成都蓉创电子科技有限公司专利技术

成都蓉创电子科技有限公司共有2项专利

  • 本实用新型公开了一种多路电压产生电路,包括第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3、第四MOS管Q4、第一电阻R1、第二电阻R2、第二二极管Z2,第一MOS管Q1的漏端和第二MOS管Q2的源端共接,第一MOS管Q1的源端连接...
  • 本发明公开了一种锂电保护芯片的电流补偿电路,应用于电池组上,连接在电池组的电池单元VCC上,包括第一采样电路、第二采样电路及电流镜模块IC3,第一采样电路与电池单元VCC相连接,第一采样电路与第二采样电路相连接,第二采样电路与电流镜模块...
1