陶瓷技术有限责任公司专利技术

陶瓷技术有限责任公司共有101项专利

  • 本发明涉及一种基于β‑塞隆以及15R‑塞隆的烧结成型体,所述烧结成型体作为切割材料相对于由镍基合金或耐热超合金(HRSA)构成的工件具有高的切割表现。为此示出陶瓷的烧结成型体,所述烧结成型体具有塞隆相和无定形的或部分结晶的晶界相。塞隆相...
  • 本发明涉及陶瓷基板,其包含:平均晶粒尺寸为1.31μm至1.55μm的氧化铝(AI2O3);平均晶粒尺寸为0.65μm至0.75μm的二氧化锆(ZrO2),氧化钇(Y2O3)和另外的组分。
  • 本发明描述一种用于置入到患者的颌骨中的牙齿植入物装置(1)。根据本发明的牙齿植入物装置(1)用于容纳假牙,并且包括使牙齿植入物与牙槽骨(即颌骨)连接的基体(3)、基台(2)和连接元件(51)。基体(3)和基台(2)分别具有耦联区域(14...
  • 本发明涉及用于压电陶瓷的沉淀硬化的方法和压电陶瓷
  • 本发明涉及核技术领域。一种用于储存、运输和处置固体放射性废物的容器,该容器包括由游离硅含量为3重量%至30重量%的反应烧结碳化硅制成的罐,其中罐的表面沉积有气相碳化硅层。罐的外层由金属泡沫制成,该金属泡沫的开孔率为60%至70%,并且孔...
  • 本发明涉及一种模块(1),其中经由馈电线施加大于1000V的电压和大于100A的电流,该模块具有电气绝缘的载体(2),具有材料厚度大于0.3mm的连接装置(3),该连接装置经由由第一端(23)和第二端(24)界定的金属化区域(4)与载体...
  • 本发明涉及两个部件的连接布置结构。根据本发明的两个部件(1、2)的连接布置结构(4、4')具有弯曲表面部分,所述弯曲表面部分在这些部件中的至少一个上具有接触点。例如,所述弯曲表面部分能够在凹槽的整个表面上延伸。所述另一部件具有渐缩部。当...
  • 本发明描述了用于在内修补术中的滑动配对件的植入物,其中,所述植入物具有带有外部面的外侧和内侧并且在所述内侧上构造有非半球形的滑动区域用于容纳球形的滑动搭配件。由此,用于所述植入物的高度尽可能小并且例如在骨盆骨中的不太深的铣削部是必须的,...
  • 本发明描述一种用于在内修补术中的滑动配对件的植入物,包括至少一个外罩,插入件、优选地陶瓷的插入件被引入到所述外罩中。所述插入件具有带有外部面的外侧和内侧,其中,在所述内侧上构造有非半球形的滑动区域用于容纳球形的滑动搭配件。为了使用于所述...
  • 本实用新型涉及一种工具系统(1),所述工具系统具有工具保持件(2),所述工具保持件具有用于接纳刀片(6)的刀片座(17),所述工具系统具有夹紧元件(4),所述夹紧元件具有用于接纳夹紧器件(15)的开口(26),其中在工具保持件(2)与夹...
  • 本发明涉及至少部分地由陶瓷泡沫构成的陶瓷部件在医学工程领域中的用途。
  • 本发明涉及一种工具系统(1),所述工具系统具有工具保持件(2),所述工具保持件具有用于接纳刀片(6)的刀片座(17),所述工具系统具有夹紧元件(4),所述夹紧元件具有用于接纳夹紧器件(15)的开口(26),其中在工具保持件(2)与夹紧元...
  • 公开了用于滑动轴承的陶瓷滑动配合体,所述滑动配合体至少部分,优选完全由陶瓷泡沫制成。该陶瓷滑动配合体包含至少一个滑动面,滑动配合体可在其上运动,其中所述滑动面至少部分,优选完全由陶瓷泡沫构成。
  • 本发明涉及一种构件(9),其由具有顶面(1b)和底面(1a)的第一陶瓷衬底(1)、陶瓷翅片冷却器或液体穿流的陶瓷冷却器组成,其中在顶面(1b)上施加金属化部(2),通过连接装置(3)来将电路(4)以自身的底面装配在金属化部上。为了通过具...
  • 工具系统(1),具有工具保持件(2),所述工具保持件具有用于容纳具有凹腔(7)的切割板(6)的板支座(17),具有夹紧元件(4),所述夹紧元件具有用于容纳夹紧器件(15)的开口(26)和突出部(5),具有机械机构(功能尺寸Fx),所述机...
  • 本发明涉及在陶瓷基材上的金属层。具体地,本发明涉及在陶瓷基材上制备可焊接和可钎焊的金属层用于电接触的方法以及具有这样的金属层的陶瓷基材。
  • 本发明涉及基于氧化锆的复合材料。具体地,本发明涉及一种含氧化锆基质的陶瓷复合材料以及其制备方法。
  • 本发明描述了一种用于在内修复术中的滑动副的陶瓷的嵌入件(1),其中嵌入件(1)具有外侧和内侧,且在内侧上构造有用于容纳球形的滑动配对件的半球形的滑动区域(2)。为了减小金属壳加上嵌入件的结构深度从而在盆骨中需要不太深的铣削,根据本发明建...
  • 本发明的主题是陶瓷复合材料、其制造和用途。本发明特别涉及基于氧化锆的复合材料、均匀、多相和多晶的陶瓷。
  • 在两侧冷却的电路
    本发明涉及一种构件(9),包括带有上侧(1b)和下侧(1a)的第一陶瓷基底(1),其中在上侧(1b)上施覆有镀金属结构(2),经由连接介质(3)将Si电路(4)以其下侧安装在该镀金属结构(2)上。为了使Si电路(4)通过带有较高热传导能...