本技术涉及整流桥塑封模具技术领域，尤其涉及一种高压大功率肖特基整流桥塑封模具,包括下模座、上模座与底座，所述下模座与上模座上开设有多个相适配的塑封腔，相邻两个塑封腔之间设置有连接通道，且上模座中设置有与塑封腔连通的注塑通道；所述下模座中...

本技术涉及TVS管检验技术领域，尤其涉及一种交流TVS管检验装置,解决了TVS管在生产过程中通常要对TVS管接入电流，来检测其电气性能，保证TVS的生产质量，目前通过人工依次检测的效率较低的问题，包括输送带与固定在所述输送带上的检测仪，...

本技术涉及二极管加工技术领域，尤其涉及一种用于光伏二极管贴装装置，包括接线座，所述接线座的外壁开设有凹槽，所述凹槽内放置有PCB板，所述PCB板的外壁开设有贴装槽，所述贴装槽内设置有光伏二极管模块。通过将光伏二极管模块放置在贴装槽内，顺...

本技术涉及二极管装配技术领域，尤其涉及一种高保护性能的高压TVS管安装设备,包括定位条，所述定位条上设置有多个固定组件，所述固定组件，包括固定在定位条上的固定座，所述固定座的底端开设有安装槽，安装槽的两侧均设置有金属夹片，且固定座的两端...

本技术涉及二极管技术领域，尤其涉及一种防浪涌大电流二极管，包括芯片本体、封装件和引线，所述引线的端部设置有钉头，所述引线上具有钉头的一端封装于所述封装件中并与芯片本体焊接连接，所述引线包括第一引线和第二引线，所述钉头包括第一钉头和第二钉...

本发明公开了一种瞬态电压抑制二极管，包括聚合物开关、TVS管芯片、封装体和引出脚；所述聚合物开关与TVS管芯片串接后封装在封装体内；所述引出脚设有两根，两根引出脚分别连接串接后的聚合物开关和TVS管芯片的两端并从封装体的两端引出；所述聚...

本实用新型公开了一种并联结构大功率肖特基二极管，包括壳体以及封装在壳体内的芯片组，所述壳体的两端分别设有与芯片组相连的引线，所述芯片组包括至少两个沿引线的长度方向排列设置且通过引线相互并联的肖特基芯片。本实用新型通过将至少两个肖特基芯片...

本实用新型公开了一种小结电容TVS器件，包括快恢复二极管芯片、TVS管芯片、封装壳体、第一引出脚和第二引出脚；所述快恢复二极管芯片和TVS管芯片以背对背的方式串联封装在封装壳体内；所述第一引出脚的一端设置在封装壳体内并连接快恢复二极管芯...

本实用新型公开了一种反向恢复时间小的二极管组合器件，包括二极管、封装壳体、第一引脚和第二引脚；所述二极管设有至少两个，并且全部二极管顺向串联封装在封装壳体内；所述第一引脚和第二引脚的一端均设置在封装壳体内并分别连接串联后全部二极管的两端...

本实用新型公开了一种超低温度漂移稳压二极管，包括壳体以及封装在壳体内的晶粒组，所述晶粒组包括至少一组串联设置的正温度漂移第一晶粒和负温度漂移第二晶粒；所述晶粒组的两端对称连接有延伸至壳体外部的引脚。本实用新型能够根据电路需求设计多种型号...

本发明公开了一种测量SiC器件结电容的装置，包括无极性模块、隔离限流泄放模块和隔离测试模块，所述无极性模块的输入端接外部电源，输出端接隔离限流泄放模块，所述隔离限流泄放模块的输出端接隔离测试模块；所述隔离测试模块设有测试接口，所述隔离测...

本发明公开了一种功率器件的动态电阻的测量电路，包括：恒流源；为所述测量电路的元器件提供稳定的横流电流；方波驱动器，输出单一脉冲或连续脉冲；测量保持电路，包括电压测量仪，所述测量保持电路与所述恒流源的输出端连接；电子开关，为三路电子开关，...

本实用新型涉及一种碳化硅MOSFET内驱动保护装置，包括主芯片、基板，主芯片和基板分别设置在金属板的同一平面不同，金属板一侧设有栅极、漏极、源极和金属极；金属板外表面设有封装壳体；主芯片上设有第一触点、第二触点、第三触点，第一触点引出端...

本实用新型涉及碳化硅MOSFET栅驱幅度限制内驱动保护装置，包括主芯片、基板，金属板一侧设有栅极、漏极、源极和金属极；金属板外表面设有封装壳体；主芯片上设有第一触点、第二触点、第三触点，第一触点引出端为栅极，第二触点引出端为漏极，第三触...

本实用新型涉及一种碳化硅MOSFET热限制内驱动保护装置，包括主芯片、基板，主芯片和基板分别设置在金属板的同一平面，金属板一侧设有栅极、漏极和源极；金属板外表面设有封装壳体；主芯片上设有第一触点和第三触点，第一触点和第三触点设置在主芯片...

本发明涉及一种碳化硅MOSFET内驱动保护装置，包括主芯片、基板，主芯片和基板分别设置在金属板的同一平面不同，金属板一侧设有栅极、漏极、源极和金属极；金属板外表面设有封装壳体；主芯片上设有第一触点、第二触点、第三触点，第一触点引出端为栅...

本实用新型属于半导体技术领域，具体涉及封装内保护碳化硅二极管。该碳化硅二极管包括封装外壳、位于封装外壳内的一个或多个串联在一起的芯片以及连接于封装外壳两端的引线，所述芯片内并联设有碳化硅二极管和电容器，所述电容器与电阻串联；当碳化硅二极...

本发明属于半导体技术领域，涉及碳化硅二极管芯片内专用保护电路，包括封装外壳、位于封装外壳内的一个或多个串联在一起的芯片以及连接于封装外壳两端的引线，所述芯片内设有碳化硅二极管、保护电路，所述保护电路包括电感和电容，所述电感和电容串联形成...

本实用新型公开了一种全波倍压整流桥，第一玻璃钝化硅二极管，第一玻璃钝化硅二极管的阳极管用于连接交流电源的一端；第一储能电容，第一储能电容的一端与第一玻璃钝化硅二极管的阴极端连接，第一储能电容的另一端用于连接交流电源的另一端；第二玻璃钝化...

本实用新型公开了一种瞬态抑制二极管，包括引脚、封装壳体以及至少一个TVS芯片，引脚与TVS芯片焊接，引脚的一部分与TVS芯片位于所述封装壳体内，所述TVS芯片上设有环绕在TVS芯片焊接区域周围的拒焊层。本实用新型具有能在焊接时避免因焊锡...