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标准电话电报公共有限公司专利技术
标准电话电报公共有限公司共有13项专利
数据传输设备制造技术
称为一级数字复接的数据传输设备由一印刷电路板上的平行线做成的总线结构组成,装在印刷板上的电路单元以直角装在总线结构上.电路单元包括一控制部件,称为核心装置部件,作为一条或多条2Mb/s干线的接口,分支部件可接到用户及其它出口.描述了用一...
多路复用器制造技术
本发明提出一种长途通讯系统,该系统由一个远离交换机、向多个用户电话提供服务、并经光纤与一个普通交换机相连的机箱组成。交换机适配器和机箱以英国专利说明书第2185658A号和第2185659A号中介绍的多路复用器为基础。
传输网制造技术
传输网的一种同步的交叉连接。为使多种数码率的信号进行交叉连接,将码率向上调整到同步码率,所调整的码率选择成相互之间有特定的整数倍关系(谐波式调整)。它允许宽范围的信号在一个阵列内交叉连接,并形成这样一种转接结构,从小容量转接扩充到大容量...
半导体工艺制造技术
用于制造半导体器件特别是但不只是Inp/InGaAsP低阈值半导体激光器的质量传递工艺,包括生长材料盖片(18)靠近要生长材料的半导体晶片(15)的安排,它们与晶状卤化碱(20)一起在坩埚(16)内的布置和坩埚的加热,加热时在氢气流中,...
半导体器件及其制造制造技术
选择腐蚀多层结构中位于各层下面的半导体层4的方法,层1的材料与层4相同或相似,腐蚀对层1无显著影响.预蚀层1.4,层5下面出现带凹槽10的阶梯结构,在已预蚀的结构上用r.f.方法淀积SiO-[2]11,凹槽的SiO-[2]最薄,且有选择...
半导体器件制造技术
一种完全自对准的多晶硅发射极双极晶体管.P+[+]基极接触(12)的自对准是通过利用发射极台面(7)的氧化侧壁(8)(侧壁隔层)作为P+[+]基极接触注入掩模的一部分而获得的,集电极接触(13)的对准是利用多晶硅对准台面(14)的氧化侧...
半导体器件制造技术
一种集成电路,其中,双极晶体管(1)和CMOS晶体管(2、3)在衬底上同时形成.CMOS晶体管的栅(11、21)与双极晶体管的发射极(29)用同一材料形成,双极器件的基极接触由相当于n阱MOS管的源、漏区(17、18)的区域(27、27...
半导体器件制造技术
一种制造带有半自对准P+型基极接触(27,27a)的双极晶体管(1).P型基区28形成在n型区(5)的表面区中,n型区5具有一个集电极.例如是n+掺杂多晶硅的且具有一个发射极的电极区(29)形成在与基区28接触的表面上.基区接触区(27...
光.电缆的改进制造技术
用于光、电缆的一种水封触变硫水剂料,包括靠添加硅或膨润土增稠为一种凝胶的合成油或合成油和矿物油的混合物.剂料的凝胶性能可以靠机械剪切暂消除,以便能够填充缆.还描述了用于缆的填充的一套设备.
抗油阻燃的组合物制造技术
一种阻燃抗油聚合物组合物,它包括掺有下列物质中的一种或多种的乙烯-丙烯酸甲酯共聚物:乙烯-乙酸乙烯共聚物,乙烯-丙烯酸乙酯共聚物,乙烯-丙烯酸丁酯聚合物或乙烯-丙烯二烯系单体.该组合物含有一种交联引发剂和一种水合金属氧化物填料.本材料可...
光导纤维制造技术
为涂敷光导纤维(29)的涂敷器包含一个其进口由柔性孔口元件(11)构成的涂敷腔(30).在使用时,腔体(30)容纳处在压力下的涂料,而且涂料经过进口孔口元件(11)和出口孔口元件(10)溢出腔体以致在光纤进入涂料腔之前就以涂料对它预湿....
拖曳式声阵的结节部制造技术
拖曳式声阵或地震探测器用的一种柔性结节部,包括有一批由夹紧部件10c、11c接附于应变索12上的盒子.此结节部封装于一柔曲性的外套13中,并以浮力凝胶充填.这种结节部的柔曲性使之能绕过胶盘,而应变索则可在不使这些独立的盒子受到应力影响的...
检测水中之油制造技术
利用光散射和吸收技术测量水中的含油浓度,将直接传输和散射的光信号强度相比较而得出相应于在混合液中含有的固态杂质量的校正因数.然后将此校正因数施加到一个相应于穿过混合液而直接传输的光亮度信号上,从而求得该混合液中准确的含油量.
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