本公开提供了一种半导体集成器件及其制造方法，该半导体集成器件包括：第一半导体层，基于第一半导体层形成有第一器件；连接层，位于第一半导体层上；第二半导体层，位于连接层上，具有相对的第一表面和第二表面，第二表面与连接层相连；多个第一导电柱，...

本公开提供一种芯片、单门逻辑芯片及制作方法，其中的芯片包括一个或多个输入级，中间级、输出级和各级之间的多个熔丝阵列；熔丝阵列包括多个熔丝；输入级包括芯片输入端和多个不同的输入模块；中间级包括多个不同的逻辑门电路；输出级包括芯片输出端和多...

本发明公开了一种MEMS热电堆红外探测器及其制备方法，该MEMS热电堆红外探测器，包括：衬底；第一红外吸收层，位于衬底上；热电堆，位于第一红外吸收层上，包括围绕第一红外吸收层的中心区域排列的热偶条，热偶条靠近第一红外吸收层中心区域的一端...

本申请实施例提供一种MEMS器件及其制备方法，其中MEMS器件包括：衬底；基于所述衬底形成的第一电极层；位于第一电极层上的第二电极层，所述第二电极层包括横梁与锚点；所述横梁悬置于所述第一电极上，所述横梁沿第一方向延伸且具有相对设置的两端...

本申请实施例提供一种MEMS器件及其制备方法，其中MEMS器件包括衬底，以及层叠设置在所述衬底上的第一电极层和第二电极层，其中：所述第二电极层包括相连接的锚点与横梁，所述锚点支撑在所述横梁的至少一个端部与所述第一电极层之间，所述横梁的中...

本申请实施例提供一种GGNMOS器件以及集成电路。其中，GGNMOS器件包括：衬底；栅极结构，包括层叠设置在衬底上的栅极介质层和栅极层，且栅极层沿第一方向延伸；漏极结构，包括漏极轻掺区、第一重掺区、第二重掺区以及第三重掺区；其中，漏极轻...

本申请公开了一种波导结构及其制造方法，以解决现有技术中泄露损耗与弯曲损耗过大的问题。该波导结构包括：衬底；第一支撑层，位于衬底上；芯层，位于第一支撑层上方，光在芯层中传播；第二支撑层，位于第一支撑层上，第二支撑层与第一支撑层邻接的一侧具...