本申请涉及一种3D NOR闪存结构，包括：基底、台阶结构、引线结构以及信号线结构。台阶结构位于基底上，包括层叠且间隔设置的多个半导体掺杂层，且台阶结构具有沿第一方向排列的非台阶区与台阶区，台阶区暴露各半导体掺杂层的部分上表面而构成台阶平...

一种半导体器件及其制备方法。半导体器件制备方法包括：提供衬底，并在衬底上形成多个第一牺牲层和多个第二牺牲层的交替布置的堆叠层，其中，第二牺牲层和衬底的材料相同；形成贯穿堆叠层的垂直开口，且延伸至衬底中，在衬底内形成凹腔；在衬底的凹腔内形...

一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构包括：导线堆叠结构，导线堆叠结构包括多个沿竖直方向间隔设置的导线层，导线层包括第一导线部和第二导线部，导线层沿第一方向延伸；位于导线堆叠结构沿第二方向一侧的存储结构，存储结构与第一导线部电连接；位...

本公开实施例提供了一种半导体封装件以及形成半导体封装件的方法，半导体封装件包括：具有第一表面的半导体结构，第一表面设置有第一连接区域和第二连接区域；具有与第一表面相对设置的连接表面的重布线层，连接表面设置有第三连接区域和第四连接区域；第...

本公开实施例提供一种可编程器件、可编程器件阵列及操作方法、存储器，其中，可编程器件包括：位线；选择晶体管，选择晶体管的第一源漏极与位线电连接；选择信号线，选择信号线与选择晶体管的栅极电连接；多个二极管；多个反熔丝单元，反熔丝单元的第一端...

本公开实施例提供了一种伪随机序列产生电路和地址采样电路，其中，伪随机序列产生电路包括：初始序列生成电路，用于产生初始伪随机序列；时钟生成电路，用于产生目标时钟信号，且目标时钟信号中不同脉冲的脉冲宽度不同；目标序列生成电路，用于接收初始伪...

本申请实施例涉及存储器领域，提供一种存储器，包括沿第一方向依次层叠的第一芯片、第二芯片、第三芯片和第四芯片，其中，所述第一芯片上形成有逻辑电路，所述第二芯片上形成有第一存储阵列，所述第三芯片上形成有核心区电路，所述第四芯片上形成有第二存...

本公开提供了一种信息传输方法、存储器、控制装置和电子设备，该方法包括：接收外部发送的第一目标指令；基于第一目标指令将内部数据时钟信号的第一占空比数据通过第一组数据端口进行输出，且第一占空比数据在第一组数据端口中至少持续至接收到外部发送的...

本公开涉及半导体结构设计领域，特别涉及一种存储块布局结构及存储器，存储块布局结构包括：多个存储阵列布局结构，多个存储阵列布局结构在第一方向上排列，且在第二方向上连续设置构成存储块布局结构；其中，每一存储阵列布局结构用于形成存储块中的存储...

本公开实施例涉及图像传感器领域，提供一种一种贯穿结构、图像传感器和图像传感器的形成方法，至少可以包括第一半导体和第二半导体，第一半导体位于第二半导体上；第一半导体具有相对设置的第一面和第二面，第一面位于第二面上方；贯穿结构，贯穿结构由第...

本公开提供了一种半导体结构及封装结构，涉及半导体技术领域。该半导体结构，包括：衬底，衬底具有相对的第一表面和第二表面，衬底包括第一区域和第二区域；第一互连层，第一互连层覆盖衬底的第二表面；第一贯通孔，第一贯通孔位于衬底的第一区域内，且第...

本公开提供了一种真随机序列产生电路、真随机数发生器及存储器；其中，真随机序列产生电路，包括：低频振荡器、第一高频振荡器和双边沿采样电路；低频振荡器，被配置为生成低频脉冲信号；第一高频振荡器，被配置为生成第一高频脉冲信号；低频脉冲信号的周...

本公开提供了一种半导体设备前端模块，涉及半导体技术领域。该半导体设备前端模块，包括：晶圆搬运模块，晶圆搬运模块包括供电单元和风扇单元，风扇单元依次通过第一开关单元、第一控制单元与供电单元电连接；装载端口模块，装载端口模块包括端口开闭单元...

本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构、制造方法以及测试方法，制造方法包括：提供基底，基底包括多个芯片区和位于相邻芯片区之间的划片道区；形成掩膜层，掩膜层位于基底表面，掩膜层包括位于芯片区的目标掩膜区和位于划片道区的偏移掩膜区；...

本公开提供了一种印刷电路板，涉及半导体技术领域。该印刷电路板，包括：第一电源层；第一介质层；第一地层，第一地层通过第一介质层与第一电源层隔离；第一过孔对，第一过孔对贯穿第一介质层，第一过孔对包括沿第一方向设置的第一地孔和第一电源孔，第一...

一种半导体结构及其制作方法和半导体器件，该半导体结构包括：中介层，中介层中具有由中介层顶面朝向中介层内部延伸的孔槽和沟槽；电容，位于孔槽和沟槽中，电容包括依次层叠的第一电极层、电容介质层以及第二电极层，电容介质层覆盖第一电极层的表面，第...

一种半导体结构及其制作方法和半导体器件，该半导体结构包括：中介层，所述中介层中具有多个由所述中介层顶面朝向所述中介层内部延伸的沟槽组成的沟槽阵列，所述沟槽还沿平行于所述中介层顶面的一预设方向延伸；电容，位于所述沟槽中，所述电容包括依次层...

一种封装结构及其制造方法、封装器件。该封装结构包括：第一互连层；芯片，位于所述第一互连层上；填充层，位于所述第一互连层上，以及填充在所述第一互连层与所述芯片之间；塑封层，覆盖所述第一互连层、所述芯片和所述填充层，所述塑封层的宽度大于所述...

本申请涉及一种存储子阵列单元、存储芯片、内存条以及老化测试方法。其中，存储子阵列单元包括：多个存储单元，呈多行多列排布，存储单元包括晶体管与电容器；多条位线，沿存储单元排布的列方向延伸，且沿存储单元排布的行方向排列，同一位线连接位于同一...

一种半导体结构以及半导体结构的制作方法，该半导体结构包括：衬底，衬底中具有由衬底顶面朝向衬底内部延伸的字线沟槽，且字线沟槽还沿第一方向延伸，第一方向平行于衬底顶面所在平面；埋入式字线结构，位于字线沟槽中，字线结构包括依次层叠的栅极介质层...