短大尺寸热场单晶炉停炉冷却时间的装置，其设置于热场中，包括：散热管道、上保温筒及水冷屏，所述散热管道与热场外的散热装置相连通，所述水冷屏设有第一连接装置，所述上保温筒设有第二连接装置，所述第一连接装置和所述第二连接装置匹...

本申请涉及热场保温筒技术领域，公开了一种高效节能热场保温筒及单晶炉设备。上述保温筒包括：筒体，所述筒体为环形结构，所述筒体内侧设置有向筒体外侧延伸的校正块；固毡组件，所述固毡组件设置在筒体外壁，与筒体表面贴合。本发明专利解决了现有技术使...

本发明公开了一种预防晶棒掉落装置，包括晶棒长度检测单元、副室桶以及晶棒位置检测单元；所述晶棒长度检测单元包括晶棒生长提升伺服电机，所述晶棒生长提升伺服电机通过光电旋转增量式编码器反馈晶棒信号给控制器，用于判断晶棒长度；所述控制器包括抱钳...

本发明公开了一种拉制大尺寸单晶硅棒的方法，包括以下步骤：根据生产环境和所需拉制的晶棒尺寸设定起始参数，起始参数包括埚转、晶转、氩气流量、炉压和拉速；随着晶棒生长长度逐渐增加，逐步提高埚转和拉速，逐步降低晶转，维持氩气流量和炉压不变；晶棒...

本发明提供一种预防晶棒晃动的装置，包括三根横杆，所述横杆两侧设有螺栓孔，相邻两个横杆之间通过拉伸弹簧穿过螺栓孔连接，所述横杆的两端通过位置调节装置平均分布定位在水冷热屏内壁上，所述横杆上设有条形开孔，所述条形开孔内设有滑动轮组；利用横杆...

本发明公开了一种控制硼富集的单晶硅拉制方法，包括：确定循环料的硼含量；选择籽晶装入炉膛中；根据循环料的硼含量，将原生多晶硅料和循环料按一定比例装入坩埚中；将坩埚抽真空，并通入惰性气体；对坩埚进行持续加热直至材料全熔后，获得拉制料，降温至...

本发明公开了一种具备吸热器的40吋热场装置，包括副室盲板观察窗和炉体，所述副室盲板观察窗外部开设有两组连接孔，且连接孔贯穿副室盲板观察窗两端面，所述副室盲板观察窗左侧连接有插销安装板，且插销安装板设置有两组，所述副室盲板观察窗中部安装有...

本发明公开一种基于深度学习的自动识别斜线网的方法及系统，包括：构建一网络输入层、斜线网训练和测试数据集，并送入网络输入层进行特征提取，得到斜线网特征图；将用于测试和训练的斜线网特征图进行更深的特征提取，得到候选框；在测试和训练阶段，根据...

本发明提供了一种断线硅块处理方法及其设备，包括将断线硅块放入到翻滚容器内，加入王水进去，通过翻滚容器不断翻滚，断线硅块之间不停的相互碰撞，经过长时间的相互碰撞，断线硅块的断线处因持续的碰撞的外力作用下，断线处的硅块被粉碎，断线处露出里面...

本发明涉及一种直拉单晶成晶工艺及其应用。本发明旨在通过对备料和熔料工序中的撒钡粉位置、熔料坩埚位置以及熔料功率的变更优化，撒钡粉位置在竖直方向上距坩埚直臂下部以上2/3处，水平位置距坩埚边缘40mm位置处，引放次数最低；熔料坩埚位置在熔...

本发明涉及一种太阳能硅片断线台阶色差的改善方法，包括：S1.采用旧线焊接处理；S2.根据发生断线时当前的供线量、回线量、切割方向和周期位置，计算剩余周期线量；S3.待焊接线头走完后，然后按照计算得到的剩余周期线量调整设备相应参数，之后继...