本发明为一种利用等离子化学气相沉积进行金刚石外延的一种方法。在外延衬底上覆盖一片导向衬底，把外延衬底和导向衬底相互叠加在一起，放置于样品台上方的生长金刚石的反应气体等离子体中，外延的金刚石材料生长于外延衬底表面，在外延衬底和导向衬底之间...

本发明公开了一种提高深紫外LED晶体质量和出光效率的方法，其特征在于包含如下步骤，S1、在衬底(101)生长表面(103)沉积一层氮化铝薄膜(104)；S2、对氮化铝薄膜(104)进行湿法腐蚀，获得特定的湿法腐蚀缺陷结构(105)；S3...

本发明提供了一种利用磁控技术提高金刚石薄膜微波等离子体化学气相沉积设备沉积速率的方法和装置。该方法包含以下步骤：在微波等离子体化学气相沉积工艺中利用磁场形成电子捕集阱，电子在捕集阱的约束下，在衬底上方固定区域作封闭的曲线运动，电子在运动...

本发明公开了一种提高深紫外LED出光效率的方法，其特征在于包含如下步骤，S1、在衬底(101)下表面(103)沉积一层氮化铝薄膜(104)；S2、对氮化铝薄膜(104)进行湿法腐蚀，获得特定的湿法腐蚀缺陷结构(105)；S3、在包含有湿...

本发明公开了一种超常压化学气相沉积装置，主要包括外壳、保压腔体、反应腔体外壳、反应腔体。本发明采用设置保压腔体和反应腔体的双腔体结构，可以通过压力调节和设置使反应腔体相对保压腔体处于负压状态，即使反应腔体相对于保压腔体成为真空腔体，这样...

一种对称的气相沉积设备的反应腔体，主要包括反应气体输入体、加热器、载片盘、载片盘支撑、反应腔体外壳、加热器、加热器支撑、反应气体通道、腔体底座、尾气排出口，其特征在于所述尾气排出口设置在腔体底座中心位置，腔体底座中间设置一个气腔并且气腔...

一种定向生长碳纳米管的电磁对准处理工艺，其工艺特征包括两个步骤：(1).采用电子束蒸发技术在碳纳米管(CNT)顶部形成磁性纳米颗粒；(2).采用电磁场辅助工艺，对CNT定向对准及键合。本发明的优点是采用反铁磁性材料（FeMn）作为催化剂...

一种晶体质量可控的氮化镓薄膜外延生长方法。本发明所述方法的特征是：在常规两步法外延工艺中低温缓冲层生长之前加入两层氮化镓的预生长，一层是在1050-1120℃烘烤过程中的进行氮化镓预生长，一层是在1050-1120℃烘烤到500-600...

半导体工艺的温度测量和调节方法，在整个有效温度区域内的中心区域开辟一个与工艺相对无关的小区域的测温区，当整个盘面温度平衡时，中心温度的测量值代表整个盘面的准确温度测量值。步骤如下：1、先设定目标温度值，加热器升温；2、用两个以上的径向测...

本发明提供了一种化学气相沉积设备中实时测量衬底翘曲的方法及装置。该测量方法包含以下步骤：用分波前的方法将一束激光分成几个相干光源照射衬底表面，用图像传感器测量衬底反射的衍射干涉图样形状，对比有翘曲和无翘曲时的衍射干涉图样形状计算衬底翘曲...

一种MOCVD工艺生长的红外测温方法及装置，其特征在于测温过程中包含以下步骤：先测量物体的发射率，根据基尔霍夫定律计算得到其发射率；将发射率大小与发射率阀值作比较，如果测量发射率小于阀值，就采用单波长加发射率修正方法测温；否则采用远红外...

增大LED发光功率的集成方法，在衬底上由下至上依次外延缓冲层薄膜系、n型薄膜系、多量子阱系、p型薄膜系组成传统的LED外延结构，在此之上继续外延另外的n型薄膜系、多量子阱系、p型薄膜系组成半导体光放大器。本发明还提供了在传统的LED芯片...

本发明公开了一种化学气相沉积设备的红外辐射测温校准装置及其校准方法，校准装置的可以透光的光学检测孔设置在喷淋盘中，红外辐射温度测试仪与设置在喷淋盘中的光学检测孔对应设置，光纤或光线束通过黑体炉端夹具和检测孔端夹具固定并连接在黑体炉和光学...

本发明公开了一种用于金属有机物化学气相沉积设备的载片盘，通过在载片盘下表面的特定位置处的圆周方向设置矩形或者曲面形式至少一条凸槽或者凹槽，或者在载片盘上表面的特定位置处设置至少一条矩形或者曲面形式凹槽，或者以上方式混合设置。本发明的优点...

本发明公开了一种金属有机物化学气相沉积设备喷淋盘清洁装置及其方法，清洁毛刷安装板4安装到旋转电机5的旋转轴上，清洁毛刷8固定安装于清洁毛刷安装板4上，清洁毛刷安装板4安装于清扫废物收集盘3内，抽气管路6一端与清扫废物收集盘3连接，另一端...

金属有机物化学气相沉积设备石墨盘转移装置,手套箱底板上设有波纹管，波纹管底端与升降板密封连接，升降板上表面依次与连接套、旋转座、石墨盘支撑和石墨盘连接，压缩或者拉伸波纹管以使石墨盘跟随升降板上升或者下降，手套箱的底板上设有一机械臂滑动导...

氢化物气相外延装置，包括一气相外延反应腔，反应腔上部设有进气装置，进气装置下方设有一石英舟，反应腔下部设有载片盘，载片盘下方和上方设有加热装置，载片盘下方的加热装置与反应区由载片盘支撑隔开，反应腔底部设有排气口。本发明的优点是可在一个反...

可实现氮化物晶体同质外延的气相外延沉积装置，包括一金属氯化物供应腔和一气相外延反应腔，其中供应腔外部设有加热装置和通气管道，内部设有一石英舟以放置金属源；气相外延反应腔上部设有一个反应气体进气装置，内部设有载片盘以放置衬底材料，在载片盘...

本实用新型公开了一种化学气相沉积设备的红外辐射测温校准装置，校准装置的可以透光的光学检测孔设置在喷淋盘中，红外辐射温度测试仪与设置在喷淋盘中的光学检测孔对应设置，光纤或光线束通过黑体炉端夹具和检测孔端夹具固定并连接在黑体炉和光学检测孔之...

本实用新型公开了一种用于金属有机物化学气相沉积设备的载片盘，通过在载片盘下表面的特定位置处的圆周方向设置矩形或者曲面形式至少一条凸槽或者凹槽，或者在载片盘上表面的特定位置处设置至少一条矩形或者曲面形式凹槽，或者以上方式混合设置。本实用新...