本申请实施例提供了一种缓存单元管理方法及存储设备，涉及存储技术领域。该方法包括：响应于接收到NVMe读命令，将NVMe读命令指示的第一地址定位信息添加到分配的缓存单元以及记录已收到的第一地址定位信息对应的存储命令处理完成消息的第一次数；...

本申请实施例提供了一种高效利用存储设备中缓存PRP的缓存单元的方法，涉及存储设备技术领域。该方法包括：响应于接收到IO命令，获取IO命令指示的地址定位信息，并将地址定位信息添加到分配的缓存单元；若IO命令为NVMe写命令，响应于根据NV...

本申请实施例提供了NVMe控制器的NVMe读IO发起电路，涉及存储技术领域。该读取发起电路包括：响应于接收到NVMe读命令或寻址信息，用NVMe读命令或寻址信息更新信息缓存；DMA命令生成电路响应于接收到存储命令处理完成消息，获取与存储...

本申请实施例提供了NVMe控制器的NVMe写IO发起电路，涉及存储技术领域。该写入发起电路包括DMA命令生成电路，其与DMA传输电路耦合，响应于接收到寻址信息，基于寻址信息，生成指示从主机内存到存储设备缓存搬移数据的DMA命令，将DMA...

本申请提供应对存储介质一致性的影响提升存储设备QoS的方法，该方法包括：响应于接收到的介质接口命令，获取所述介质接口命令指示的操作类型；确定与所述介质接口命令以及所述操作类型关联的LUN控制器，将所述介质接口命令分配至所述LUN控制器，...

本申请提供了无DRAM存储设备执行刷写操作的方法，该方法包括：响应于触发刷写操作，从第一表中选择出第一条目，其中，所述第一表包括多个条目，每个条目与存储块一一对应，所述存储块位于NVM芯片中，用于存储指定数目的L2P表条目；从NVM芯片...

本申请提供一种提高XOR缓存利用率的介质接口控制器，应用于介质接口控制器的命令分配方法包括：响应于接收到的介质接口命令，获取介质接口命令指示的操作类型；确定与介质接口命令和操作类型关联的LUN控制器，将介质接口命令分配至LUN控制器，由...

本申请提供了无DRAM存储设备处理读写命令的方法，该方法包括：响应于收到写命令，为所述写命令指示的第一LBA地址分配物理地址以及从缓存中为所述写命令分配第一存储单元，将所述第一LBA地址以及物理地址记录到所分配的所述第一存储单元中；基于...

本申请提供了无DRAM存储设备存储介质管理的方法，该方法包括：响应于收到的写命令指示了第一LBA地址和长度，为第一LBA地址分配连续的多个物理地址以及为写命令分配缓存中第一存储单元，将第一LBA地址、连续的多个物理地址中起始物理地址以及...

本申请提供一种低功耗擦除物理块的方法，该方法包括：响应于接收到的介质接口命令，确定介质接口命令指示擦除操作；确定与介质接口命令以及擦除操作关联的第一LUN控制器；在未处理完成的擦除操作的数量满足第一预设条件且第一LUN控制器不存在未处理...

本申请提供了无DRAM存储设备低延迟处理读命令的方法，该方法包括：基于收到读命令指示的LBA地址确定出缓存中存储单元索引或者第一表中条目索引，根据存储单元索引或者条目索引获取读命令指示的LBA地址对应的物理地址；根据获取的物理地址访问N...

本申请提供了无DRAM存储设备处理写命令的方法，该方法包括：响应于收到写命令，对所述写命令解析得到LBA地址，为所述LBA地址分配物理地址以及从缓存中选择出第一存储单元，将所述LBA地址以及物理地址记录在所述第一存储单元；基于所述LBA...

本申请提供一种通过文件系统使用存储设备扩展功能的方法，存储设备向主机提供作为块设备的逻辑地址空间，存储设备包括可被主机访问的一种或多种指定数据和/或指定操作，逻辑地址空间不包括一种或多种指定数据和/或指定操作；该方法包括：响应于通过主机...

本申请提供一种通过文件系统使用存储设备扩展功能的存储设备，存储设备向主机提供作为块设备的逻辑地址空间，存储设备包括可被主机访问的一种或多种指定数据和/或指定操作，逻辑地址空间不包括指定数据和/或指定操作；该方法包括：接收主机发送的第一自...

本技术实施例提供了一种延迟电路，涉及电路领域。该延迟电路接收第一信号作为输入信号，对第一信号进行延迟输出第二信号；其包括多个级联的基本单元和第一反相器；第一信号在延迟电路中流经一个或多个级联的基本单元，并从第一级基本单元输出给第一反相器...

本申请提供了超频处理写命令的方法及相关产品，该方法包括：在处理写命令时，基于超过NVM芯片标称时钟频率的时钟频率来驱动向NVM芯片发送写命令对应的信号组；以及在处理读命令时，基于不超过NVM芯片标称时钟频率的时钟频率来驱动向NVM芯片发...

本申请实施例提供了一种DRAM Less存储设备实现预读的方法，涉及存储设备技术领域。该预读处理方法包括：响应于待处理命令为预读命令，判断所述预读命令指示的至少一个第一物理地址是否命中第二物理地址；在所述第一物理地址未命中所述第二物理地...

本申请提供了通过微指令序列从NAND闪存读取数据的方案，该方案包括：依次执行NCMD微指令、多个NADDR微指令、NCMD微指令、NTM微指令以及NRD微指令来实现控制NVM芯片执行读操作；其中，通过执行NTM微指令，将介质接口控制器中...

提供了生成NVM芯片接口命令的方法及NVM控制器。公开的生成NVM芯片接口命令的方法，包括：获取微指令；译码微指令，识别出微指令是命令发射微指令；其中，命令发射微指令包括第一CMD图样字段和第二CMD图样字段；第一CMD图样字段和第二C...

本申请提供兼容多种闪存的控制方法及控制部件。所述方法包括：设置初始化命令参数，基于初始化命令参数向与控制部件耦合的LUN发送初始化命令，判断是否获得LUN的正确响应，若否则设置新的初始化命令参数重复该步骤直至获得LUN的正确响应；设置状...