公开了一种自动检测晶片基底二维形貌的装置。该装置利用其第一运算模块和第二运算模块，能够分别得到晶片基底上任意两个入射点在待测基底径向即X方向的曲率CX和晶片基底上任意一个入射点在待测基底移动方向即Y方向的曲率CY，分析模块根据各CX、C...

本发明公开了一种单透镜型检测晶片基底二维形貌和温度的装置，属于半导体材料无损检测技术领域。该装置在光束入射至晶片基底之前，将透镜设置于分光平片之后，而在形成第二种反射光束之后，将透镜设置于分光平片之前，这样，只需要应用一个透镜即可，无需...

本发明公开了一种多路激光发射装置，属于半导体材料无损检测技术领域。该多路激光发射装置包括多路分光棱镜和激光器，多路分光棱镜包括多个分光面，多个分光面之间平行，多个分光面与水平方向的夹角分别为45°，多个分光面的中心处在同一直线上，激光器...

本发明公开了一种自动检测晶片基底二维形貌的装置，属于半导体材料无损检测技术领域。该装置中，N束激光的多路出射光是由一个激光器经过一个包含多个分光面的分光棱镜，通过给所述多个分光面赋予差异化的反射率和透射率，使得经过该分光棱镜后射出的多路...

本发明提供的检测晶片基底二维形貌的装置中，由多路出射光是由一个激光器经过多个分光面，通过给所述多个分光面赋予差异化的反射率和透射率，使得经过该多个分光面透射或者反射的多路出射光光强相同，即该多路光强相同的出射光不是由多个激光器发射得到的...

本发明公开了一种单透镜型自动检测晶片基底二维形貌和温度的装置，属于半导体材料无损检测技术领域。该单透镜型自动检测晶片基底二维形貌和温度的装置在光束入射至晶片基底之前，将透镜设置于分光平片之后，而在形成第二种反射光束之后，将透镜设置于分光...

本发明公开了一种单透镜型晶片基底温度测量装置，属于半导体材料无损检测技术领域。该装置在光束入射至晶片基底之前，将透镜设置于分光平片之后，而在形成第二种反射光束之后，将透镜设置于分光平片之前，这样，只需要应用一个透镜即可，无需选用两个透镜...

本发明提供的检测晶片基底二维形貌的装置，属于半导体材料无损检测技术领域。该检测晶片基底二维形貌的装置包括具有与N束激光一一对应N个第一分光片和与N束激光一一对应的N个第二分光片，N个第一分光片和N个第二分光片上分别设有镀膜区域，镀膜区域...

本发明提供的检测晶片基底二维形貌和温度的装置，属于半导体材料无损检测技术领域。该检测晶片基底二维形貌和温度的装置在N个第一分光片和N个第二分光片上分别设有镀膜区域，镀膜区域使各分光片形成不同的反射率和透过率，从而通过N个第一分光片和N个...

本发明公开了一种实时快速检测晶片基底二维形貌的装置，属于半导体材料无损检测技术领域。该装置包括N个PSD，N束激光和第一分光元件，N束激光沿直线排布，其中，N为3以上的自然数，N个PSD与N束激光一一对应，N束激光首先射向第一分光元件，...

本发明公开了一种实时快速检测晶片基底二维形貌的方法。该方法包括以下步骤：令N束激光沿晶片基底径向即X方向入射到晶片基底后又分别反射到与入射光一一对应的PSD上，形成N个光斑；根据N个光斑的位置信号，计算晶片基底上任意两个入射点之间在待测...

本发明公开了一种自动实时快速检测晶片基底二维形貌的装置。包括第一运算模块、第二运算模块和分析模块，第一运算模块根据N个光斑的位置信号，计算晶片基底上任意两个入射点之间在待测基底沿X方向的曲率CX，第二运算模块根据N个光斑的位置信号，计算...

本发明公开了一种监测晶片生长薄膜特性的装置及其用途，属于半导体材料无损检测领域。该装置包括第一激光光源、第二激光光源、第一二相色镜、分束镜、第二二相色镜、第一探测器、第二探测器、位置探测器、腔室、狭缝窗口、样品托盘和转轴。该装置及其用途...

本发明公开了一种监测晶片生长薄膜特性的装置，属于半导体材料无损检测领域。该装置包括反射率运算模块、温度运算模块和应力运算模块。该装置能够集成实现待测晶片反射率、温度和应力三个特性参数的监测。

公开了半导体薄膜生长反应腔辅助温度校准装置及校准方法，属于半导体制造领域。该装置及方法能够将光源的光强调节到P0，由于P0对应的黑体炉靶心的温度为T0，因此，可以将光源等效为一个温度为T0的热辐射源，此时，由温度探测装置探测到的光源透过...

本发明公开了一种在线实时检测外延片生长的方法，属于半导体材料制造设备技术领域。该方法根据各外延片对应的实时拉曼散射光谱数据，实时分析各外延片带隙、微结构、组分信息，并实时反馈各外延片的波长偏差，从而在线实时检测各外延片的生长信息。该方法...

本发明公开了一种在线实时检测外延片温度的装置及方法，属于半导体检测技术领域。该装置包括MOCVD反应腔、光源、分束器、参考光探测器、反射光探测器和数据采集单元。该方法以该装置为基础，能够得到针对外延片的反应腔窗口镀膜引起的热辐射衰减因子...

本发明公开了一种在线实时检测外延片温度的方法，属于半导体检测技术领域。该方法通过引入镀膜窗口的反射率衰减因子和热辐射衰减因子，可以准确测量得到外延片的温度T。该方法能够消除反应腔窗口镀膜对在线实时温度检测值造成的影响、提高在线实时温度检...

本发明公开了一种MOCVD反应腔测温方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括获得双波长测温结构的MOCVD反应腔的校准系数；测量实际热辐射功率，将校准系数和实际热辐射功率代入公式，计算得到MOCVD反应腔的温度。该方法由于双波长测温结构...

本发明公开了一种薄膜生长反应腔室设备实时测温系统自校准装置，属于半导体制造技术领域。该装置包括实际热辐射比值获取单元和校准系数计算单元，实际热辐射比值获取单元用于获取实际热辐射比值；校准系数计算单元根据实际热辐射比值，在理论热辐射比值-...