实施方式涉及半导体装置及其制造方法。本实施方式的半导体装置具备：第一电极；第一导电型的第一半导体层，与所述第一电极连接，包含硅及碳；第二导电型的第二半导体层，配置于所述第一半导体层上的一部分，包含硅及碳；第一导电型的第三半导体层，配置于...

本发明的实施方式涉及半导体集成电路。有关本实施方式的半导体集成电路具有：开关电路(SW5)，根据电压(VG5)输出或切断电压(VIN5)；开关电路(SW12)，根据电压(VG12)输出或切断电压(VIN12)；修正电路(12)，将电压(...

本发明的实施方式涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具有底座部、半导体元件及连接器。半导体元件具有与底座部电连接的第一电极、以及设置于在第一方向上与所述第一电极对置的面上的第二电极。连接器具有第一连接部以及引线部...

本实施方式涉及半导体装置。本实施方式的半导体装置具备基板、受光元件、开关元件及发光元件。所述基板具有树脂基材和所述树脂基材的第一面上的第一至第三金属焊盘。所述受光元件具有：背面，经由第一连接部件与所述第一、第二金属焊盘及所述第一、第二金...

本发明的实施方式提供一种DCDC电路，能够提高转换效率。实施方式的DCDC电路具备电容器网、第1线圈、第2线圈、以及连接在上述第1线圈的另一端及上述第2线圈的另一端与基准电位点之间的平滑用电容器，上述电容器网通过上述多个开关而具有：第1...

提供能够提高记录密度的磁记录装置。根据实施方式，磁记录装置包括磁头和控制部。磁头包括第1磁极、第2磁极、设置在第1磁极与第2磁极之间的磁元件、和线圈。控制部与磁元件和线圈电连接。控制部能够进行记录动作。在记录动作中，控制部在对磁元件施加...

实施方式涉及一种半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第一端子、第二端子、第三端子、在温度满足条件的情况下输出第一电平的信号的第一电路、以及通过经由上述第一端子供给的电压被驱动的在上述第一电路输出上述第一电平的上述信号的情况下将上述第二...

提供可靠性提高了的磁头及磁盘装置。根据实施方式，磁头具备：滑块，具有空气支承面、流入端及在第1方向上从所述流入端分离的流出端，所述空气支承面包括成为压力产生面的多个最上表面和高度与最上表面不同的其它的多个面；及头部，设置于滑块的流出端。...

本发明的实施方式涉及一种半导体装置。根据一个实施方式，半导体装置具备第1电极、n形的第1半导体区域、p形的第2半导体区域、n形的第3半导体区域、栅极电极、以及第2电极。第1半导体区域设置在第1电极上。第2半导体区域设置在第1半导体区域上...

提供能够进行高精度的数据处理的数据处理装置、数据处理系统以及数据处理方法。根据实施方式，数据处理装置包括处理部。处理部能够在第1动作中根据基于第1取得数据和第1其他数据的第1生成数据来生成第1机器学习模型。第1其他数据包括Np行D1列的...

本发明提供一种光检测装置，具备配置成阵列状的多个单元区域以及设置在单元区域之间的元件分离区域，其中，单元区域包括：半导体层，具有第1面以及与第1面对置的第2面；第1导电型的第1半导体区域，设置在半导体层中；第2导电型的第2半导体区域，设...

半导体装置具备：在碳化硅层的第1面侧沿第1方向延伸的沟槽；沟槽内的栅极电极；在碳化硅层中沿第1方向依次配置的第1导电型第1碳化硅区域、第2导电型第2碳化硅区域、第1导电型第3碳化硅区域、第4碳化硅区域；在第1至第4碳化硅区域与第1面之间...

一实施方式的半导体装置有第一电极、第一导电型的第一半导体区域、导电部、第二导电型的第二半导体区域、第一导电型的第三半导体区域、栅极电极和第二电极。第一半导体区域设于第一电极上，与第一电极电连接。导电部在第二、及第三方向上设有多个，分别经...

提供在具备两级致动器的盘装置中也能实现与致动器的性能、外部振动的方向的变动等相适应的外部振动抑制功能的盘装置。盘装置检测来自外部的振动，生成基于了该振动和系数的第1致动器修正量。另外，盘装置算出基于了致动器(3)的操作量和第1致动器修正...

提供性能高的磁盘装置。磁盘装置具备的多个控制芯片分别具备缓存控制电路和仲裁电路，对多个致动器系统中的一个致动器系统进行控制。第1控制芯片经由第1控制芯片所具备的缓存控制电路而连接于缓冲存储器，并且，连接于第2控制芯片。第2控制芯片连接于...

实施方式提供能够效率良好地发送数据的发送装置、接收装置、发送方法以及接收方法。根据实施方式，发送装置对包括多个输入输出端子的接收装置发送对多个输入输出端子的输入输出功能进行指定的设定数据。设定数据包括多个输入输出端子所共用的第1数据和多...

实施方式的碳化硅半导体装置包括：第一电极；第二电极；第一半导体层，设置在第一电极与第二电极之间，包括碳化硅；包括碳化硅的第一导电型的多个第一半导体柱区域；包括碳化硅的第二导电型的第二半导体柱区域。第一半导体柱区域设置在第一半导体层与第二...

实施方式提供一种能够抑制半绝缘性膜的导电率的上升的半导体装置和半导体装置的制造方法。根据一个实施方式，半导体装置具有半导体层、导电膜、第一绝缘膜以及第二绝缘膜。半导体层具有设置有半导体元件的元件区域和包围所述元件区域的末端区域。导电膜设...

提供磁头的定位误差的修正精度高的磁盘装置。磁盘装置具备磁盘、磁头、温度传感器以及控制器。在磁盘形成有伺服扇区，该伺服扇区记录有包括第1后导码和第2后导码的伺服数据。控制器在磁头的定位中，使用基于第1后导码和第2后导码以及第1温度的第3后...

一个实施方式提供能够适当地驱动开关元件的驱动器电路以及电力变换系统。根据一个实施方式，提供具有驱动电路、监视电路以及控制电路的驱动器电路。驱动电路包括第1电流源。驱动电路将第1电流源连接于开关元件的控制端子，对开关元件进行驱动。监视电路...