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陈自雄专利技术
陈自雄共有5项专利
一种马铃薯收获处理机械制造技术
本实用新型公开了一种马铃薯收获处理机械,涉及马铃薯处理技术领域,包括设备外壳,所述设备外壳的上表面设置有入料口,所述设备外壳的内壁设置有导流板,所述设备外壳内部的下表面固定有潜水泵,所述潜水泵的输出端连接有输送管,所述输送管的末端连接有...
一种农业用马铃薯去泥装置制造方法及图纸
本实用新型涉及农业加工技术领域,具体为一种农业用马铃薯去泥装置,包括:清洗箱,所述清洗箱的一端安装有加注托板;承载架,其安装在所述筛分拖网上方,所述承载架上安装有筛分清洁结构,所述筛分清洁结构包括驱动电机、驱动齿轮、齿轮带、从动齿轮、筛...
沟槽式萧基二极管及其制作方法技术
本发明公开一种沟槽式萧基二极管及其制作方法。该方法包含:提供半导体基板;在该半导体基板上形成第一氧化层;根据第一氧化层对半导体基板进行蚀刻,以在半导体基板中形成多沟槽结构;在多沟槽结构的表面上形成栅极氧化层;在栅极氧化层上与第一氧化层上...
沟槽式肖特基二极管及其制作方法技术
本发明公开一种沟槽式肖特基二极管及其制作方法。该方法包括下列步骤:提供半导体基板,并形成多个沟槽结构,其中部分的沟槽结构底部有多个注入区域;形成栅极氧化层覆盖于该多个沟槽结构与该半导体基板的表面;形成多晶硅结构覆盖于该栅极氧化层;对该多...
低栅容金属氧化物半导体P-N结二极管结构及其制作方法技术
本发明公开一种低栅容金属氧化物半导体P-N结二极管结构及其制作方法。在元件的结构设计上,为金属氧化物半导体N型沟道场效元件结构与P-N结二极管共构的架构,并将部分的栅极盖覆区域由厚的介电层或低导电多晶硅层来取代,通过此种栅极间置层的元件...
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