本发明提供一种具备氧化学浓度为1×10<supgt;16</supgt;atoms/cm<supgt;3</supgt;以上的半导体基板的半导体装置，该半导体装置包含体施主和增加施主，具备掺杂浓度比漂移区的掺杂浓...

本发明提供一种半导体装置，其防止散热性的降低。冷却装置设置于散热板的背面，并具备贮存部（31）、引导部（32）以及引导板。引导部（32）的一端与短侧壁（31b）的内侧连接，另一部分隔着流入口（31g）与短侧壁（31b）的该一端连接，该引...

本发明提供电力变换装置、劣化判定装置以及劣化判定方法，实现半导体装置的劣化判定的精度提高。电力变换装置具备：半导体装置，具有：具有第1主电极、第2主电极及控制电极的半导体元件、与第1主电极电连接的第1主端子、与第2主电极电连接的第2主端...

本发明提供一种半导体装置，其具备半导体基板，所述半导体基板具有上表面和下表面，所述半导体基板在深度方向上具有一个以上的作为氢化学浓度的峰的氢峰，一个以上的所述氢峰包括最远离所述半导体基板的所述下表面的最深峰，所述半导体基板具有：下侧区域...

一种半导体装置及半导体装置的制造方法。能减小外部连接端子和电路板的接合面上的应力。半导体装置(100)具有U端子(161)，U端子(161)的一端侧的内部接合部(161a)与电路板连接，中间部埋设于壳体(110)，另一端侧的外部接合部(...

在端子、端子的制造方法以及半导体装置中，提高铆接接合的端子的相对于旋转转矩的强度。端子(10)具备：板状的第1端子部件(11)，其具有贯通孔(11a)；以及第2端子部件(12)，其具有插入于贯通孔(11a)的柱状部分(12a)。第2端子...

本发明提供一种抑制焊料层中的电迁移的产生的半导体装置。半导体装置具有：半导体芯片，其具有上表面和下表面以及在沿上表面和下表面的方向上交替地排列的晶体管区域和二极管区域；引线框，其含有铜，并配置在半导体芯片的上表面侧的位置；镀层，其含有镍...

本发明提供一种半导体装置，其提高半导体装置的饱和电流和导通电压等特性。半导体装置具有作为晶体管进行动作的部分，所述晶体管具有被施加栅极电压的栅极沟槽部、与所述栅极沟槽部相接的发射区、以及与所述栅极沟槽部相接的基区，在周围温度为25℃时所...

本发明提供一种降低电感的半导体装置及半导体模块。该半导体模块具备：半导体芯片，其具有输出电极和输入电极；负极端子，其与布线端子的负极导电层接触并与半导体芯片的输出电极电连接；以及正极端子，其与负极端子分隔，与负极端子平行且与布线端子的正...

提供一种半导体装置和车辆，防止发生因将半导体元件的主电极与导体板接合的接合材料的飞散引起的半导体装置的动作不良。半导体装置具备布线板、配置在布线板上的半导体元件、以及通过接合材料来与半导体元件的设置在上表面的主电极接合的引线构件，半导体...

本发明提供一种电路装置和电力转换电路，使得能够容易地识别警报信号和状态信号。所述电路装置具备：电力转换电路；以及传输装置，其对来自所述电力转换电路的信号进行传输，所述电力转换电路具有：警报信号生成部，其生成表示所述电力转换电路是否成为预...

本发明涉及半导体模块。抑制外部端子和接合线的温度上升。半导体模块具备：散热板；第1绝缘基板，其配置于散热板的第1面上，在该第1绝缘基板设有半导体芯片；框状的壳体，其包围第1绝缘基板；多个外部端子，其跨壳体的内外地设置，借助接合线而与半导...

本发明涉及半导体模块和半导体模块的制造方法。降低半导体模块中连接端子位移的可能性。半导体模块(100)具备：安装基板(30)；半导体芯片(40)，其设置于安装基板(30)；筒状的支承导电体(61)，其设置于安装基板(30)；收纳部(20...

本发明抑制电力转换电路的端子数。提供一种电路装置和电力转换电路，电路装置具备电力转换电路和对所述电力转换电路进行控制的控制电路，所述电力转换电路具有：控制端子，其被输入来自所述控制电路的控制信号；输出端子，其向所述控制电路输出输出信号；...

本发明提供一种半导体器件和具备半导体器件的半导体模块，该半导体器件在一个面设置有第一主电极板、第二主电极板和控制电极板，且具有第一主电极与第一主电极板连接、第二主电极与第二主电极板连接、控制电极与控制电极板连接的开关元件。

本发明提供一种半导体装置以及半导体模块，所述半导体装置具备：半导体基板，其具有设置有晶体管部的有源部；发射电极，其设置在所述半导体基板的正面的上方；以及保护膜，其设置在所述发射电极的上方，所述有源部具有设置在所述半导体基板的正面的第一导...

正面电极（14）经由由TiSix膜（11）和TiN膜（12）和金属插塞（13）构成的接触结构而与半导体基板（8）欧姆接触。TiSix膜（11）通过溅射而直接沉积，从接触孔（9a）的侧壁（层间绝缘膜（9）的侧面）沿着源极接触沟槽（8a）的...

本发明提供一种半导体装置，具备：二极管部；多个沟槽部，其设置于半导体基板的正面；第一导电型的漂移区，其设置于所述半导体基板；第二导电型的阳极区，其在所述二极管部中设置于所述漂移区的上方；第二导电型的第一插塞区，其在所述二极管部中设置于所...

一种编码器，具有：磁铁，安装于旋转位置的测定对象；发电元件，利用巴克豪森特性将所述磁铁的磁能转换为电脉冲；磁传感器，测定所述磁铁的磁化极性；推定部，基于所述发电元件的发电极性、所述磁传感器的磁化极性和上次推定出的旋转位置，来推定所述测定...

本发明提供通过检测连续产生微短路脉冲的情况而实现开关元件的保护功能提高的半导体装置。半导体装置具有开关元件和保护控制电路。开关元件基于输入信号进行开关而使负载工作。保护控制电路根据开关元件的动作状态进行开关元件的保护。保护控制电路检测微...