本发明属于硅晶体切割技术领域，具体涉及一种半导体抛光液及其制备方法。该半导体抛光液由氧化剂、磨粒、络合剂、表面活性剂、缓蚀剂、pH调节剂和去离子水按质量份数配置而成；其中，磨粒是由二氧化硅胶体和氧化铈复配得到的。本发明制备的半导体抛光液...

本技术提供了一种硅片切割液灌装装置，包括机架、灌装头和下料气缸，灌装头包括出料头、出料安装支架，下料气缸包括缸体、活塞杆和活塞，活塞配合滑动设置在竖向部内，且活塞周向外壁与出料腔竖向部内壁密封连接，活塞周向外壁的高度则不小于竖向部与横向...

本技术涉及灌装设备技术领域，尤其是涉及一种硅片切割液灌装机，包括机架以及安装在机架上的传输组件和灌装组件，传输组件用于将待灌装的罐子输送至灌装组件处，传输组件远离机架一侧上布置有防护组件，灌装组件用于为罐子注入硅片切割液，灌装组件包括储...

本技术提供了一种硅片清洗液反应釜，包括反应釜本体，反应釜本体顶部具有上盖，上盖上开有若干进料口，上盖中心位置则设有减速电机，减速电机输出端传动连接有叶轮搅拌器，叶轮搅拌器伸入反应釜本体内腔，反应釜本体底部具有出料管，出料管上设有出料阀，...

本技术涉及安装架技术领域，尤其是涉及一种切削液用搅拌罐安装架，包括支架本体和用于固定安装搅拌罐的固定板，所述固定板设置在支架本体上方，所述支架本体和固定板之间设置有用于沿高度方向调节两者之间间距的第一驱动机构，所述支架本体上设置有用于限...

本技术涉及灌装设备技术领域，尤其是涉及一种硅片切割液灌装装置，包括机架、灌装机构以及传输机构，灌装机构安装在机架顶部，灌装机构用于为容器内灌注硅片切割液，传输机构和机架固定连接，传输机构位于灌装机构下方，传输机构用于运输为容纳硅片切割液...

本技术涉及化工设备技术领域，尤其是涉及一种硅片切割液反应釜安装座，包括：底座，其顶面开设有缓冲槽；固定座，其顶面开设有用于供反应釜放置的容置槽，固定座和底座弹性连接，以及若干缓冲组件，缓冲组件沿反应釜的周向间隔分布，缓冲组件包括支架、缓...

本技术涉及灌装装置技术领域，尤其是涉及一种硅片切割液用灌装装置，包括机架、滑板、灌装组件和控制单元，所述滑板沿竖直方向滑动设置在机架上，所述灌装组件设置在滑板上，所述机架上设置有用于控制滑板在机架上滑动的控制机构，所述灌装组件的输出端设...

本技术涉及灌装设备技术领域，尤其是涉及一种具有检测功能的硅片切割液灌装装置，包括第一传输带、第二传输带以及检测组件，第一传输带和第二传输带均用于运输需灌装的灌装罐，第一传输带上沿其传输路径上布置有灌装头；检测组件包括底盘、转盘、电机、支...

本技术涉及反应釜技术领域，尤其是涉及一种微动混料式反应釜，包括下釜体及盖设在下釜体上的上盖体，所述下釜体和上盖体内设置有搅拌桨，所述上盖体上设置有驱动搅拌桨转动的驱动机构，还包括外筒，所述下釜体转动设置在外筒内，所述外筒和下釜体之间设置...

本技术涉及灌装设备技术领域，尤其是涉及一种硅片切割液灌装装置，包括：灌装外壳，具有灌装腔；阀芯，与灌装外壳活动连接，其可沿灌装外壳轴线方向移动，阀芯的底端延伸至灌装腔内，阀芯顶端和气缸的伸缩端传动连接；以及灌装头，具有出料腔，灌装头和灌...

本发明涉及硅片清洗技术领域，具体涉及一种环保硅片清洗液。该环保硅片清洗液按照质量份数的组成为：硅粉腐蚀剂10‑20份，表面活性剂6‑10份，助溶剂10‑16份，金属络合物6‑10份，硅烷偶联剂1‑2份。本发明硅片清洗液能够有效的去除附着...

本发明属于硅晶体切割技术领域，尤其涉及一种微米金刚线切割液。该微米金刚线切割液按照质量份数的组成为：极压剂1‑7份，润湿剂5‑15份、消泡剂0.5‑2份、润滑剂8‑25份、耦合剂1‑3份、去离子水50‑100份，其中，润湿剂由异辛醇聚氧...

本技术涉及反应釜技术领域，尤其是涉及一种硅片切割液用反应釜，包括釜体及设置在釜体内的搅拌轴，所述搅拌轴上安装有搅拌叶轮，所述搅拌叶轮为罩壳结构，所述搅拌叶轮上开设有贯穿的第一混合孔和第二混合孔，所述第一混合孔的通流面积和第二混合孔的通流...

本技术提供了一种清洁型灌装机，包括机架、料筒和灌注组件，机架上转动设有转动轴；转动轴上从上至下分布有若干射流管；转动轴内部中空具有腔室且转动轴的腔室连接有压力气体喷射机构，射流管为空心管，空心管内具有气流流道，该气流流道的进口端与转动轴...

本发明属于单晶硅切割技术领域，具体涉及一种水性硅片金刚线切割液，包括由环氧己烷和环氧丙烷组成的表面活性剂、润湿剂、分散剂、醇醚类助剂以及水。本发明的水性硅片金刚线切割液具有良好的润滑、分散、冷却及除屑性能，且制备方法简单，成本低廉，适合...

本发明属于硅片清洗领域，具体涉及一种硅片清洗液，其组成为氢氧化钠、络合剂、四甲基氢氧化铵和双氧水。本发明的硅片清洗液，耗用量少，清洗质量高，硅片表面金属离子残留少，硅片良率高。良率高。

本发明属于硅片加工领域，具体涉及一种硅片切割脱胶用高渗透型低温脱胶剂，该脱胶剂的组分包括乳酸、渗透剂、表面活性剂、醇醚溶剂和去离子水。本发明的高渗透型低温脱胶剂，可实现低温快速脱胶，减少脱胶返工，明显提高脱胶效率，降低硅片不合格率，提升...

本实用新型提供了一种花篮用半齿杆，包括支撑主杆、包覆外层和齿柱，支撑主杆周向侧面覆盖固定有包覆外层，包覆外层表面沿支撑主杆轴向间隔分布有若干齿柱。本实用新型通过合理设计半齿的齿柱，采用改性PVDF材料制作，具有耐160℃高温和不易吸水的...

本发明提供了一种花篮用半齿杆，包括支撑主杆、包覆外层和齿柱，支撑主杆周向侧面覆盖固定有包覆外层，包覆外层表面沿支撑主杆轴向间隔分布有若干齿柱。本发明通过合理设计半齿的齿柱，采用改性PVDF材料制作，具有耐160℃高温和不易吸水的特性；齿...