本申请公开了一种高带宽存储器HBM的刷新方法、装置及设备，该方法包括：根据预先对不同存储芯片的存储区域划分，分别统计各存储区域出现不能正确识别存储数据的出错次数；根据不同存储区域分别对应的出错次数，确定各存储区域对应数据丢失的危险等级；...

本公开涉及半导体领域，提供了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括：中介层，中介层包括深沟槽电容阵列和设置于深沟槽电容阵列之间的隔离结构；其中，深沟槽电容阵列包括多个深沟槽电容，隔离结构至少部分环绕深沟槽电容阵列最边缘侧的深沟槽电容。

本公开提供了一种半导体存储装置的修补方法、装置、电子设备及存储介质，涉及半导体技术领域。半导体存储装置包括存储阵列、纠错阵列和备用阵列。该方法包括：获取存储阵列中的故障单元信息；根据故障单元信息确定备用阵列不能修补存储阵列中的故障单元；...

本公开提供一种半导体封装成品及其测试方法，属于半导体技术领域。该半导体封装成品包括：第一晶粒，包括第一输入电路、第一输出通道和第一编码电路；第二晶粒，包括第二输入电路、第二输出通道和第二编码电路。其中，第一输入电路和第二输入电路用于从测...

本公开实施例公开了一种失效单元的修复方法、修复装置、修复系统及存储介质，其中，失效单元的修复方法包括：获取待分析对象在目标测试阶段的所有失效单元的属性信息，属性信息包括位置信息和未通过的测试项目信息；根据失效单元的属性信息，确定至少一个...

本公开实施例提供了一种参考电压产生电路以及半导体器件，所述参考电压产生电路包括：第一电压产生电路和放大电路；第一电压产生电路包括串联的上拉电阻模块和下拉电阻模块，上拉电阻模块和下拉电阻模块的连接点输出温控电压，上拉电阻模块的另一端用于接...

本公开实施例提供了一种内部错误检查电路和存储器，该内部错误检查电路包括时钟生成电路、内部命令生成电路、地址生成电路、控制逻辑电路和纠错电路；其中，时钟生成电路，响应于自刷新使能信号生成并输出自刷新时钟信号；内部命令生成电路，在错误检查使...

本公开实施例涉及图像传感器领域，提供一种图像传感器，包括：衬底；第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管共用一个源极或漏极，至少第一晶体管为结晶体管；第一晶体管包括：第一掺杂区和第二掺杂区；位于第一掺杂区和第二掺杂区之间的第一沟道...

半导体器件及其制备方法、电子设备。半导体器件包括基底、着陆焊盘、第一互连层、电容器、多个层间介质层、接触插塞以及第二互连层。基底包括具有第一晶体管的阵列区和具有第二晶体管的外围区。着陆焊盘位于阵列区并电连接第一晶体管。第一互连层位于外围...

本公开实施例提供了一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构的制备方法包括：形成多个位线结构，并在相邻位线结构之间形成第一接触插塞，第一接触插塞的顶面低于位线结构的顶面；在多个位线结构的顶面形成具有多个开口的隔离层，每一开口暴露位线结构的...

一种存储器及其制造方法、电子设备。存储器包括：半导体衬底，包括有源区和限定有源区的沟槽隔离结构，有源区呈之字形排布；字线结构，在衬底中沿第一水平方向延伸；位线结构，在衬底上沿与第一水平方向垂直的第二水平方向延伸；绝缘图案，设置于相邻的位...

一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构的制备方法，包括：提供衬底及位于衬底上形成叠层结构，叠层结构包括沿竖直方向叠设的第一介质层和第二介质层；形成沿竖直方向贯穿叠层结构的通孔，通孔包括第一孔和第二孔，通孔露出衬底的部分表面，通孔的底面...

一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构的形成方法包括：提供衬底，衬底包括依次邻接的存储区域和边界区域；在衬底上形成初始导电层；图形化初始导电层以形成多个初始位线结构和初始位线接触层，多个初始位线结构沿第一方向延伸且沿第二方向间隔排布；...

本公开提供一种测试电路、测试方法和芯片堆叠结构。测试电路，应用于逻辑芯片，包括：第一寄存器模块，与逻辑芯片的第一路径和第一硅通孔电连接，当第一测试使能信号为第一电平时，被配置为线性反馈移位寄存器，通过第一路径以第一速度接收第一测试信号；...

一种封装结构和封装器件。封装结构包括：介质层；第一重布线层，位于所述介质层中；第二重布线层，位于所述第一重布线层上，所述第一重布线层与所述第二重布线层电连接，所述第二重布线层的顶部突出于所述介质层；芯片，位于所述介质层上；引线，连接所述...

一种三维半导体器件及其制备方法、电子设备。该三维半导体器件包括具有阵列区域和接触区域的衬底，交替布置的第一导电层和隔离层的堆叠层，第二导电层，第一可相变层，第二可相变层，以及第一接触插塞。堆叠层位于衬底上，且从阵列区域延伸至接触区域并在...

本公开实施例提供了一种半导体结构的制造方法，包括：提供第一衬底，第一衬底具有中心区域和边缘区域；形成覆盖中心区域和边缘区域的第一介质层，其中，在远离中心区域的方向上，覆盖边缘区域的第一介质层的厚度逐渐减小；形成覆盖边缘区域的第一介质层的...

本公开实施例提供了一种存储器、存储器的操作方法和存储设备，其中，存储器，包括：多个存储库，每个存储库包括多个数据存储块和ECC存储块；多个错误探测电路，每个错误探测电路被配置为从存储库中分别读取存储数据和校验数据，并根据存储数据和校验数...

本申请实施例涉及存储器领域，提供一种数据输入输出电路和存储器，包括：并转串电路，被配置为接收N个数据，并在第一时间段内串行地输出N个数据；读使能信号生成电路，被配置为生成读使能信号，读使能信号在第一时间段内为有效电平；电阻控制电路，电连...

一种半导体器件和半导体器件的制备方法，该半导体器件包括第一半导体结构、第二半导体结构、第三半导体结构、第一位线连接线和第二位线连接线，第一半导体结构包括感测放大器电路，第二半导体结构通过键合与第一半导体结构连接，且包括第一存储单元，第三...