所公开和要求保护的主题涉及具有包含结晶铁电材料的膜的BEOL相容的铁电隧道结及用于制备及沉积这些材料的方法，所述结晶铁电材料包含具有显著(即，约40％或更多)或主要部分的原样沉积(即不需要进一步加工，如后续封盖或退火)的铁电相材料的氧化...

在此公开的系统、方法，和设备用于形成低辐射板，其可包括基片和反射层，被形成在所述基片上。所述低辐射板可进一步包括顶部介质层，被形成在所述反射层上，从而所述反射层被形成在所述顶部介质层和所述基片之间。所述顶部介质层可包括三元金属氧化物，如...

一种制备低辐射面板的方法，包括：控制形成在薄导电银层上的阻挡层的组合物。该阻挡结构可含有镍、钛、铌的三元合金，其与二元阻挡层相比，显示出在整体上具有改进的性能。镍的百分比可为5‑15wt％，钛的百分比可为30‑50wt％，铌的百分比可为...

一种阻变元件，其能够用在非易失性数字施密特触发器电路或比较器电路中。施密特触发器电路可以包括阻变电路和重置电路。阻变电路可以提供适合于施密特触发器操作的迟滞行为。重置电路可操作地将阻变电路重置至高电阻状态。比较器电路可包括阻变电路、重置...

在此公开的系统、方法，和设备用于形成低辐射板，其可包括基片和反射层，被形成在所述基片上。所述低辐射板可进一步包括顶部介质层，被形成在所述反射层上，从而所述反射层被形成在所述顶部介质层和所述基片之间。所述顶部介质层可包括三元金属氧化物，如...

一种用于形成低辐射涂层的方法，包括：控制薄导电银层上所形成的阻挡层的成分。该阻挡层结构包含钛、镍、铌的三元合金，与二元合金阻挡层相比，整个性能被提高。其中，钛的重量百分比可以是5－15wt％，镍的重量百分比可以是30－50wt％，铌的重...

低发射率面板可包括在多个红外线反射叠片之间的Zn2SnOx的隔离层。低发射率面板也可包括NiNbTiOx，作为阻挡层。热处理过程前后，低发射率面板具有高太阳光增益、颜色中性、与类似可观察的颜色一起。

本发明提供了一种制造低发射率板的方法，包括形成基础层以促进用于导电银层的晶种层。基础层可以是无定形层或纳米晶体层，其可促进氧化锌晶种层的生长，以及更光滑的表面和改善的热稳定性。基础层可包括掺杂氧化锡，例如，掺杂有Al、Ga、In、Mg、...

用于制造导电堆叠的方法包括形成夹在两层透明导电氧化物例如铟锡氧化物(ITO)之间的银掺杂或银合金层。银掺杂或银合金层能够是薄的，例如介于1.5至20nm之间，因此能够是透明的。银掺杂或银合金能够提供改进的延展性，允许导电堆叠可弯曲。透明...

通过采用包括金属元素的种子层，包括纯氧化锌和掺杂氧化锌的氧化锌层能够以优化的晶体取向和改进的导电性沉积。通过选定在低温下容易在玻璃衬底上结晶，并且具有优化晶体取向和尺寸的金属元素，能够形成具有优化晶体取向和大粒度的氧化锌层，从而能够优化...

本发明提供一种组合式处理基板的方法，其包含下列的步骤：在真空下处理包括第一金属层的基板以在所述第一金属层上形成包括位址隔离区域的绝缘层，其中所述处理通过改变所述第一金属层和所述绝缘层之间的尺寸关系而使所述绝缘层相对于所述第一金属层在空间...

本发明提供多种用于离散组合加工一基板的多个区域的方法及系 统，例如可供探索、实施、优化及品检制造集成电路时使用的新型材料、 制程及加工次序的整合方案。其上有一阵列以不同方式加工的区域的基 板通过输送多种材料于基板区域或改质基板区域加工。

在电子器件的介电区域上形成掩膜层，使得随后在由介电区域分隔的电子器件的导电区域上形成盖层期间，掩膜层抑制在介电区域之上或之内形成盖层材料。可以选择性地或非选择性地在导电区域上形成盖层。接着可以除去在介电区域上形成的盖层材料，从而保证仅在...

本发明描述一种集成加工工具，其包括整片加工模块和组合加工模块。用在组合加工模块中的化学制品从包括一组第一歧管的传送系统馈送。每个第一歧管的输出连接到至少一个混合导管。每个混合导管的输出馈送一组第二歧管中的多于一个。每组第二歧管的输出馈送...

本发明的各个实施方式提供了基板与处理头的相对移动，以在最小空间内接近整个晶圆而在基板的各区域上执行组合式处理。处理头能够在所述的处理室中进行位置隔离处理，且还描述了一种使用所述处理头的方法。

提供了一种组合式的处理腔室及方法。在此方法中，流体容积流过基板的表面，且不同流体容积部分具有不同的组成成分，以同时暴露基板的分离区域于组成成分的混合物中，此组成成分不同于相邻区域所暴露的组成成分。藉由多重流动而产生经不同处理的分离区域。

提供了一种组合式处理腔室。此组合式处理腔室用以隔绝可旋式基板支撑物的径向部分，而此基板支撑物转用以支撑一基板。在一实施方式中，此腔室包括多个丛集制程机头。在一实施方式中，具有底板的插件针对沉积制程定义一限制区域，其底板设置于此基板支撑物...

本发明提供一种半导体基板的处理系统。此系统包含一主框架，此主框架具有多个模块连接至此主框架。所述模块包含处理模块、储存模块及传输机构。该处理模块可包含组合式的处理模块及传统的处理模块如表面备制、热处理、蚀刻及沉积模块。在一实施例中，所述...

描述了组合的等离子体增强沉积技术，该技术包括指定基底的多个区域，向多个区域的至少第一个区域提供前体，以及向第一个区域提供等离子体以在第一个区域上沉积使用第一种前体形成的第一种材料，其中所述第一种材料与基底的第二个区域上形成的第二种材料不同。

描述了非易失性阻变存储器，其包括具有第一电极、第二电极、处于第一电极和第二电极之间的金属氧化物的存储器元件。金属氧化物使用体介导转换进行转换，其具有大于４电子伏特（ｅＶ）的带隙，具有对于每一百埃的金属氧化物厚度具有至少一伏的用于设置操作...