本发明提供了一种半导体设备的加热控制方法及控制系统，本发明的加热控制方法中，通过步骤Si得到第一加热区和第二加热区各自的第i最佳升温功率以进行第i升温过程，并且步骤S(i+n)根据目标温度相关参数，步骤Si中的预测温度相关参数，以及第一...

本发明提供了一种基片传输控制方法，包括通过主控制单元对传输装置进行控制，并与调度控制单元之间交互信息，当调度控制单元判断与主控制单元之间的通讯断开或者主控制单元对传输装置的控制失效后，介入对所述传输装置进行驱动控制，在人工介入处理前使传...

本发明提供了一种半导体加热装置的控制方法和执行该控制方法的控制系统。对于第i个加热区和与其相邻的j个加热区，本发明的控制方法通过步骤Sm对各加热区以各自的最佳调温功率进行调温，并得到各加热区对应的受热区各自的预测温度相关参数，以及各加热...

本技术提供了一种加热装置保护罩及沉积设备，包括：罩体，包括顺次密封连接罩顶和筒体；内管，自罩体顶面起贯穿罩体并朝向罩体底部延伸，内管顶面边缘与罩体顶面密封连接，形成容纳加热装置的空腔；结构加强管，包括套设于内管外侧壁并朝向罩顶底面延伸并...

本发明提供了一种半导体激光器的制造方法以及使用该制造方法得到的半导体激光器。该制造方法在540摄氏度以上且不高于600摄氏度的反应温度以及3千帕～7千帕的反应压力下在光栅上形成厚度不超过5纳米的本征InP覆盖层，并控制本征InP覆盖层的...

本技术提供了一种基板承载装置，通过设置过渡座位于公转座和自转座之间，且过渡座设于公转座内并在公转座内形成有容置腔、围绕容置腔的环状腔，以及连通容置腔和环状腔的导气通道，公转座内设有进气通道与环状腔连通，转动部悬设于容置腔内且顶部贯穿过渡...

本技术提供一种供气装置和包含该供气装置的气相沉积设备。供气装置包括盖体、反应进气装置和至少2个辅助进气装置。反应进气装置沿盖体轴向贯穿所述盖体设置，反应进气装置的出气面设置为能够引导工艺气体形成沿盖体径向的层流，至少2个辅助进气装置围绕...

本技术公开了一种反应腔室清理装置，该反应腔室清理装置包括升降抖动组件及控制组件。升降抖动组件位于与反应腔室的排气口相连通的排气管路中靠近排气口的一端。控制组件设置于排气管路外，密封地穿过排气管路与升降抖动组件连接，以控制升降抖动组件至少...

本技术提供了半导体沉积设备的喷淋装置，包括第一喷淋主体、第二喷淋主体和第一进气部。本技术的所述喷淋装置中，所述第一喷淋主体和所述第二喷淋主体围成有匀气腔；所述第一进气部贯穿并可拆卸设置于所述第一喷淋主体；所述第二喷淋主体上设有若干底部导...

本技术提供了一种半导体工件处理治具。半导体工件处理治具包括底座、若干高支撑架和若干低支撑架。若干高支撑架设于底座顶面并围绕所述底座轴线间隔排布，高支撑架顶面包括高承托面，且各高承托面的高度相同并围绕所述底座轴线间隔排布，若干低支撑架设于...

本技术提供了一种气相反应设备，包括反应腔室、以及设置于反应腔室内的加热装置和载片装置。本技术的所述气相反应设备中，反应腔室设有用于提供化学惰性的隔离气体的进气装置；载片装置设置于加热装置的上方，载片装置内设有从载片装置的中部向载片装置的...

本技术提供了一种公转基座，通过设置本体基座和内置基座，本体基座底面开设有通气道以内外相通，内部设置有进气通道；内置基座底面开设有底部封闭槽，底部封闭槽内悬设有转动驱动部，转动驱动部的顶部自内置基座顶面伸出并配置为转动适配部；内置基座设于...

本技术提供了一种测量装置，用于检测安装于反应腔室中的晶片基座的同心度和平面度，包括固定架、同心度测量部、平面度测量部和第一位置调节组件；固定架放置于反应腔室的顶部，且在晶片基座的上方；同心度测量部设于固定架，且在晶片基座的侧面；平面度测...

本发明提供了一种加热装置及包含加热装置的半导体设备，加热装置包括中部加热本体、边部加热本体、中部绝缘基板和边部支撑结构。加热装置在中部绝缘基板上沿中部加热本体的盘绕方向开设有中部槽结构用于嵌设中部加热本体，以及在边部支撑结构上开设边部槽...

本发明提供一种半导体加热装置的温度控制方法及温度控制装置。温度控制方法包括：在步骤S1根据第一当前温度、第一当前功率、第一目标温度和理论功率与温度的对应关系对半导体加热装置进行第一升温控制并标定第一升温控制的调整参数，在步骤S2根据第二...

本发明提供了一种半导体设备加热装置，包括中部基板、中部加热段、中部支撑组。中部支撑组包括可拆卸设于中部基板顶面的中部绝缘支撑件，中部绝缘支撑件顶部设置中部支撑通槽，各中部绝缘支撑件沿对应中部加热段的盘绕方向顺次排列并使各中部支撑通槽形成...

本发明提供了一种带吹扫的遮挡装置及气相沉积设备，遮挡装置包括遮挡件，环绕反应腔的内侧壁设置，并具有隔离壁，隔离壁包括第一侧面和第二侧面，隔离壁包括位于上端的直筒部和位于下端的喇叭部，直筒部的径向尺寸一致，喇叭部的径向尺寸由上至下逐渐增大...

本发明提供了一种用于气相反应装置的气体注入机构的制作方法，气体注入机构包括位于中间区域的第一气体注入机构，以及位于外围区域的第二气体注入机构。第二气体注入机构的制作方法包括沿着使气体从第二气体注入机构喷出形成旋转气流的旋转方向与位于气相...

本发明公开了一种半导体沉积设备及半导体沉积设备的清理方法，半导体沉积设备在与反应腔室的排气口连接的排气管路内设置升降抖动装置，升降抖动装置设置于排气管路靠近反应腔室的内壁上，并沿排气管路的轴向方向向反应腔室的排气口延伸，支撑部设置于升降...

本发明提供了一种用于半导体工件处理的承载装置以及半导体工件处理设备。承载装置包括底座、导向部、若干高载具和若干低载具，能够承载包含贯通孔的待处理物。导向部设于底座顶面并沿底座轴向延伸以穿过待处理物的贯通孔，若干高载具和若干低载具均设于底...