本申请涉及一种离子束束流测量装置及真空设备，所述测量装置，用于测量离子源的离子束束流；包括：支撑结构，导轨以及移动模组；所述支撑结构安装在真空腔体上，所述导轨通过支撑结构固定在真空腔体内，所述移动模组设于导轨上，并沿导轨移动；所述移动模...

本申请涉及一种夹具盘、试验工件架、真空镀膜机及镀膜工艺试验方法；所述夹具盘包括：底盘，棘轮，上盖，产品安装盘以及曲柄；产品安装盘上以圆形分布方式设有多个放置测试产品的产品安装位；棘轮内置在底盘中，产品安装盘连接在底盘上；上盖设置于产品安...

本申请涉及一种靶材结构及真空溅射设备，所述靶材结构，包括：第一固定部、第二固定部，以及连接在第一固定部和第二固定部之间的旋转轴；第一固定部和第二固定部分别安装于真空腔室外部，且与真空腔室密封连接；旋转轴安装在真空腔室内部，穿过真空腔室的...

本申请涉及一种旋转工件盘及真空设备，所述旋转工件盘包括：支撑平台，连接在所述支撑平台两端的第一摆动轴和第二摆动轴；其中，所述支撑平台为U型结构设计，所述第一摆动轴和第二摆动轴分别连接到真空腔室两侧的外壳上；所述支撑平台上安装有工件盘，用...

本申请涉及一种靶材安装结构及离子束溅射设备；所述靶材安装结构包括：固定座，连接固定座的主轴，以及设于主轴末端的靶材安装架；所述固定座设于真空腔室外，内置有伺服电机，所述伺服电机用于驱动主轴进行旋转；所述主轴置于真空腔室内；所述靶材安装架...

本申请涉及一种单片集成式滤光片器件及其制造设备系统，其中，所述单片集成式滤光片器件包括：透明基底，以及设于透明基底上的微镜片阵列；透明基底设计为单片集成滤光片结构；微镜片阵列包括多个排列在所述透明基底上的微镜片，每个微镜片对应于滤光片上...

本申请涉及一种基于Fabry‑Perot谐振腔的高光谱滤光片阵列及其制作方法，所述方法包括：通过薄膜沉积方式在N个硬质透明衬底上沉积透射峰值波长为λ<subgt;1</subgt;、λ<subgt;2</subg...

本申请涉及一种电阻规真空计及真空检测系统，所述电阻规真空计，包括：半开结构设计的外壳底座、L型结构设计的外壳顶盖、电路板以及电阻规传感器；外壳底座与外壳顶盖接合构成封闭的一体式壳体；外壳顶盖的顶面上开设有镂空部位，电阻规传感器固定安装在...

本申请涉及一种基于宽光谱监控的镀膜工艺方法，所述方法包括：安装待镀膜的工件及监控片；初始化并加载镀膜工艺；绘制圆周光谱曲线并定位监控片在产品转盘上的角度位置；镀膜工艺程序的自动执行；在镀膜过程中，实时采集监控片的光谱能量数据，拟合出当前...

本申请涉及一种真空镀膜设备及其镀膜控制方法，所述设备包括：真空腔室，内置有连接控制系统的产品转盘、溅射系统以及离子源；光谱检测装置，连接至控制系统，用于在镀膜过程中检测镀膜产品的光谱能量数据并上报至控制系统；控制系统，用于控制产品转盘、...

本申请涉及一种离子束测量方法、装置、离子束束流测量系统及真空设备；所述方法包括：在对真空设备的离子源输出的离子束进行测量时，根据离子源的空间模型确定测量点序列及其位置参数，并计算将探测装置移动到相应测量点的控制参数，然后根据控制参数依次...

本申请涉及一种工件架及真空设备，工件架第一转轴第二转轴以及安装结构；安装结构设计为U型结构形状，包括两个侧边支臂和底部平台，每个安装结构上设置有至少一个用于放置工件的工件盘安装在安装结构的底部平台上；在工作时，第一转轴和第二转轴绕旋转轴...

本申请涉及一种旋转工件盘及其控制方法、真空设备；所述旋转工件盘包括旋转机构、工件盘和旋转轴，旋转机构通过所述旋转轴连接工件盘；在旋转轴上设有转动机构，转动机构位于工件盘上部位置；转动机构连接一导向部件，导向部件在工件盘上方沿工件盘直径方...

本申请涉及一种泵腔室结构、真空腔室及真空镀膜机；所述泵腔室结构，应用于真空镀膜机，包括：分设在真空腔室的工作腔室外侧的多个泵腔室；其中，各个所述泵腔室分别内置有真空泵；所述真空泵用于同步对工作腔室进行抽真空；所述泵腔室包括分设在工作腔室...

本申请涉及一种防护门装置及真空镀膜机，所述防护门装置，用于真空镀膜机，包括至少一个防护门，该防护门包括：底板，位于两侧的侧板，位于正面的面板和位于上部的顶板；其中，所述面板和顶板结合部位的至少部分区域的设置为包括至少一个台阶的阶梯结构；...

本申请涉及一种腔体真空度调整装置、真空腔体以及真空镀膜机；该腔体真空度调整装置，包括：设于真空腔体内的百叶调节机构，以及设于真空腔体外部的驱动装置；所述百叶调节机构安装在真空腔体的抽风口前，并固定在真空腔体内部的侧壁上；所述驱动装置通过...

本申请涉及一种射频中和器的功率调整方法、装置和射频中和器设备；所述方法包括：获取射频中和器工作时的当前发射极电流值以及待调整的目标发射极电流值，并确定所需调整的电流变化量；获取射频中和器当前工作的第一射频功率值以及在调整到目标发射极电流...

本申请涉及一种射频离子源系统及射频离子源控制方法，所述射频离子源系统包括：射频离子源，至少一个与所述射频离子源匹配使用的射频中和器；其中，所述射频离子源的射频控制器与所述射频中和器的阴极控制器通过通信线连接；所述射频控制器用于控制所述射...

本申请涉及一种射频电离装置、射频中和器及其控制方法；所述射频电离装置，应用于射频中和器，包括：电离腔室以及射频线圈；所述电离腔室的侧壁内置有螺旋通道；所述射频线圈为螺旋形状设计，且结构与所述螺旋通道结构一致；所述射频线圈通过螺旋方式由所...

本申请涉及一种法拉第筒及离子束测量系统；所述法拉第筒包括：依次叠加的前端部，抑制组件，隔离组件和收集极组件；所述前端部开设有离子束收集口；其中，所述前端部设有测量口；所述收集极组件包括第一PCB板基板，所述第一PCB板基板的中部设有第一...