弗卢斯索有限公司专利技术

弗卢斯索有限公司共有9项专利

  • 一种测量气体的浓度的热导率传感器,该传感器包括:基板部分;设置在基板部分上的中间层;设置在中间层上的半导体层;以及包括介电膜的介电层,介电膜设置有加热器;其中,介电膜位于间隙上方,该间隙位于半导体层中。还描述了制造热导率传感器的方法。
  • 一种用于控制存在流动流体的流体流量传感器的方法,该方法包括:确定与流动流体的流量相对应的参数的初始估计,将该初始估计与阈值参数进行比较,并且基于该比较,基于来自流体流量传感器的加热器和温度传感器的信号的组合来确定与流动流体的流量相对应的...
  • 一种用于控制存在流动流体的流体流量传感器的方法,所述方法包括:向所述流体流量传感器的加热元件施加电偏压;确定所述流动流体的相;和根据所述流动流体的所述相来修改所述电偏压。还描述了一种用于流体流量传感器的控制器。
  • 我们在本文公开了一种用于感测流体的浓度或组成的流体传感器,该传感器包括:半导体衬底,该半导体衬底包括第一被蚀刻部分;位于半导体衬底上的介电区域,其中,介电区域包括被定位成覆盖在半导体衬底的第一被蚀刻部分之上的第一介电膜;位于第一介电膜内...
  • 一种用于感测流体的浓度或组成的流体传感器,传感器包括:半导体衬底,其包括第一被蚀刻部分;介电区域,其位于半导体衬底上,其中介电区域包括被定位成覆盖在半导体衬底的第一被蚀刻部分之上的第一介电膜;位于第一介电膜内的第一加热元件;以及第二加热...
  • 一种用于感测流体的浓度或成分的流体传感器,该传感器包括:半导体衬底,该半导体衬底包括第一蚀刻部分和第二蚀刻部分;位于半导体衬底上的介电区域,其中介电区域包括位于半导体衬底的第一蚀刻部分上方的第一介电膜和位于半导体衬底的第二蚀刻部分上方的...
  • 我们在本文公开了一种流传感器组件,所述流传感器组件包括第一衬底、被定位在第一衬底上的流传感器、被定位在流传感器上方的盖子、流入口通道和流出口通道。流传感器的表面和盖子的表面配合,以在流入口通道和流出口通道之间形成流感测通道,并且流感测通...
  • 我们在本文公开了一种流传感器,流传感器包括:第一衬底、介电区域、感测元件以及第二衬底,所述第一衬底包括蚀刻部分,所述介电区域位于第一衬底的第一侧上,其中介电区域包括位于第一衬底的蚀刻部分上方的至少一个介电薄膜,所述感测元件位于介电薄膜上...
  • 我们在本文中公开了一种流和热量传导传感器,包括:半导体衬底,该半导体衬底包括蚀刻部分;介电区域,该介电区域位于半导体衬底上,其中介电区域包括位于半导体衬底的蚀刻部分上方的至少一个介电膜;以及加热元件,该加热元件位于介电膜内。介电膜包括位...
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