本申请涉及一种半导体器件表面钝化结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，半导体器件表面钝化结构包括外延基片、场板介质和势垒层，还包括焊接层、复合介质层和外涂层，复合介质层覆盖于场板介质和势垒层上，焊接层位于一侧的势垒层和复合介质层上，外涂...

本发明属于半导体技术领域，公开了一种集成传感器的平面碳化硅器件结构及其制备方法，其中，结构包括平面碳化硅器件元胞结构，每个平面碳化硅器件元胞结构中包括平面碳化硅器件结构、Vth监测传感结构和Vsd监测传感结构。本发明在平面碳化硅器件结构...

本发明属于半导体技术领域，公开了一种制备厚边薄片六方晶系碳化硅晶圆的方法，其包括以下步骤：步骤S1，将晶圆划分为厚边区域和减薄区域，将激光从减薄区域的硅面(0001)或者碳面(000‑1)表面入射，精确聚焦到减薄区域需要减薄的深度，在需...

本发明属于半导体技术领域，公开了一种集成传感器的沟槽碳化硅器件结构及其制备方法，其中，结构包括沟槽碳化硅器件元胞结构，每个沟槽碳化硅器件元胞结构中包括沟槽碳化硅器件结构

本实用新型属于半导体技术领域，公开了一种集成超势垒二极管的平面碳化硅器件元胞结构，其包括自下而上依次包括衬底、缓冲层和外延薄膜的碳化硅外延片；外延薄膜上表面设有平面型碳化硅MOSFET结构和超势垒二极管结构。本实用新型其结构简单，易于实...

本发明属于半导体技术领域，公开了一种激光隐切制备Taiko碳化硅晶圆的方法，其包括以下步骤：步骤S1，将晶圆划分为Taiko环区域和减薄区域，将激光从晶圆背面入射，聚焦到减薄区域需要减薄的深度，并在这一深度位置形成均匀分布的第一炸点；步...

本发明属于半导体技术领域，公开了一种无离子注入的碳化硅MOSFET的制备方法，其包括以下步骤：步骤S1，取一包括衬底、缓冲层和外延薄膜的碳化硅半导体薄膜；步骤S2，在外延薄膜表面形成基区沟槽；步骤S3，在基区沟槽内依次外延形成第一介质层...

本发明属于半导体技术领域，公开了一种碳化硅超结结构光刻标记对准的方法，其具体包括以下步骤：步骤S1，制备光刻版，在光刻版上形成第一标记图形和器件标记图形；步骤S2，在碳化硅半导体表面形成第一标记孔和器件沟槽；步骤S3，对碳化硅半导体进行...

本发明属于半导体技术领域，公开了一种激光烧蚀加超声波剥离的碳化硅减薄方法，其具体包括以下步骤：步骤S1，将激光聚焦到晶圆需要减薄的深度，并在这一深度位置形成均匀分布的炸点；步骤S2，使用超声波处理晶圆，使得晶圆沿着炸点所在面裂开；步骤S...

本发明属于半导体技术领域，公开了一种加强薄片碳化硅晶圆机械强度的方法，其具体包括以下步骤：步骤S1，制备与薄片晶圆形状相匹配的压环和支撑盘；步骤S2，将薄片晶圆夹在压环和支撑盘中间；步骤S3，将压环和支撑盘边缘固定连接。本发明的方法简单...

本申请涉及一种半导体器件表面钝化结构，涉及半导体技术领域，半导体器件表面钝化结构包括外延基片、场板介质和势垒层，还包括焊接层、复合介质层和外涂层，复合介质层覆盖于场板介质和势垒层上，焊接层位于一侧的势垒层和复合介质层上，外涂层位于复合介...

本发明属于半导体器件制造领域，公开了一种半导体器件终端结构，包括半导体外延薄膜，且半导体外延薄膜表面自下而上依次覆盖有场板、焊接层和钝化层，在场板上表面还设有介质层，且介质层位于焊接层和钝化层下方；焊接层下表面还设有覆盖半导体外延薄膜和...

本发明属于半导体技术领域，具体公开了一种碳化硅半导体器件的制作方法，具体包括以下步骤：S1，在碳化硅衬底表面采用外延工艺进行外延，先后得到缓冲层和外延层；S2，在外延层上先后进行介质薄膜沉积和光刻形成图形化第一掩膜层，再通过刻蚀形成栅极...

本实用新型属于半导体技术领域，公开了一种消除或减少局部热应力的芯片，包括位于芯片边缘的应力吸收部，所述应力吸收部设置于与肖特基金属接触的金属电极上。本实用新型可靠性高，性能好，成本低；芯片结构简单，易于加工；还可以消除或减少芯片局部热应...

本发明属于半导体技术领域，公开了一种沟槽型碳化硅晶体管，包括碳化硅半导体薄膜、基区掺杂区、源区掺杂区、栅沟槽、绝缘介质薄膜Ⅰ、绝缘介质薄膜Ⅱ、栅电极、基区导电薄膜、隔离介质薄、源电极和漏电极。本发明将主结边缘刻蚀成台面形状，改变了器件中...

本发明涉及半导体技术领域，公开了一种积累型沟道结构的T‑gate沟槽碳化硅晶体管，包括衬底、缓冲层和外延薄膜；外延薄膜顶部中心的设置有沟槽，沟槽的侧壁和底部分别设有第一栅氧化层和第二栅氧化层；沟槽内部填充有栅电极；沟槽两侧对称设有基底和...

为了解决现有技术中碳化硅刻蚀效率低的问题，本发明提供了一种用皮秒激光照射制备碳化硅结构的方法，包括以下步骤：S100：清洗碳化硅晶片；S200：通过皮秒激光照射碳化硅待刻蚀区域；S300：采用干法刻蚀机对碳化硅样品进行干法刻蚀，形成刻蚀...

本实用新型公开了一种碳化硅二极管元胞结构，其中心填充区域为第一p型注入区，其外层填充区域为第二p型注入区，在中心填充区域与外层填充区域之间的区域为无注入n型区域，其特征在于，包括第二p型注入区的横截面呈六边形，无注入n型区域的横截面呈圆...

一种结势垒肖特基结构二极管的结构，具体包括：第一导电类型的衬底；在衬底上表面设有第一导电类型的外延层，以及衬底与外延层之间设有第一导电类型的缓冲层；设置于外延层上表面的肖特基接触电极；衬底下表面设有欧姆接触电极，衬底与欧姆接触电极之间设...

一种沟槽型碳化硅IGBT的结构，在普通IGBT的基础上，本发明提供两种形态，在一种结构中，第二导电类型掺杂区被第一导电类型掺杂区三面包围，第一导电类型掺杂区上表面与第二导电类型掺杂区上表面齐平；在另一种结构中，第二导电类型掺杂区还被源极...