在SiC芯片(40)的制造方法中，进行去除产生在SiC芯片(40)的表面及其内部的加工变质层的加工变质层去除工序，制造去除了至少一部分该加工变质层的SiC芯片(40)。在加工变质层去除工序中，通过在Si蒸气压力下进行加热，对研磨工序后的...

本发明提供一种C/C复合材料，在用于离子发动机用栅格时，在实现轻量化的同时，能够以高水平兼顾耐腐蚀性与加工性。一种C/C复合材料，用于离子发动机用栅格，所述C/C复合材料由完全开纤型的碳纤维无纺布构成，且构成所述碳纤维无纺布的碳纤维是沥...

本发明提供一种可简便地制造

本发明提供一种在包含加热工序以及冷却工序的环境中实现长寿命且不易对周边设备或被处理物的品质造成不良影响的C/C复合材料。C/C复合材料在借助水银孔率法的开气孔测定中，气孔半径0.4μm以上且小于10μm的开气孔率为2.0％以下。率为2....

提供一种在不使用聚合物的情况下利用简便的制造方法而Pt(220)面的衍射波峰强度的比例高且耐氧化性也优异的负载铂催化剂。本发明的负载铂催化剂包含碳载体、以及负载于所述碳载体上的铂微粒子，所述铂微粒子中，相对于通过X射线衍射而获得的(11...

在器件制作用晶圆(43)的制造方法中，对在SiC晶圆(40)上形成有单晶SiC的外延层(41)的SiC外延晶圆(42)，进行使存在于该SiC外延晶圆(42)的外延层中的基面位错密度降低的基面位错密度降低工序，而制造为了制作半导体器件而使...

本发明提供能够提高从晶片制作的半导体芯片的成品率的、不易产生缺口(缺损)，且寿命长的基座。具有载置晶片(10)的凹陷部(2)的基座，其中，凹陷部(2)中的至少一个具有：支承晶片(10)的多个支承部(3)；与晶片(10)的侧面(10a)接...

在SiC芯片(40)的制造方法中，进行去除产生在SiC芯片(40)的表面及其内部的加工变质层的加工变质层去除工序，制造去除了至少一部分该加工变质层的SiC芯片(40)。在加工变质层去除工序中，通过在Si蒸气压力下进行加热，对研磨工序后的...

本发明所要解决的技术问题在于：提供一种微生物容易附着于微生物固定化载体并且能够降低微生物固定化载体的制造成本和使用微生物固定化载体的装置的运行成本的微生物固定化载体。本发明解决技术问题的技术方案的微生物固定化载体的特征在于，其为含有碳成...

本发明的目的在于，提供一种抑制孔结构变化并且能够改变官能团的种类、官能团的量或官能团的比例的多孔碳的制造方法。该多孔碳的制造方法的特征在于，包括：第一步骤，烧制含有成为碳源和铸模源的物质的材料，制作碳烧制体；和第二步骤，将上述碳烧制体浸...

在改性SiC晶片(41)的制造方法(SiC晶片的表面处理方法)中，且于制造改性SiC晶片(41)的方法中进行以下的表面改性工序，其中，该改性SiC晶片(41)，处理形成外延层(42)之前的处理前SiC晶片(40)而将表面改性。也就是说，...

片状复合体(201)具有：膨胀石墨片基材(210)、和在膨胀石墨片基材(210)的端面的至少一部分形成的不透气性的树脂层(220)。

提供一种在利用溶液生长法使单晶碳化硅生长的情况下，制造高纯度的单晶碳化硅的方法。本制造方法中，在通过溶液生长法使外延层在至少表面由SiC组成的种子材料上生长而制造单晶碳化硅的方法中，以利用二次离子质谱分析法量测的杂质浓度变得非常低的方式...

加热处理容器(1)具备支撑部件(6)，该支撑部件(6)在蚀刻处理对象物即圆板状的SiC基板(2)时支撑该SiC基板(2)。支撑部件(6)具有用以支撑SiC基板(2)的下面的端缘(2E)的倾斜面(6F)，该倾斜面(6F)以随着越朝下方越靠...

本发明的目的在于提供即使用于空气电池用正极等时也能够抑制溶胀的膨胀石墨片材及使用该膨胀石墨片材的电池。该膨胀石墨片材的特征在于，含有膨胀石墨、表面的水接触角为90°以上且表面电阻率为70mΩ/sq以下，优选在膨胀石墨片材中分散含有聚烯烃...

提供一种根据收容容器的组成而控制碳化硅基板的蚀刻速度的方法。本发明的蚀刻方法，通过在将碳化硅基板收容于坩埚的状态下且在Si蒸汽压下进行加热，而对碳化硅基板进行蚀刻。坩埚被构成为包含钽金属，并在比该钽金属靠内部空间侧设置有碳化钽层，且在比...

提供一种碳化硅基板处理方法，该方法对于形成有沟槽(41)的碳化硅基板(40)，一边防止表面产生粗化一边使离子活化。通过进行在Si蒸气压下加热碳化硅基板(40)的离子活化处理，使注入于碳化硅基板(40)的离子活化，并进行蚀刻而将表面加工平...

通过混合碳粉和粘合剂制作碳质材料。对于制得的碳质材料混合10重量％以上60重量％以下的金属粉。对混合后的碳质材料和金属粉进行加压和成型。对加压和成型后的碳质材料和金属粉进行烧制，制作刷基材。在制得的刷基材中含浸油。相对于混合后的碳质材料...

本发明提供一种在晶片上形成薄膜时，能够抑制杂质等附着于晶片的基座及其制造方法。该基座的特征在于，具备：具有凹部(11)的基材(10)、直接形成在凹部(11)的底面(11a)和侧面(11b)上的碳化钽层(22)、和形成在凹部(11)以外的...

本发明通过对碳粉和粘合剂进行混揉而制作碳质材料，碳质材料的平均粒径成为0.3mm以上的方式进行碳质材料的颗粒制造，通过将颗粒制造后的碳质材料与金属粉混合而制作电刷材料，金属粉的相对于电刷材料的总量的比例被调整为1重量％以上30重量％以下...