本公开提供了一种掩膜结构的形成方法，该方法包括：形成第一掩膜层、第二掩膜层和第三掩膜层；图案化位于阵列区和标记区的第三掩膜层和第二掩膜层，得到具有多个第一开口和多个第二开口的第二叠层结构，各第一开口和各第二开口贯穿剩余第三掩膜层并延伸至...

本公开实施例提供了一种修复方法及修复装置，其中，该修复方法包括：获取目标故障统计表；目标故障统计表中包括若干个目标存储地址和每一目标存储地址对应的故障数量；其中，目标存储地址为存储阵列中存在单比特故障的存储地址；目标存储地址包括目标行地...

本公开提供一种读写转换电路、写驱动电路与存储器。读写转换电路包括：读取电路，读取电路的第一输入端和第二输入端分别连接本地信号线和互补本地信号线，读取电路的第一输出端和第二输出端分别连接全局信号线和互补全局信号线；写入电路，写入电路的第一...

本公开提供一种存储器及其数据操作方法、电子设备，涉及半导体技术领域，用于解决存储器结构复杂的技术问题。该存储器包括阵列排布的多个存储单元、多条第一位线、多条第二位线和多条字线，每个存储单元包括写晶体管和读晶体管，写晶体管的第一源漏极与读...

本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括阵列区和外围区，半导体结构的制造方法包括：提供基底，基底横跨阵列区和外围区；在外围区的基底顶面形成第一扩散阻挡层；形成第二扩散阻挡层，第二扩散阻挡层位于第一扩...

本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：基底；堆叠结构，位于基底上，包括交替层叠设置的多个半导体掺杂层与多个第一隔离结构；字线结构，由堆叠结构贯穿至基底；存储结构，由堆叠结构贯穿至基底，且环绕字线结构；沟道层，位于相邻半导...

本公开提供一种半导体结构的制作方法，涉及半导体技术领域，用于解决良率较低的技术问题。该制作方法包括：提供衬底，衬底包括阵列区和外围区；在阵列区形成多个间隔设置的第一有源区，以及环绕各第一有源区的第一填充槽；形成覆盖第一填充槽的侧壁和底壁...

本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：基底，包括衬底以及位于衬底内的沟槽隔离结构，沟槽隔离结构在衬底内限定出多个间隔设置的有源区；晶体管，晶体管包括位于有源区上的栅极结构和在第一方向上位于栅极结构至少一侧的第一掺杂区，第...

本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制备方法，制备方法包括：提供基底；基底内具有多个位于第一区的第一凹槽以及多个位于第二区的第二凹槽；形成重布线层，重布线层覆盖第一凹槽且自然延伸至基底表面且形成第一开口，重布线层覆盖第二凹...

一种半导体结构、半导体器件以及半导体结构的制作方法，该半导体结构包括：衬底；晶体管结构，位于所述衬底表面，所述晶体管结构包括沟道区、位于所述沟道区的正上方的栅极介质层和栅极导电层以及位于所述沟道区两侧的源极区和漏极区，所述沟道区具有第一...

本公开实施例提供一种薄膜沉积设备及方法，该薄膜沉积设备包括：旋转盘，设置于反应腔内部；多个承载台，设置于旋转盘上，用于承载待沉积件并在旋转盘旋转时随旋转盘旋转；旋转机构，连接于旋转盘与承载台之间，用于带动承载台进行与旋转盘的旋转方向同向...

本公开涉及一种测试方法及电路，向存储器中预先写入预设数据，对写入预设数据后的存储器执行刷新操作，并等待预设时长；控制数据读出器响应于读命令，读取存储器中的预设数据，并将读出数据压缩成预设位数的初始读出数据后输出；根据包含目标数据的地址信...

本公开提供一种半导体结构、半导体结构的形成方法与存储器，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括：衬底，所述衬底中形成有第一沟槽；介质层，覆盖于所述第一沟槽的内表面，所述介质层至少包括位于所述第一沟槽侧壁上的侧壁介质层以及位于所述第一沟槽底...

本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种存储单元结构、存储单元阵列结构及其制造方法，存储单元结构包括：沿第一方向延伸的栅极，栅极具有相对的第一面和第二面，第二面具有间隔排布的第一凹陷面和第二凹陷面，第一凹陷面和第二凹陷面均向第一面凹陷；...

本公开是关于一种封装结构及其制作方法，封装结构包括堆叠设置的电路板、转接板、重布线层和芯片层，芯片层包括多个第一芯片；重布线层包括介质层和设置于介质层中的金属互连线；电路板通过转接板以及金属互连线与各第一芯片电性互连；转接板靠近重布线层...

本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法，该形成方法包括：提供衬底，衬底包括基底和绝缘层，基底包括阵列区和标记区，阵列区内设有浅沟槽隔离结构及有源区，绝缘层覆盖基底；形成位线接触孔；在绝缘层远离基底的一侧依次形成第一导...

本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制造方法，方法包括：提供基底，基底包括多个沿基底厚度方向延伸的半导体柱；形成位线，位线沿第一方向延伸，位于半导体柱的底面且与初始第一掺杂区接触；形成字线，字线沿第二方向延伸，字线至少覆盖...

一种混合键合结构及其制造方法、半导体器件。该混合键合结构包括介质层，包括键合设置的第一介质层和第二介质层；键合界面层，位于所述第一介质层和所述第二介质层之间；金属结构，位于所述介质层中；扩散阻挡层，位于所述介质层中，所述扩散阻挡层隔断所...

本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：基底；堆叠结构，位于基底上，包括交替堆叠的半导体掺杂层与第一隔离层，第一隔离层两侧均具有半导体掺杂层；控制栅结构，由堆叠结构贯穿至基底，包括控制栅介质层以及控制栅线，控制栅介质层环绕...

公开一种半导体结构及其制备方法，制备方法包括：提供基底，基底内具有间隔排布的多个第一凹槽；形成导电层，导电层填充满第一凹槽且覆盖基底的表面；在导电层的表面形成间隔排布的掩膜层，掩膜层与第一凹槽之间部分重叠；对导电层进行预处理，预处理包括...