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东莞市广信知识产权服务有限公司专利技术
东莞市广信知识产权服务有限公司共有102项专利
一种硅基硅锗漂移层LDMOSFET器件结构制造技术
本发明公布了一种硅基硅锗漂移层LDMOSFET器件结构,其包括:一P型硅基半导体沟道层,一N型掺杂的硅基半导体层,一重N型掺杂的硅基半导体接触层,一N型掺杂的硅锗半导体漂移层,一个深度到P型沟道层的100纳米长的栅槽,一在该栅槽内沉积的...
一种金刚石与GaN晶圆片直接键合的方法技术
本发明公布了一种金刚石与GaN晶圆片进行直接键合的方法,该方法包括如下步骤:(1)对金刚石和GaN表面进行有机清洗、RCA清洗;(2)对GaN表面进行O
一种GaAs基PMOS器件制作方法技术
本发明公开了一种砷化镓PMOS器件的制作方法。其制作步骤依次是:在半绝缘砷化镓衬底(101)上生长100纳米厚度的N型掺杂的砷化镓沟道层(102);在N型掺杂砷化镓沟道层(102)上生长1纳米厚度磷化镓界面层(103);在磷化镓界面层(...
一种硅纳米线的制作方法技术
本发明公布了一种硅纳米线的制作方法,其主要步骤为:一硅半导体材料衬底;一硅锗半导体牺牲层;一硅沟道层;一硅锗欧姆接触层;在该外延晶圆片上生长SiO
一种硅基锗沟道MOS器件的制作方法技术
本发明公开了一种硅基锗沟道MOS器件的制作方法,其步骤如下:在硅基半导体上形成50纳米宽的槽状结构;在硅槽中制作SiNx侧墙结构;在硅槽中制作SiO
一种Ge的N型欧姆接触制作方法技术
本发明公布了一种锗基N型欧姆接触源漏电极的制作方法,该方法的步骤如下:在重掺杂的N型锗半导体上定义出欧姆接触区与非欧姆接触区;在欧姆接触区蒸发金属镍锡金属,并进行剥离工艺;然后进行合金工艺,使得镍锡与N型锗半导体形成半金属化合物;最后制...
一种防止老人走失的智能报警系统技术方案
本发明公布了一种防止老人走失的智能报警系统。该系统包括:位于老人鞋底的压力传感单元和信号传输单元,以及位于陪同者手机上的智能感知单元。该系统可通过在老人走路时传输压力信号和距离信号告知陪同者,在距离很远时,提供报警功能和老人定位功能。
一种用于仓库管理的一体式信息采集设备制造技术
本发明公开了一种用于仓库管理的一体式信息采集设备,包括仓库、二维码扫描器、计算机端、摄像头、人体感应报警器、打印机、网络数据库、蓄电池和室外太阳能电池板,所述仓库内包括大流动性物品存放区、小流动性物品存放区、危险物品存放区和搬运通道,所...
一种发光再生纤维素纤维制造技术
本发明公开了一种发光再生纤维素纤维,其制备方法主要为:利用竹片制备再生竹纤维,然后将之溶于透明纤维素溶剂中,再加入碳纳米管,其后利用单向冷冻干燥技术得到具备单向定向孔的碳纳米管/纤维素复合材料,将所述碳纳米管/纤维素复合材料浸入荧光溶液...
一种长效留香再生纤维素纤维制造技术
本发明公开了一种长效留香再生纤维素纤维,其制备方法主要为:利用竹片制备再生竹纤维,然后将之溶于透明纤维素溶剂中,再加入碳纳米管,其后利用单向冷冻干燥技术得到具备单向定向孔的碳纳米管/纤维素复合材料,将所述碳纳米管/纤维素复合材料浸入含香...
一种制鞋用鞋底成型装置制造方法及图纸
本发明提供一种制鞋用鞋底成型装置,属于制鞋技术领域。所述制鞋用鞋底成型装置,包括下模,上模,下模上开有用于鞋底成型的模腔,还包括微控制器、温度传感器和设置在下模下方的下保温座。所述温度传感器设置在模腔中,感应模腔的温度并将信号传递给微控...
一种废旧手机的回收处理方法技术
本发明公开了一种废旧手机的回收处理方法,该废旧手机的回收处理方法具体步骤如下:S1:废旧手机的收集;S2:清洗;S3:拆解;S4:塑料回收;S5:废旧锂电池中铜片的回收;S6:二次粉碎处理;S7:分离;S8:电路板粉碎;S9:电路板有色...
一种自发电照明的登山手杖制造技术
本发明公布了本发明公布了一种可以自发电照明的登山手杖,其结构包括手杖柄、手杖杆、手杖底部;其中手杖柄处设置有存储电池和白色照明LED灯,在手杖底部设置有压电转换储能装置和红色LED灯。该手杖依靠底部压电转换装置发电,并将电能存储在存储电...
一种多功效保暖内衣的制备方法技术
本发明公开了一种多功效保暖内衣的制备方法,包括如下步骤:先将棉纤维预处理,然后浸入含Fe
一种长效磁疗保暖内衣的制备方法技术
本发明公开了一种长效磁疗保暖内衣的制备方法,包括如下步骤:先将棉纤维预处理,然后浸入含有Fe
一种GaAs基PMOS界面结构制造技术
本发明公布了一种GaAs基PMOS界面结构,其结构依次为:一N型掺杂的砷化镓沟道层,一在砷化镓沟道层上生长的N型掺杂的In0.51Ga0.49P界面层;一在该In0.51Ga0.49P界面层上生长的4纳米厚度的Al2O3介质层;一在该A...
一种硅基锗纳米鳍状结构制造技术
本发明公开了一种硅基锗纳米线结构,该结构包括:一硅基衬底,一氧化硅槽,一在该氧化硅槽中形成的氮化硅侧墙结构;一在该氧化硅槽中生长的硅锗/锗材料生长层;一在硅锗层材料上生长的高质量锗沟道层。
一种柔性互连金属的制备方法技术
本发明公布了一种柔性互连金属的制备方法,其步骤包括:第一步在基板上涂覆一层正胶,并进行光刻,光刻出凹凸不平的结构;第二步:溅射金属钛/金;第三步:在金属上涂覆AZ胶,光刻出互连金属线条;第四步:蒸发镍/金两层金属;第五步:剥离顶层光刻胶...
一种硅锗基MOS表面处理与介质生长方法技术
本发明公布了一种硅锗MOS界面钝化处理方法,其步骤如下:(1)采用常规的RCA清洗对硅锗表面进行清洗;(2)采用稀氨水溶液对硅锗表面进行清洗2分钟,去离子水清洗,采用硫化铵溶液对硅锗表面进行钝化;(3)将硅锗样品片放入原子层沉积腔体生长...
一种监控老人摔倒的电子传感系统技术方案
本发明公布了一种监控老人摔倒的电子传感系统,该系统由感知单元、信息传送单元、信息分析与报警单元组成;并将这三个单元分布在老人身体各处。本监控系统通过感知单元中的信息变化判断老人在走路过程中是否摔倒,从而起到监控的作用。
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