本发明提供一种改进的等离子体源配置，包括具有源的真空室。介电构件与真空室连通并被等离子体源包围。在破膜器和介电构件之间形成高纵横比间隙。高纵横比间隙。高纵横比间隙。

本发明提供了一种在复合膜上切割衬底的方法。该方法包括提供具有支撑膜、框架和衬底的工件。衬底具有顶表面和底表面。衬底的顶表面具有至少一个管芯区域和至少一个切割道区域。复合膜附着到衬底并且附着到支撑膜。从所述至少一个切割道区域中去除衬底材料...

本发明涉及一种在复合膜上切割衬底的方法。提供了一种具有支撑膜、框架和衬底的工件。所述衬底具有顶表面和底表面。所述衬底的顶表面具有至少一个管芯区域和至少一个切割道区域。所述复合膜介于所述衬底和所述支撑膜之间。使用衬底蚀刻处理从所述至少一个...

本发明提供了一种用于对衬底(100)进行等离子体划片的方法。该衬底设置有顶表面和底表面，衬底的顶表面具有多个街区(120)和至少一个器件结构(110)。该衬底被放置到框架(310)上的支撑膜(300)上以形成工件(320)。提供了具有等...

本发明提供了一种用于对衬底进行等离子体处理的方法，该方法包括：提供具有壁的处理室；提供与处理室的所述壁相邻的等离子体源；在处理室内提供工件支撑件；将工件加载到工件支撑件上，该工件具有支撑膜、框架和所述衬底；在衬底上提供至少两个切割区域，...

本发明提供一种用于对衬底进行等离子体切片的方法。所述方法包括：提供具有壁的处理室；邻近于处理室的壁提供等离子体源；在处理室内提供工件支撑件；将衬底放置在载体支撑件上以形成工件；提供置于衬底与框架之间的中间环；将工件装载到工件支撑件上；通...

本发明提供一种用于对衬底进行等离子体切片的方法，所述方法包括：提供具有壁的处理室；邻近所述处理室的壁提供等离子体源；在所述处理室内提供工件支撑件；将工件放置到所述工件支撑件上，所述工件具有支撑膜、框架和衬底；将所述工件装载到所述工件支撑...

本发明提供了一种用于对衬底进行等离子切片的方法。该方法包括：提供具有壁的处理室；邻近处理室的所述壁提供等离子体源；在处理室内提供工件支撑件；将衬底放置到框架上的支撑膜上以形成工件；将工件装载到工件支撑件上；提供夹持电极以用于将工件静电夹...

本发明提供了一种用于对衬底进行等离子体处理的方法。该方法包括：提供具有壁的处理室；邻近处理室的所述壁提供等离子体源；在处理室内提供工件支撑件；将工件装载到工件支撑件上，该工件具有支撑膜、框架和衬底；在工件上方提供盖环，该盖环具有至少一个...

本发明提供了一种用于对基板进行等离子切割的方法。所述方法包括：提供具有壁的处理室；提供与所述处理室的壁相邻的等离子源；在所述处理室内提供升降机构；在所述处理室内提供工件支架，所述工件支架具有静电吸盘，所述静电吸盘具有外径，所述静电吸盘的...

本发明提供了一种用于对基板进行等离子切割的方法。所述方法包括：提供具有壁的处理室；提供与所述处理室的壁相邻的等离子源；在所述处理室内提供工件支架；提供基板，所述基板被安装在框架上的支撑膜上以形成工件；在所述工件支架内提供静电吸盘；将所述...

本发明提供了一种用于对基板进行等离子切割的方法，包括：提供具有壁的处理室；提供与所述处理室的壁相邻的等离子源，该等离子源在所述处理室中产生等离子；在所述处理室内提供工件支架；将基板放置到框架上的支撑膜上以形成工件；在工件支架内提供升降机...

本发明提供了一种用于切割具有背衬金属的基材的方法，所述方法包括下列步骤。所述基材提供有第一表面和第二表面，其中所述第二表面与所述第一表面相对。在所述基材的第一表面上提供掩模层，并在所述基材的第二表面上提供薄膜层。经过所述掩模层切割所述基...

本发明提供一种用于对基板进行等离子切割的方法。所述方法包括：提供基板；提供具有壁的处理室；提供与所述处理室的壁相邻的等离子源；在所述处理室内提供工件支架；将基板放置到框架上的支撑膜上以形成工件；将所述工件加载到所述工件支架上；通过所述等...

本发明提供了一种用于对基板进行等离子切割的方法。所述方法包括：提供转移臂；提供具有壁的处理室；提供与所述处理室的壁相邻的等离子源；在所述处理室内提供工件支架；在所述工件支架内提供升降机构；将基板放置到所述框架上的支撑膜上以形成工件；使用...

本发明提供了一种在沉积期间确定薄膜的厚度的方法。设置目标膜厚度。将基片放置在沉积系统内。在沉积系统内将薄膜沉积到基片上。在薄膜的沉积期间使用标准OEI技术监测在多个波长下从基片反射的辐射。监测从所反射的辐射得出的值。检测得出的值处于目标...

本发明提供一种用于对基板进行等离子切割的方法。所述方法包括：提供具有壁的处理室；提供与所述处理室的壁相邻的等离子源；在所述处理室内提供工件支架；将基板放置到所述框架上的支撑膜上以形成工件；将所述工件加载到所述工件支架上；提供布置在所述工...

本发明提供了一种用于衬底处理系统的改进的静电吸盘。所述静电吸盘包括：主体，其具有被构造成支撑衬底的顶表面；电源，其用于向主体施加电压；以及密封环，其位于主体和衬底之间，其中密封环具有导电层。