一种非易失性存储（１００）包括具有电荷存储元件（４０）的晶体管（３０）的阵列（１０２）。可使用两步编程方法（６０）来对该晶体管进行编程，其中第一步骤（６８）是使用低栅极电压的热载流子注入（ＨＣＩ）编程。在一些存储单元上选择性地利用第二步...

本发明公开一种对非易失性存储器的晶体管（１０）的电荷存储位置进行放电的方法，包括分别对该晶体管的控制门（２８）和阱区域（１２）施加第一和第二电压。将第一电压施加到该晶体管的控制门，其中控制门具有与该晶体管的选择门（１８）相邻的至少一部分...

一种切换可调节的磁致电阻存储器单元的方法，包括步骤：提供磁致电阻存储器器件（１２），其具有夹在字线（１４）和位线（１６）之间的两个位（１８）和（２０），从而电流波形（１０４）和（１０６）能够在不同的时刻施加在字线和位线上，以产生磁场通量...

在ＭＲＡＭ（１０）的加速寿命试验期间，电路（３０）将应力电压提供给磁隧道结（ＭＴＪ）（３４－４８），磁隧道结包括磁阻随机存储器（ＭＲＡＭ）（１０）的存储元件。应力电压被选择来提供与正常工作相比的老化的预定加速。在寿命试验期间的指定时间点...

一种低功率、可编译的存储器（１００）利用充电脉冲技术来改善访问时间，以优于其他低功率存储器实现。该存储器包括配置为在非活动存储器访问周期期间对多个位线放电以减少功耗的电路（１０６、１０８）。存储器也包括其他电路（１１２），其在活动的存储...

存储器（１０）具有多个存储器单元、用于接收低电压高频差分地址信号的串行地址端口（４７）和用于接收高频低电压差分数据信号的串行输入／输出数据端口（５２、５４）。存储器（１０）可以操作于两个不同的模式中的一个模式，即正常模式和缓存行模式。在...

提供了用于读出ＭＲＡＭ单元（７７）的读出放大器（１１）和方法。读出放大器（１１）包括具有运算放大器（４０、４２）的预充电电路（１３’），所述运算放大器使用反馈路径中的分压器（１１５、１１６）来控制存储在电容器（１０４、１０５）上的电荷量...

数据处理系统（１０）具有嵌入式非易失性存储器（２２），通过使用由电荷泵（７８）提供的高电压来编程或擦除所述非易失性存储器（２２）。为了防止在低电源电压条件期间非易失性存储器（２２）被无意地编程或擦除，电荷泵（７８）在电源电压下降到预定值...

静态随机存取存储器（１４），其具有正常操作模式和低电压操作模式。存储器阵列（１５）包括连接到第一电源结点（Ｖ↓［ＤＤ］）的用于接收电源电压的存储器单元（１６）。多个字线驱动器连接到存储器阵列（１５）的字线并连接到第二电源结点（３７）。字...

本发明公开一种具有激活ＥＣＣ模式和禁止ＥＣＣ模式的存储器（１０），其中，在激活ＥＣＣ模式专门用于存储ＥＣＣ的存储器（１０）的区间在禁止ＥＣＣ模式被用来存储一般目的的信息（数据）。这在非易失性存储器（ＮＶＭ）（１０）中是通过使数据和具有相...

一种集成电路器件（３００），包括磁性随机存取存储器（“ＭＲＡＭ”）结构（３１０）和至少一个电感元件（３１２，３１４），它们利用相同的制作工艺技术形成在相同的基板上。该电感元件可以是电感器或变压器，它形成在与ＭＲＡＭ结构的编程线相同的金属...

一种用于对非易失性存储（ＮＶＭ）单元（１１０）编程的方法，包括向在读期间用作源极的电流电极（１１８）施加渐增的电压。初始的编程源极电压导致相对较少量的电子注入存储层。由于相对低的初始电平，减少了横跨栅极电介质的垂直场。由于建立减少垂直场...

一种存储器（１００），包括第一（１１６）和第二（１１８）读出放大器、第一逻辑门（１２０）、第一三态驱动器（１３０）以及锁存器（１８０）。第一读出放大器（１１６）耦连到第一局部数据线并且具有用于将指示所选存储单元的状态的信号提供到第一局部...

提供一种存储器件（１８）以及该存储元件（１８）中的方法，其中该存储元件具有第一数据存储节点（７０）和第二数据存储节点（６０），并且其中第一数据存储节点通过第一传输晶体管（５０）与位线连接，并且其中第二数据节点通过第二传输晶体管（４０）与...

能被优化以用于数据保持能力或耐擦写能力的非易失性存储器（ＮＶＭ）被分成部分（４０，４１），这些部分被优化用于一个部分（４０）或另一个部分（４１）的存储特性或可能某些其它存储特性。对于被分配以用于数据保持能力的部分（４０），存储单元（３２...

提供了一种集成电路器件（８００），其包括基板（８０１）、被配置为经历压力的传导线（８０７）、和在基板和电流线之间形成的磁隧道结（ＭＴＪ）内核（８０２）。传导线（８０７）被配置为响应于压力而移动，并且承载生成磁场的电流。ＭＴＪ内核（８０２...

一种具有非易失性存储器（ＮＶＭ）（１４）的集成电路（１０），包括阈值选择器（２８），它在编程／擦除循环的第一部分期间选择多个读电流／电压阈值中的第一读电流／电压阈值，并且它在所述编程／擦除循环的第二部分期间选择多个读电流／电压阈值中的第...

一种一次可编程（ＯＴＰ）存储器（１０）具有两比特单元（１４）以增加密度。每一单元（１４）具有两个选择晶体管（２０、２４）以及串联在这两个选择晶体管之间的可编程晶体管（２２）。所述可编程晶体管（２２）具有两个独立的存储位置（２２）。一个位...

提出了一种低成本技术，用于改进光盘驱动器的性能。使用一种算法来对电机激励器去耦，由此补偿对激励器（３０８、３１０）控制的不准确性。可以使用类似方法来对位置传感器（３１６）去耦。现有技术方法将聚焦、寻轨和拖运控制环路之间的交叉耦合视为噪声...

提供电路（１００）对输入的无线信号进行陷波。该电路包括：接收输入信号并产生在陷波频率上有降低的功率的陷波信号（３２０）的陷波机制（１１０），该陷波频率是响应于陷波控制信号可调节的；检测陷波信号（３２５）的信号参数的陷波参数检测器（１６５...