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东莞博用电子科技有限公司专利技术
东莞博用电子科技有限公司共有30项专利
一种集成电路高压引脚连通性测试方法技术
本发明公开了一种集成电路高压引脚连通性测试方法,包括以下步骤:除连接在集成芯片内部的MOS管衬底body的待测引脚端口PIN外,其它引脚端口PIN都接地;在待测端口PIN加负电流,测试其对地电压V。本发明的方法能够完成对芯片高压引脚的连...
一种基于硬件的功率因素校正装置和方法制造方法及图纸
本发明公开了一种基于硬件的功率因素校正装置和方法,包括一个PFC模块,将复杂的PFC算法硬件化为微控制器的一个独立外设,配合专门的调试工具,开发人员只需配置参数,无需编程就可实现PFC功能,大大降低PFC应用的技术门槛,缩短开发时间,而...
一种消除模数转换电路系统误差的方法技术方案
本发明公开了一种消除模数转换电路系统误差的方法,包括以下步骤:S1,在常规的包括模拟信号采样保持模块和模数转换器ADC的模数转换电路系统的基础上,计算出ADC的共模电压VCOM;S2,将模数转换器ADC的共模电压VCOM作为输入量输入给...
一种低THD及电流控制精度高的AC-LED驱动电路制造技术
本发明公开了一种低THD及电流控制精度高的AC-LED驱动电路,其包括整流桥、电流控制模块、电源相位/幅值监测模块、参考电压波形生成模块、参考电压幅值调整模块、电流监测模块、电压基准模块。在工作时,因此,本发明可以使LED模块驱动电流与...
一种可实现电压信号无损失传递的模拟开关电路制造技术
本发明公开了一种可实现电压信号无损失传递的模拟开关电路,其包括NMOS管N1、NMOS管N2、NMOS管N3、NMOS管N4、NMOS管N5,PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3,电容C0,传输门SW0,非门NG1、非门NG2...
一种应用在LED交流驱动芯片中的抗开关冲击电路制造技术
本发明公开了一种应用在LED交流驱动芯片中的抗开关冲击电路,其包括整流桥、开关、电阻、若干个LED模块、若干个与若干个LED模块对应的启动通道;启动通道包括运算放大器、功率管,运算放大器的同相输入端为启动通道的参考电压端,运算放大器的输...
一种可实现交流驱动LED全周期完全恒流的电路制造技术
本发明公开了一种可实现交流驱动LED全周期完全恒流的电路,其包括用于将输入的交流电整流为直流电的整流桥,逻辑控制电路,若干个与每颗LED对应的恒流装置、开关、二极管;在工作时,本发明的逻辑控制电路可以根据整流桥输出端电压的变化而产生控制...
输入电压阈值自适应控制的部分有源功率因数校正电路制造技术
本发明公开了一种输入电压阈值自适应控制的部分有源功率因数校正电路,其包括双环控制的boost升压电路、电压误差放大器、乘法器、电流误差放大器、选定输入电压采样信号阀值模块、输入电压采样信号采样阈值判断模块、PWM波形生成模块、以及PWM...
一种低功耗产生与电源恒定压差的电压源电路制造技术
本发明公开了一种低功耗产生与电源恒定压差的电压源电路,其包括齐纳二极管、电容、PMOS管、恒流源,齐纳二极管的阴极、电容的一端均与电源电压输入端连接;电容的另一端与PMOS管的漏极连接,且电容的另一端为电压输出端;齐纳二极管的阳极、PM...
一种应用于交流驱动LED的高压LEVELSHIFT电路制造技术
本发明公开了一种应用于交流驱动LED的高压LEVELSHIFT电路,其包括NMOS管、上拉电阻、齐纳二极管单元、限流电阻;上拉电阻一端、齐纳二极管单元的阴极端、高压PMOS管的源极均与高压端连接,上拉电阻另一端、齐纳二极管单元的阳极端、...
一种提高ADC采样速率的电路系统拓扑结构及方法技术方案
本发明公开了一种提高ADC采样速率的电路系统拓扑结构及方法,其中的一种提高ADC采样速率的电路系统拓扑结构,包括模拟信号预处理模块、若干个通道的模拟信号采样保持模块、零传输损耗模拟开关、模拟信号驱动模块及模数转换器;所述模拟信号预处理模...
一种输入电压阈值控制的部分有源功率因数校正电路制造技术
本发明公开了一种输入电压阈值控制的部分有源功率因数校正电路,其包括双环控制的boost升压电路、电压误差放大器、乘法器、电流误差放大器、输入电压采样信号采样阈值判断模块、PWM波形生成模块、以及PWM驱动IC。在基于双环控制的boost...
一种芯片升级的自适应方法技术
本发明公开了一种芯片升级的自适应方法,包括以下步骤:S1,上位机发送8’h55波特率校准码给芯片,芯片接收上位机发送的波特率校准码8’h55;S2,芯片从START位的下降沿以从机主频开始计数,到第五个下降沿停止;S3,芯片计数8个bi...
一种实用的电平转换电路制造技术
本发明公开了一种实用的电平转换电路,其包括电流漏电路、施密特触发器、PMOS管MP1、PMOS管MP2、NMOS管MN1;其中,本发明的PMOS管MP1与PMOS管MP2构成电流镜,可使施密特触发器输入端的电位上拉到逻辑高电平VDD1,...
一种应用于集成电路的高压取电电路制造技术
本发明公开了一种应用于集成电路的高压取电电路,其包括场效应管J0、用于限流的电阻R、用于稳压的齐纳二极管Z0、MOS管N0、用于稳压的电容C、输出电压端Vreg;场效应管J0漏极与高压VPP连接,电阻R另一端、齐纳二极管Z0阴极均与MO...
一种基于硬件的磁场定向控制(FOC)装置和方法制造方法及图纸
本发明公开了一种基于硬件的磁场定向控制(FOC)装置和方法,将复杂的电机矢量控制算法硬件化,作为微控制器的一个外设,配合专门的调试工具,开发人员只需配置参数,无需编程就可实现对电机的矢量控制。本技术会大大降低电机控制应用的技术门槛,大大...
一种带钳制脉宽限制及自动移相的脉宽调制装置和方法制造方法及图纸
本发明公开了一种带钳制脉宽限制及自动移相的脉宽调制装置和方法,为带钳制脉宽限制及自动移相的脉宽调制装置和方法,通过软件在初始化时,配置一个电流采样时间寄存器,所述脉宽调制装置在采样触发判断电流桥导通状态变化点过近,自动调整对应通道的导通...
一种自适应的编码器测速装置和方法制造方法及图纸
本发明公开了一种自适应的编码器测速装置和方法,包括一个QEP模块,将将电机解码和速度计算算法(QEP)硬件化为微控制器的一个独立外设,配合专门的调试工具,开发人员只需配置切换点速度之类的参数,无需很复杂的操作即可实现电机速度计算与控制的...
一种带限幅的脉宽调制装置和方法制造方法及图纸
本发明公开了一种带限幅的脉宽调制装置和方法。通过软件在初始化时,配置一对占空比的限制寄存器limit_high和limit_low。一旦系统初始计算出的值即duty寄存器值超出这两个值的限定范围,脉宽调制装置自动将占空比值调整到最大li...
一种用于LED交流驱动高压芯片的封装结构制造技术
本发明公开了一种用于LED交流驱动高压芯片的封装结构,其包括呈矩形的芯片本体,芯片本体的背面设置有多个超高压引脚、多个高压引脚、多个低压引脚,其中,超高压引脚之间的间距、高压引脚之间的间距、超高压引脚与散热片之间的间距、高压引脚与散热片...
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