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长鑫存储技术上海有限公司专利技术
长鑫存储技术上海有限公司共有65项专利
读操作电路和半导体存储器制造技术
本申请实施例至少提供一种读操作电路和半导体存储器。该读操作电路包括:数据判断模块,从存储块中读出读取数据,并根据读取数据中为低的数据的位数,确定是否翻转读取数据,以输出供全局总线传输的全局总线数据和供翻转标识信号线传输的翻转标识数据;数...
读操作电路和半导体存储器制造技术
本申请实施例至少提供一种读操作电路和半导体存储器。该读操作电路包括:DBI编码模块,用于从存储块中读出读取数据,并根据读取数据中为低的数据的位数,确定是否翻转读取数据,以输出供全局总线传输的全局总线数据和供DBI信号线传输的DBI数据,...
读操作电路和半导体存储器制造技术
本申请实施例至少提供一种读操作电路和半导体存储器。该读操作电路包括:数据判断模块,用于从存储块中读出读取数据,并根据前次读取数据和当前读取数据中数据变化的位数,确定是否翻转当前读取数据,以输出供全局总线传输的全局总线数据和供翻转标识信号...
写操作电路和半导体存储器制造技术
本申请实施例至少提供一种写操作电路和半导体存储器。该写操作电路包括:串并转换电路,用于对DBI端口的第一DBI数据进行串并转换,以生成供DBI信号线传输的第二DBI数据,以及根据第二DBI数据和DQ端口的输入数据,生成数据缓冲模块的输入...
写操作电路和半导体存储器制造技术
本申请实施例至少提供一种写操作电路和半导体存储器。该写操作电路包括:串并转换电路,用于对DBI端口的第一DBI数据进行串并转换,以生成供DBI信号线传输的第二DBI数据,以及根据第二DBI数据和DQ端口的输入数据,生成数据缓冲模块的输入...
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