一种发光器件包括n型半导体材料的第一层、p型半导体材料的一第二层以及介于该第一层与该第二层之间的一源层。光耦合结构被布置为与该第一层和该第二层中的一个相邻。在某些情况中，该光耦合结构被布置为与该第一层相邻。该光耦合结构内形成延伸至该第一...

一种蓝光LED具有透明基板以及位于基板背面上的反射器结构。反射器结构包括具有配置成反射黄光以及蓝光的层的分布式布拉格反射器（DBR）结构。在一个范例中，DBR结构包括其中层的厚度较大的第一部分，且包括其中层的厚度较小的第二部分。总体的反...

共晶金属层(例如金/锡)将载体晶圆结构接合至装置晶圆结构。在一个范例中，装置晶圆结构包括硅基板，外延LED结构设置于硅基板上。在外延LED结构上设置银层。载体晶圆结构包括覆盖有粘合层的导电硅基板。银层与共晶金属层之间提供有非反应性阻障金...

本发明提供一种发光装置，所述发光装置包括n型半导体材料的第一层、p型半导体材料的第二层、以及在第一层与第二层之间的有源层。光耦合层与第一层和第二层中的一个相邻。在某些情况下，通过对发光装置的缓冲层进行粗糙化来形成光耦合层。所述发光装置包...

一种竖直的基于GaN的蓝光LED具有n型GaN层，n型GaN层直接生长于低电阻层(LRL)上，而低电阻层(LRL)生长于硅基板之上。在一个范例中，LRL为具有厚度小于300nm的周期的低方块电阻GaN/AlGaN超晶格。在超晶格上生长n...

本发明公开了一种光源以及制造该光源的方法。该光源包括导电衬底，以及分成区段的发光结构。该发光结构包括：由具有第一导电类型的半导体材料组成的第一层，其沉积在该衬底上；活性层，其位于该第一层上方；以及由具有与该第一导电类型相反的导电性的半导...

一种发光装置包括发光部件，例如具有由硅衬底支撑的活性材料层的GaN?LED，其中该衬底可以为生长衬底或附着的衬底。磷光体可以相对于该发光部件设置以吸收主要发射光并产生次要发射光，其中可以相对调整或选择该次要发射光使两者的组合能产生所期望...

本发明涉及具有改进电极构造的发光设备，所述设备包括：第一半导体层和第二半导体层；位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的发光层；位于所述第一半导体层上的第一电极图案层；以及位于所述第二半导体层上的第二电极图案层，其中，所述第二电极图...

通过在硅晶圆上生长外延LED结构制成的竖直GaN基LED。加入银层并且使其退火以承受大于450℃的温度。提供阻挡层（例如Ni/Ti），在温度高于450℃下，其效用可持续五分钟，防止接合金属扩散进入银层。然后，使用在大于380℃下熔化的高...

一种竖直的基于GaN的蓝光LED，具有n型层，n型层包括多个导电介入层。n型层包括多个周期。n型层的每一周期包括氮化镓(GaN)子层及薄导电的氮化镓铝(AlGaN:Si)介入子层。在一个范例中，每一氮化镓子层的厚度基本超过100nm且小...

一种发光二极管(LED)，包括：n型III-V族半导体层、与所述n型III-V族半导体层相邻的有源层、以及与所述有源层相邻的p型III-V族半导体层。所述有源层包括一或多个V凹点。所述p型III-V族半导体层的部分在所述V凹点中。在所述...

一种发光装置包括：具有n型III-V族半导体的第一层；与所述第一层相邻的第二层，所述第二层包括在电子与空穴复合时生成光的有源材料。在某些例子中，所述有源材料具有密度在大约1个V凹点/μm2与30个V凹点/μm2之间的一个或多个V凹点。所...

一种横向接触蓝光LED器件包含设置在绝缘衬底之上的PAN结构。衬底可为蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底上生长GaN模板层。PAN结构包括n型GaN层、包含铟的发光有源层以及p型GaN层。n型GaN层具有至少500nm的厚度。低电阻层(LRL)设...

一种用于形成发光器件的方法，包括形成具有多个层的缓冲层，所述多个层包括衬底、与衬底相邻的氮化铝镓层以及与氮化铝镓层相邻的氮化镓层。在多个层中的每一层的形成期间，选择一个或多个工艺参数，使得多个层中的个体层受到应变。

用于制造用于发光二极管（LED）的晶体GaN的硅晶片，其包括硅基材、氮化铝（AlN）缓冲层及GaN上层。所述硅晶片具有至少200毫米的直径以及Si(111)1×1表面。所述AlN缓冲层覆盖所述Si(111)表面。所述GaN上层位于所述缓...