GAN系统公司专利技术

GAN系统公司共有18项专利

  • 本发明公开一种用于高电压、高温运行功率半导体开关器件的嵌入式裸片封装,其中,功率半导体裸片安装在引线框上并且嵌入层压体中,该层压体包括多个介电层和导电层的层堆栈。功率半导体裸片的接触垫与封装的外部接触垫之间的电连接包括延伸穿过介电层的导...
  • 本发明公开一种用于半导体功率开关器件的嵌入式裸片封装,其中所述封装包括层压体,所述层压体包括多个介电层和导电金属层的层堆叠。所述裸片背面上的热触点区域附接到引线框。在所述裸片的前侧上的导电金属化的图案化层提供功率半导体器件的电接触区域。...
  • 本发明涉及一种用于功率半导体器件的层压嵌入式裸片封装,其中层压体包括多个导电层和介电质层的叠层。所述裸片可以与引线框热接触地安装。所述裸片的接触区域、封装的外部接触垫和内部导电层之间的电连接是通过导电过孔或微过孔来实现的,所述导电过孔或...
  • 公开了用于高电压、高温运行功率半导体开关器件的嵌入式管芯封装,其中,功率半导体管芯嵌入层压主体中,该层压主体包括多个介电层和导电层的层堆栈,并且其中,在封装的一侧上的第一导热垫以及在封装的相对侧上的第二导热垫提供用于双侧冷却。双侧冷却封...
  • 一种用于改善顶部冷却半导体功率开关器件(例如,嵌入式管芯封装中的高电压、高电流横向GaN功率晶体管)的散热和EMC的功率级组件。功率开关器件安装在PCB基板上,其中,每个器件封装的底侧和PCB之间存在电连接件。每个器件封装具有在顶侧上的...
  • 一种用于功率级组件的多区基板,该功率级组件包括至少一个底部冷却式半导体功率开关器件、和驱动器元件,该多区基板用于集成在公共基板上。第一区提供用于安装至少一个底部冷却式半导体开关器件的电气连接部和热焊盘,该第一区包括电介质层和传导层,用于...
  • 公开了一种包括集成ESD保护电路的GaN半导体功率开关器件(Q
  • AC/DC开关模式电源(SMPS)包括PFC级、隔离式LLC DC/DC转换器级和控制电路,该控制电路向PFC和LLC控制器提供反馈/控制信号,以根据感测到的峰值AC输入电压和所需的输出电压Vo启用多个工作模式。PFC为低压线路AC输入...
  • 提供了一种用于AC输入AC/DC开关电源的大容量电容器电路,例如无有源功率因数校正的AC/DC适配器/充电器,包括具有不同额定电压的多个大容量电容器,以及包括AC输入电压感测和比较器电路的驱动和控制电路,响应于感测到的AC输入电压范围,...
  • 一种用于具有功率因数校正(PFC)的多端口AC/DC开关电源(SMPS)的体系结构,包括用于PFC开/关控制和智能功率分配的功率管理控制(PMC),以及可选的升压跟随器电路。例如,在通用AC/DC多端口USB
  • 本发明公开了用于进行负载自适应3D无线充电的装置、系统和方法。在示例实施例的3D充电系统中,特征包括为3D充电空间(例如,半球形空间/容积)提供磁场分布覆盖的3D线圈设计;具有EMI滤波器和发射器电路的为3D线圈提供恒定电流的推挽式EF...
  • 本发明提供了一种无线功率传输(WPT)系统,用于利用一个功率放大器驱动多个共振器线圈。所述WPT系统可包括功率放大器、差分1:N功率分配器、阻抗反转电路和多个共振器线圈。所述WPT系统还可包括具有传感器的自动调谐电路,其有助于有效驱动所...
  • 本发明公开了混合功率开关级和驱动电路。示例性半导体功率开关设备包括以半桥配置连接的高侧开关和低侧开关,其中所述高侧开关包括GaN功率晶体管,所述低侧开关包括SiMOSFET。Si
  • 一种横向功率半导体器件结构包括在有源拓扑上的焊盘,其中优化片上互连金属化层和接触焊盘位置以降低互连电阻。对于横向GaN HEMT,其中漏极、源极和栅极指状电极在有源区的第一和第二边缘延伸,该源极和漏极总线在有源区的第一和第二边缘的位置中...
  • 本发明公开了一种用于功率半导体器件的高压、高温操作的嵌入式裸片封装,其中功率半导体裸片嵌入在包括多个介电层和导电层的层堆叠堆叠中。例如,所述介电层包括填充或纤维增强介电材料的介电构建层,导电互连包括铜层和铜填充通孔。在提供阻焊剂涂层的情...
  • 公开了用于大间隙谐振无线电力传输(WPT)的高效谐振器线圈和线圈设计方法。谐振器线圈包括由线圈参数定义的线圈拓扑,其中每匝的匝尺寸(诸如每匝的走线宽度和间距)被配置为减小或最小化在距线圈指定距离或距离范围处的充电平面的区域上的磁场的z分...
  • 公开了用于驱动需要高电流和快速脉冲的二极管激光系统的包含氮化镓(GaN)功率晶体管的脉冲激光驱动器,诸如用于LIDAR(光检测和测距)系统的激光驱动器。驱动器能够递送具有峰值电流≥100A(例如170A)的脉冲,以提供高峰值功率、具有纳...
  • 本发明公开一种氮化镓(GaN)系列器件-晶体管和二极管,比前述GaN器件具有更高的单位面积电流处理能力。这一改进要归因于改进的布局拓扑结构。该器件还包括更简单、但性能更佳的倒装芯片连接系统和可减小热阻的装置。本发明还公开了一种简化的制造...
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