本发明公开了一种用于蓝宝石衬底片抛光后的清洗液，所述清洗液由无机碱性物质，Bola型表面活性剂，分散剂，渗透剂和去离子水组成。本发明通过添加特定的Bola表面活性剂，在分散剂和渗透剂的协同作用下，其具有良好的除蜡、螯合、浸润和高分散效果...

本发明公开了一种用于集成电路的正性光刻胶显影液组合物，属湿电子化学品领域。按质量百分数之和为100%计，所述组合物中各组分及其所占质量百分数为：氢氧化钾0.1‑5%、显影缓冲剂0.1‑2%、非离子型Gemini表面活性剂0.1‑2%，余...

本发明公开了一种OLED精密金属掩膜板用电解清洗液，其由无机碱、螯合剂、表面活性剂、有机助剂、抗蚀剂和去离子水组成。该电解清洗液洗净效果好，易清洗不残留腐蚀，产品材料环保，可实现对蒸镀后FMM表面及狭缝中残留的微小污染物的有效清洗，并能...

本发明公开了一种半导体用光刻胶清洗剂，属于清洗剂技术领域。该光刻胶清洗剂所含组分及其各组分所占重量百分数为：5‑20%有机碱、40‑70%极性非质子溶剂、10‑30%有机醇醚、0.1‑2.5%缓蚀剂，其中，所述缓蚀剂为带有两个席夫碱基团...

本发明公开了一种新型显示用玻璃基板环保清洗液。该清洗剂由无机碱性物质、醇醚类有机助剂、非离子表面活性剂、双子表面活性剂复配和水组成，其不仅可以有效去除玻璃基板表面的指纹、灰尘、玻璃粉、油脂及其他有机或无机固体粒子，且泡沫低，易清洗不残留...

本发明公开了一种LED用光刻胶清洗剂及其生产工艺，属于清洗剂技术领域。本发明提供的LED用光刻胶清洗剂包括以下重量百分比的组分：5‑20%有机醇胺；40‑80%极性非质子溶剂2；10‑30%有机醇；0.1‑2%的表面活性剂。且本发明利用...

本发明公开了一种用于OLED精细金属掩膜版清洗的电解清洗剂组合物，按质量百分比计，该组合物由以下组分构成：5‑15%强电解质、1‑10%螯合剂、1‑5%有机溶剂、0.1‑5%分散剂、0.1‑5%Gemini型聚乙二醇‑聚乳酸‑磷酸酯表面...

本发明公开了一种金刚石研磨液及其制备方法，该研磨液是由改性磨料、有机溶剂和表面活性剂组成。该金刚石研磨液具有研磨效率高、磨料分散均匀，悬浮稳定性好，长时间放置不会产生沉降分层现象，解决了市面上产品存在的金属腐蚀及团聚、分层等问题，对环境...

本发明公开了一种用于切割后新能源电池铝壳表面污染物清洗的组合物，属于新能源电池制造领域。按质量百分数之和为100%计，所述组合物包括5

本发明公开了一种用于新能源柱状电池铝壳制造过程的清洗剂，属于新能源电池制造领域，其是以无机碱、缓蚀剂、双子型表面活性剂、助洗剂、增溶剂为原料制成。本发明通过无机碱和相应助剂的搭配形成稳定持久的弱碱环境，在提高清洗力的同时能有效避免过高碱...

本发明公开了一种用于半导体制程的水基去胶液，用于半导体晶圆制造中。该水基去胶液通过添加特定复配的阴

本发明公开了一种芯片切割清洗剂组合物，属于表面活性剂技术领域，具体涉及一种用于半导体领域的化学品制剂。质量百分数之和为100%计，包括1

本发明公开了一种用于蓝宝石衬底片抛光后的清洗组合物，按质量百分数之和为100%计，所述清洗组合物由以下质量百分数的原料制成：无机碱3

本发明公开了一种用于集成电路的厚膜光刻胶显影液组合物，属于湿电子化学品领域。按质量百分数之和为100%计，所述组合物中各组分及其所占质量百分数为：无机碱0.1

本发明公开了一种用于IPM封装的半水基型助焊剂清洗剂，属于半导体清洗剂领域。该半水基型助焊剂清洗剂所用原料及其所占重量百分比为：35

本发明公开了一种有机发光材料清洗剂及清洗方法。该清洗剂由A液与B液组成，其中A液按质量百分数计包括1

本发明公开了一种镁银合金和镱金属清洗剂及清洗方法，开发了一款在较低的成本下，可以高效的溶解Mask、坩埚上残留的镁银合金、镱等金属，同时不对Mask等基底产生损失，且减少沉淀产生的金属清洗剂。该清洗剂由2

本发明公开了一种柔性OLED用彩色滤光片显影液组合物及其制备方法，属于湿电子化学品领域。该款显影液组合物由无机碱、烷基环己基苯基酚聚氧乙烯醚、蓖麻油聚氧乙烯醚、助溶剂、余量为高纯水，其采用特殊的非

本发明公开了一种高沉降性能的玻璃切削液，属于玻璃加工技术领域。所述玻璃切削液组分及其重量百分比为：极压添加剂5

本发明公开了一种用于CF Rework彩膜工艺中的返工液及其清洗工艺，该返工液是由无机碱、有机胺、有机助剂、表面活性剂及高纯水组成。本发明的返工液可以有效去除CF工序中玻璃基板上的不良光刻胶，具有一次剥离，光刻胶不回粘，药液稳定性好，使...