一种存储器及其制造方法、电子设备。存储器包括：半导体衬底，包括有源区和限定有源区的沟槽隔离结构，有源区呈之字形排布；字线结构，在衬底中沿第一水平方向延伸；位线结构，在衬底上沿与第一水平方向垂直的第二水平方向延伸；绝缘图案，设置于相邻的位...

一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构的制备方法，包括：提供衬底及位于衬底上形成叠层结构，叠层结构包括沿竖直方向叠设的第一介质层和第二介质层；形成沿竖直方向贯穿叠层结构的通孔，通孔包括第一孔和第二孔，通孔露出衬底的部分表面，通孔的底面...

一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构的形成方法包括：提供衬底，衬底包括依次邻接的存储区域和边界区域；在衬底上形成初始导电层；图形化初始导电层以形成多个初始位线结构和初始位线接触层，多个初始位线结构沿第一方向延伸且沿第二方向间隔排布；...

本公开提供一种测试电路、测试方法和芯片堆叠结构。测试电路，应用于逻辑芯片，包括：第一寄存器模块，与逻辑芯片的第一路径和第一硅通孔电连接，当第一测试使能信号为第一电平时，被配置为线性反馈移位寄存器，通过第一路径以第一速度接收第一测试信号；...

一种封装结构和封装器件。封装结构包括：介质层；第一重布线层，位于所述介质层中；第二重布线层，位于所述第一重布线层上，所述第一重布线层与所述第二重布线层电连接，所述第二重布线层的顶部突出于所述介质层；芯片，位于所述介质层上；引线，连接所述...

一种三维半导体器件及其制备方法、电子设备。该三维半导体器件包括具有阵列区域和接触区域的衬底，交替布置的第一导电层和隔离层的堆叠层，第二导电层，第一可相变层，第二可相变层，以及第一接触插塞。堆叠层位于衬底上，且从阵列区域延伸至接触区域并在...

本公开实施例提供了一种半导体结构的制造方法，包括：提供第一衬底，第一衬底具有中心区域和边缘区域；形成覆盖中心区域和边缘区域的第一介质层，其中，在远离中心区域的方向上，覆盖边缘区域的第一介质层的厚度逐渐减小；形成覆盖边缘区域的第一介质层的...

本公开实施例提供了一种存储器、存储器的操作方法和存储设备，其中，存储器，包括：多个存储库，每个存储库包括多个数据存储块和ECC存储块；多个错误探测电路，每个错误探测电路被配置为从存储库中分别读取存储数据和校验数据，并根据存储数据和校验数...

本申请实施例涉及存储器领域，提供一种数据输入输出电路和存储器，包括：并转串电路，被配置为接收N个数据，并在第一时间段内串行地输出N个数据；读使能信号生成电路，被配置为生成读使能信号，读使能信号在第一时间段内为有效电平；电阻控制电路，电连...

一种半导体器件和半导体器件的制备方法，该半导体器件包括第一半导体结构、第二半导体结构、第三半导体结构、第一位线连接线和第二位线连接线，第一半导体结构包括感测放大器电路，第二半导体结构通过键合与第一半导体结构连接，且包括第一存储单元，第三...

本公开实施例提供了一种存储器、存储设备和存储器的操作方法，其中，存储器，包括：多个数据存储块和校验码存储块；数据校验电路，配置为分别从所述多个数据存储块和所述校验码存储块获取存储数据和对应的第一校验码，并响应于接收到的模式选择信号确定是...

本公开实施例提供了一种半导体结构，包括：衬底；设置在衬底上的第一介质层，其具有远离衬底的第一表面；第一键合垫穿过第一表面并延伸至第一表面下方第一深度；第二键合垫穿过第一表面并延伸至第一表面下方第二深度，第二深度小于第一深度；第二介质层设...

提供一种半导体器件制备方法及由此方法制备的半导体器件，该方法包括：提供衬底，衬底包括阵列区和外围区，阵列区形成有存储节点接触垫；外围区形成有第一布线层，存储节点接触垫和第一布线层表面形成有第一保护层；在衬底表面形成第一介质层，第一介质层...

本公开实施例提供了一种半导体结构、半导体装置以及半导体结构制备方法，半导体结构包括：衬底；覆盖衬底的介质层；设置在介质层中的第一连接垫，第一连接垫延伸至介质层表面下方第一深度；设置在第一连接垫与介质层之间的连接部，连接部具有第一子连接部...

本公开实施例提供了一种一种封装后修复电路和一种测试方法，其中，封装后修复电路包括：使能电路，被配置为，接收模式寄存器的寄存码生成测试模式进入信号，当测试模式进入信号有效时，指示存储器进入测试模式；地址解码器，被配置为，接收命令信号，并根...

本公开提供一种存内处理芯片，至少可以包括接口电路，存储电路以及计算单元；所述接口电路与所述存储电路之间具有第一传输路径；所述存储电路与所述计算单元之间具有第二传输路径；所述接口电路与所述计算单元之间具有第三传输路径，所述第三传输路径与所...

本申请涉及一种半导体结构及其形成方法，半导体结构，包括：衬底，衬底上有多个存储区；相邻存储区之间有外围区，外围区中有电路区；绝缘层，覆盖衬底；第一垂直互连结构，位于电路区上方，贯穿绝缘层，第一垂直互连结构底部与电路区连接，顶部与第一电路...

一种半导体膜层的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上有自然氧化层；在所述自然氧化层上形成第一金属层，所述第一金属层包括第一金属原子；在所述第一金属层上形成第二金属层，所述第二金属层包括第二金属原子；进行第一退火，以使部分所述第一金属层和...

本公开实施例涉及半导体领域，提供了一种成像系统、图像传感器及其制备方法，包括：基底，包括多个像素单元和分离多个像素单元的隔离结构；多个滤色器，位于基底上，并与多个像素单元分别对应；栅格结构，栅格结构位于所述滤色器之间，并且分别沿第一方向...

一种半导体结构及其制造方法、电子设备。半导体结构包括基底和位于基底上的堆叠结构，堆叠结构包括从上至下依次层叠的M个导电部以及沿第一水平方向排布的第一连接部和第二连接部，第一连接部与第i个导电部的侧壁和第j个导电部的侧壁电连接，第二连接部...