本发明提供了一种带锁存功能的比较器，属于半导体集成电路技术领域。包括：第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2、第三PMOS晶体管P3、第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2、第三NMOS晶体管N3和第四NMOS晶体管N4...

一种谷底检测电路，属于半导体集成电路技术领域。包括：依次连接的微分电路、模数转换电路、数字信号处理电路，微分电路对谐振信号进行微分处理，将谐振信号谷底之前的数据变为负数，谷底之后的数据变成正数，谷底点变为0；微分处理过后的模拟数据送入模...

本发明提供了一种带锁存功能的比较器，属于半导体集成电路技术领域。包括：第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2、第一NMOS晶体管N1、第二NMOS晶体管N2、第三NMOS晶体管N3、第四NMOS晶体管N4和第五NMOS晶体管N5...

本发明提供了一种整流滤波电路，属于半导体集成电路技术领域。该电路包括：交流输入电压接于节点C和节点D的之间；第一二极管的正端接地，负端接节点A；第二二极管的正端接节点A，负端接输出；第三二极管的正端接地，负端接节点B；第四二极管D4的正...

本发明提供了一种恒流模式下的线网补偿电路，属于半导体集成电路技术领域。电路包括：第一PMOS晶体管P1、第二PMOS晶体管P2、第三PMOS晶体管P3、第一NPN三极管Q1、第二NPN三极管Q2、第一电阻R1和第二电阻R2；本发明的恒流...

本发明提供了一种二极管，属于半导体集成电路技术领域。包括：P+型扩散层、N+型扩散层、第一通孔CONTACT1、第二通孔CONTACT2和P‑型多晶硅；P+型扩散层和N+型扩散层分列在上下两端，P‑型多晶硅POLY将它们联系在一起，并与...

本发明提供了一种恒定跨导放大器电路，属于半导体集成电路技术领域。解决了现有跨导放大器的跨导随应用环境变化比较大的技术问题。该电路包括：第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管、第五PMOS晶体管、第...

本发明提供了一种用于DC‑DC转换器的限流误差放大器电路，属于半导体集成电路技术领域。解决了现有DC‑DC电源系统的限流功能过于复杂且影响效率的技术问题。该电路包括：第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第四PMO...

本发明提供了低压工艺中的高压PMOS晶体管，属于半导体集成电路技术领域。该晶体管包括：P型衬底PSUB、N型阱NWELL、P型阱PWELL、第一P型掺杂P+1、第二P型掺杂P+2和多晶硅POLY；本发明在传统的低压PMOS晶体管的基础上...

一种振荡器电路，属于半导体集成电路技术领域。该电路包括：电流源的一端接电源，另一端接第一反相器的输入、电容的一端和第一晶体管的漏极；电容的另一端接地；第一反相器的输出接第二反相器的输入和第一PMOS晶体管的栅极；第二反相器的输出接第三反...

本发明提供了一种静电放电保护电路，属于半导体集成电路技术领域。该电路包括：第一P层P1、第一N层N1、多晶硅层POLY、第二P层P2、第二N层N2，所述第一P层P1、第一N层N1、第二P层P2、第二N层N2依次叠加，所述多晶硅层POLY...

本发明提供了一种芯片间级联应用电路，属于半导体集成电路技术领域。该电路包括至少两个芯片；每个芯片均包含级联模块上部分电路、级联模块下部分电路；所述下一级芯片的级联模块下部分电路的输出端连接上一芯片的级联模块上部分电路的输出端；所述第一级...

本发明提供了一种多节锂电池保护芯片电路，属于半导体集成电路技术领域。该电路包括第一锂电池、第二锂电池、第三锂电池串联后接于地和电压源之间，还包括第一隔离型基准电压模块、第二隔离型基准电压模块、第三隔离型基准电压模块、第一比较器、第二比较...

本发明提供了一种电流采样电路，属于半导体集成电路技术领域。该电路包括：包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第四NMO...

本发明提供了一种上电复位电路，属于半导体集成电路技术领域。该电路包括：第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管和第一隔离器件、第二隔离器件；第一隔离器件的一端接电源电压，另一端接第一PMOS晶体管的栅极和第一NMOS晶体管的漏极和栅极，第...

本发明提供了一种上电复位电路，属于半导体集成电路技术领域。该电路包括：第一PMOS晶体管的源极接电源，栅极和漏极相接并接到第二PMOS晶体管的漏极以及电阻的一端；电阻的另一端接电容的一端以及第一NMOS晶体管的栅极；电容的另一端接地；第...

本发明提供了一种石英晶体振荡器电路，属于半导体集成电路技术领域。该电路包括：第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一电感、第二电感、第一电容和第二电容；所述第一电阻、第一电感串联后再与所述第一电容和所述第三电阻并联后的电路串联构成第一支路；所...

本发明提供了一种振荡器电路，属于半导体集成电路技术领域。该电路包括：第一反相器、第二反相器、第三反相器、RS触发器以及电容；第一反相器的输入接振荡器的输出，输出接电容的一端以及第二反相器和第三反相器的输入；电容的另一端接地；第二反相器的...

本发明提供了一种偏置电流产生电路，属于半导体集成电路技术领域。该电路包括：第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一PNP三极管P1、第二PNP三极管P2、第三PNP三极管P3、第一NPN三极管N1、第二NPN三极管N2和第三NPN...

本发明提供了一种具有频率自校准功能的振荡器，属于半导体集成电路技术领域。该振荡器包括：可调频振荡器模块、计数器模块和加减法模块；计数器模块的输出作为加减法模块的输入，加减法模块的输出作为可调频振荡器模块的输入，可调频振荡器模块的输出作为...