本申请提供了一种磷酸氧钛铷电光晶体及其生长方法，磷酸氧钛铷电光晶体的生长方法包括以下步骤：原料合成：将Rb<subgt;2</subgt;CO<subgt;3</subgt;、NH<subgt;4</...

本申请提供了一种单晶生长装置及单晶生长方法，单晶生长装置包括：炉体、加料机构和位于炉体内部的晶体生长机构，晶体生长机构包括坩埚组件和支撑机构，坩埚组件包括辅助坩埚、晶体生长坩埚和导流管。通过辅助坩埚将原料连续均匀的加入晶体生长坩埚，有效...

本申请实施例提供一种温场调控装置及单晶炉，该装置包括：坩埚、内反射屏和辅助侧反射屏，坩埚至少部分位于加热器内部，包括坩埚体和盖合于坩埚体的坩埚盖，坩埚盖内部用于设置籽晶，坩埚体包括上段、中段和下段，中段的内径大于上段和下段，中段包括与上...

本申请提供了一种铈锂共掺卤化镧闪烁晶体及其制备方法和用途。铈锂共掺卤化镧闪烁晶体的通式为Ce<subgt;x</subgt;<supgt;6</supgt;Li<subgt;y</subgt;M<...

本申请提供了一种红外光学材料及其制备方法和应用。红外光学材包括金刚石基底、在金刚石基底一个表面上的周期性微纳结构、在金刚石基底的另一个表面上的碳纳米管薄膜、和在碳纳米管薄膜上的增透膜。一方面，金刚石基底一个表面的微纳结构仅改变金刚石基底...

本申请提供了一种钐掺杂铌镁酸铅钛酸铅单晶生长用原料及其制备方法和单晶。其中，钐掺杂铌镁酸铅钛酸铅(Sm‑PMNT)单晶生长用原料的化学组成为SmxPb(1‑1.5x)[(Mg1/3Nb2/3)0.70Ti0.30]O3，0.005≤x≤...

本申请实施例提供一种生长氧化镓晶体的金属坩埚、设备及方法，金属坩埚包括坩埚体和盖合于坩埚体的坩埚盖，坩埚盖自其中心位置向边缘位置高度逐渐减小，坩埚盖边缘与坩埚体的内壁接触，且接触点位于坩埚体的开口所在的平面以下。坩埚盖与坩埚体之间的缝隙...

本发明属于微晶玻璃材料技术领域，具体为一种高弹性模量超低膨胀微晶玻璃及其制备方法，所述高弹性模量超低膨胀微晶玻璃的基础组分范围按质量百分比计，其组成含量包括：Li2O：1～5％，Al2O3：20～30％和SiO2：50～70％，MgO：...

本申请提供了一种掺铈钆铝镓石榴石晶体生长用原料的制备方法，掺铈钆铝镓石榴石晶体生长用原料的化学组成为Ce<subgt;3x</subgt;Gd<subgt;3(1‑x)</subgt;Ga<subgt;5(...

本申请提供了一种用于氮化铝单晶生长的籽晶粘接方法，采用氮化铝高温胶进行粘接，在高温烧结排气过程中，形成“中心区域温度高，外围区域温度低”的径向温度梯度，有利于中心区域的氮化铝高温胶先到反应温度点进行排气，随着温度的再升高，中心区域排气结...

本申请提供一种单晶生长装置、单晶生长炉及单晶生长方法，包括：坩埚盖和坩埚，坩埚盖盖合于坩埚的顶部开口，坩埚的侧壁和底壁受热；坩埚内设有至少一个导热件，其底端与坩埚底壁接触，顶端与坩埚盖之间具有预设距离；坩埚内设有位于导热件远离坩埚底壁的...

本申请提供了一种纳米硫化锌粉体的制备方法及其产品，其包括：将硫粉和锌粉分别装入第一坩埚和第二坩埚，第一坩埚和第二坩埚分别放入化学气相沉积炉的不同炉体中，将陶瓷沉积腔放入化学气相沉积炉的沉积区域炉体中，对化学气相沉积炉抽真空至真空度小于或...

本申请提供了一种导模法镁铝尖晶石单晶的生长方法，通过将籽晶和晶体生长原料放入晶体生长炉中，再将晶体生长炉抽真空，然后充入惰性气体，再将晶体生长炉升温至2130～2200℃，使得晶体生长原料熔化，接着使籽晶接触模具的料缝顶端，然后提拉籽晶...

本申请涉及晶体制备技术领域，尤其涉及一种导模法晶体生长装置及方法。该装置包括第一炉体、第二炉体、用于升降籽晶的第一升降装置和用于升降预制原料棒的第二升降装置，第一升降装置设于第一炉体顶部，第二升降装置设于第二炉体顶部，第一炉体内设置有第...

本申请提供一种导模法晶体生长装置及方法，包括壳体、第一炉体、第二炉体、至少两个第一提升装置、第一过渡仓，第一炉体内设有用于生长晶体的第一坩埚；第二炉体内设有用于熔料的第二坩埚。第一坩埚与第二坩埚通过连通部连通。第一炉体顶部设有第一开口。...

本申请提供一种导模法晶体生长装置及方法，包括壳体、第一炉体、第二炉体及沿远离壳体顶部的方向依次设置的降温组件、夹紧传输机构、裁切机构和第一升降组件；第一炉体内设有用于生长晶体的第一坩埚；第二炉体内设有用于熔料的第二坩埚。第一坩埚与第二坩...

本申请提供了一种多气氛导模法蓝宝石晶体生长方法及装置，通过将籽晶和晶体生长原料放入晶体生长炉中，然后将晶体生长炉抽真空，再将还原性气体与氩气充入晶体生长炉中，再将晶体生长炉升温至2060℃～2500℃，使得晶体生长原料熔化，然后使籽晶与...

本发明公开了一种泡生法制备超低吸收蓝宝石的方法，包括以下步骤：

本发明实施例提供了一种温度控制系统、方法、装置以及晶体制备装置，涉及晶体制备技术领域，上述系统包括图像采集设备、数据处理器以及温度控制器，图像采集设备，用于实时采集第一图像；数据处理器，用于识别第一图像中晶体所在区域，依据识别出的区域获...

本申请实施例提供了一种晶体的端面研抛方法，包括：将多个所述晶体沿所述晶体的长度方向和/或宽度方向阵列排布并粘接形成所述晶体组块；将所述晶体组块放置于游星轮的工作孔内；将所述游星轮放入研抛机中对所述晶体组块进行研磨、抛光至预设高度。本申请...