本申请公开了一种带有靶盘扫描运动机构的离子注入机，涉及离子注入设备技术领域，本申请通过在靶盘上增设带状的软垫，使得带状软垫紧贴夹紧块距离晶圆最近的面上，并在带状软垫的两端设置滚筒，令滚筒转动连接在靶盘上；设置多个轴向与靶盘的厚度方向的换...

本技术涉及晶圆生产技术领域，具体涉及一种晶圆甩干设备智能感应式声音警报装置；本技术通过设置警报灯、蜂鸣器和控制电路，通过视觉和声音双重提醒方式，通过控制电路采集甩干设备的信号来判断甩干设备是否完成，待晶圆甩干设备甩干完成后，控制电路控制...

本申请公开了一种半导体电器元件晶圆加工酸洗装置，涉及半导体加工设备技术领域，通过利用多根套设有多个漏斗形块体的绳体将晶片篮中的晶圆定位并控制晶片篮脱离绳体所承载的晶圆，使得晶圆在悬空状态下进行酸洗与清水洗涤；实现了半导体电器元件晶圆加工...

本申请公开了一种用于辅助半导体晶圆清洗的晶圆加工装置，涉及半导体加工设备技术领域；本申请利用三根软杆相向移动夹紧固定晶圆，利用磁力限制软杆的移动，进而便于翻转的进行；实现了用于辅助半导体晶圆清洗的晶圆加工装置占地面积小、作业效率高、适用...

本申请公开了一种高效自动化半导体甩干设备，涉及半导体制造设备技术领域，本申请通过对现有技术中的晶圆自动甩干装置的结构进行优化改进，利用开设在转动盘上表面的凹槽限位圆晶框，通过在圆晶框上施加压力的方式配合圆晶框所受离心力完成圆晶框的固定；...

本发明公开了一种逆导型IGBT晶体管结构及其制造方法，其元胞包括集电极结构、漂移区结构、沟槽栅极结构和发射极结构；集电极结构包括集电极金属、位于集电极金属上表面的N+集电极区和P+型集电极区、以及绝缘介质隔离沟槽和P柱区；绝缘介质隔离沟...

本发明涉及TVS器件技术领域，具体涉及一种两层光罩的单向普容TVS器件的加工装置，包括外壳，所述外壳左右两侧均开设有侧槽，通过设置有放置板、伺服电机和转杆，在将待清洗加工的TVS器件放置在对应的放置槽内部后，驱动伺服电机，使得伺服电机带...

本申请公开了一种半导体加工用离子注入设备，涉及半导体加工设备技术领域，包括离子注入承载盘；离子注入承载盘包括基体、承载体、滑动夹持块和浮动杆状块；滑动夹持块数量为三个，在承载体的上表面进行滑动；滑动夹持块的靠近承载体中心的面上设有多个转...

本申请公开了一种用于集成电路生产线的离子注入机，涉及半导体加工设备技术领域，包括支撑框架、离子注入机构、照射箱组件、扰流机构，还包括吸尘除尘组件；通过对现有技术中的离子注入机的照射箱组件的结构进行优化改进，在其内增设吸尘除尘组件，利用外...

本发明涉及MOSFET领域，公开了一种栅极电阻可调的MOSFET及其制备方法，其技术方案要点是在MOSFET的栅极区域配置有可调电阻结构，所述可调电阻结构包括分别连接在栅极Poly引出端和栅极Pad之间的若干poly条组，所述poly条...

本发明涉及智能型超结MOS器件领域，公开了一种智能型超结MOS器件及其制造方法，其技术方案要点是包括集成连接在一个芯片上的主MOS和若干功能MOS，其特征是：所述功能MOS设置在所述主MOS的范围内，所述功能MOS在芯片上的分布包括功能...

本发明公开了一种集成SBD的沟槽终端结构及其制备方法，涉及半导体的技术领域，旨在解决现有技术中SBD结构占用大量硅表面面积，导致芯片面积大、成本高且工艺控制难度较大的问题。其技术方案要点是在元胞区设置第一类沟槽，在终端区环绕元胞区设置有...

本实用新型公开了一种改善EMI及降低特征电阻的超结器件。该器件包括衬底、多层设置在衬底上侧的第一外延和设置在第一外延上侧的第二外延，每层第一外延上侧均掺杂形成有第一导电类型的掺杂区，并制作形成有多个间隔设置的第二导电类型的掺杂区，多层第...

本发明涉及超结器件领域，公开了一种集成SBR的低损耗高压超结器件及其制备方法，其技术方案要点是在超结MOS器件上集成有SBR二极管，超结MOS器件包括N型外延层、N型衬底片，N型衬底片的外侧设置有蒸发层；N型外延层的表面有第一氧化层，N...

本发明涉及超结MOS制造领域，公开了一种具有超高隔离电压的智能型超结MOS及其制造方法，其技术方案要点是包括集成连接在一个芯片上的主MOS、电阻R以及若干功能MOS，所述功能MOS设置在所述主MOS的范围内，所述功能MOS在芯片上的分布...

本发明公开了一种具有电荷平衡结构的沟槽MOSFET及其制作方法。它包括第一导电类型的衬底，衬底上侧生长外延，外延中部刻蚀形成第一沟槽，第一沟槽的表面生长有第一导电类型的连接层，连接层内侧的第一沟槽内经外延生长形成第二导电类型的柱区，第一...

本发明公开了一种改善EMI及降低特征电阻的超结器件及其制造方法。该器件包括衬底、多层设置在衬底上侧的第一外延和设置在第一外延上侧的第二外延，每层第一外延上侧均掺杂形成有第一导电类型的掺杂区，并制作形成有多个间隔设置的第二导电类型的掺杂区...

本发明公开了一种沟槽终端结构及其制备方法，沟槽呈环状分布于有源区的外围，在沟槽的外围设有截止环，沟槽包括若干条间断沟槽和一条连续沟槽，所述连续沟槽位于间断沟槽与截止环之间，每条间断沟槽包括若干条等间距设置的间断子沟槽，且相邻间断沟槽的间...