本实用新型提供了垂直芯片表面发射激光器，其包括：基片，具有承置面和与承置面成45度角的反射面；以及边发射激光器芯片，布置在基片的承置面上。边发射激光器芯片被定位成边发射激光器芯片的发射端朝向反射面且发射端发射出平行于承置面的激光束，激光...

本发明公开了一种控制III‑V族化合物半导体衬底中的氧浓度的方法，包括：在密闭容器中放置多个III‑V族化合物半导体衬底；并在所述密闭容器中放置预定量材料，用以调控密闭容器中单晶衬底中的氧浓度。所述预定量的材料对氧具有高度的化学反应性。...

本发明涉及一种砷化镓晶片，所述晶片表面的硫含量低于2×10

本发明涉及锗单晶片，其包含原子浓度为3×10

本实用新型提供一种用于轴杆的套筒，特别适于安装在半导体晶片旋转冲洗甩干机的轴状档杆上，其包括主体部分，所述主体部分大体上是环形的；突出部，所述突出部附接至所述主体部分，沿着所述主体部分的轴向方向分布且在所述主体部分的周向上延伸弧度α，α...

本实用新型提供一种晶片自动分拣系统，包括：输入设备，所述输入设备将待分拣晶片的晶片编码形成输入信号；处理器，所述处理器与所述输入设备连接，接收所述输入设备的输入信号，并且确定每个晶片所对应的出货片盒中的装片位置；执行机构，所述执行机构上...

本发明涉及一种{100}磷化铟(InP)晶片，其背面分布有凹坑，其中背面凹坑的突起的最大维度为65微米，凹坑的最大深度为6.0微米。本发明还涉及该{100}磷化铟(InP)晶片的制备方法以及制备该{100}磷化铟(InP)晶片的腐蚀液。...

本发明涉及一种{100}磷化铟(InP)晶片，其背面有橄榄形凹坑，其中所述橄榄形是指两头细中间宽的形状，例如椭圆形。本发明还涉及制备该{100}磷化铟(InP)晶片的方法及所用腐蚀液。本发明的{100}磷化铟(InP)晶片表面形貌规则，...

本发明涉及增加多节太阳能电池开路电压锗(Ge)单晶片、锗单晶片的制备方法及制备锗单晶片的晶棒的制备方法。通过调整锗单晶片中共掺杂元素硅与镓的量、制备增加多节太阳能电池开路电压锗单晶棒时共掺杂元素硅与镓的比例以及锗单晶生长的速率和温度梯度...

本实用新型所提供的晶片倒角机包括控制箱和加工台，其中控制箱包括可编程逻辑控制器控制系统和步进电机驱动器，加工台包括平台、导轨、丝杆、滑台、滑轨、传动装置、晶片真空吸台、第一步进电机、第二步进电机。在所述导轨和丝杆之间可移动地设有一个滑台...

本实用新型提供一种晶片包装结构，包括：至少一个晶片包装体，所述晶片包装体包括用于容纳晶片并与晶片直接接触的一次接触包装；至少一个物料盒，用于包装所述晶片包装体，包装后，所述晶片包装体固定于物料盒内；一个海绵，所述海绵设有开孔，以将所述物...

本发明涉及一种从晶片揭除粘膜的方法，包括下列步骤：将其上带有粘膜的晶片以倾斜状态置于一个晶片支撑台，所述晶片支撑台包括一个底座和一个容纳晶片的倾斜支撑面；使用刀片将晶片上的粘膜从晶片边缘揭起；用一个压片手柄将晶片按压在晶片支撑台上，同时...

本发明公开了一种控制III-V族化合物半导体衬底中的氧浓度的方法，包括：在容器中放置多个III-V族晶体衬底；在所述容器中放置预定量的材料。所述预定量的材料的原子对氧原子具有高的化学反应性。所述方法还包括保持所述容器内的预定压力，以及对...

本发明提供一种异形半导体晶片、其制备方法及晶片支承垫，所述方法包括：(1)提供一种异形晶片原片；(2)对晶片原片进行磨边处理；(3)对磨边后的晶片进行表面研磨加工，其中晶片置于一个支承垫的内腔中，支承垫的内腔具有多个直边，各直边延长线相...

切割砷化镓初始晶片的方法及制备砷化镓晶片的方法，本发明涉及一种切割GaAs初始晶片的方法，包括：由直径不超过6英寸的GaAs晶棒切割出厚度为240-350微米的初始晶片，所述切割采用切割机在泥浆的存在下进行，所述泥浆由粉末物质和切割油混...

本发明涉及一种超薄Ge单晶衬底材料的制备方法，包括(1)由一种晶棒切割出厚度为140-250微米的晶片；(2)在减薄机上对晶片背面进行减薄，然后将晶片放入腐蚀液中进行湿法腐蚀；(3)在减薄机上对晶片主面进行减薄，将减薄的晶片用一种粘结剂...

本发明涉及一种制备超薄半导体晶片及其制备方法，所述晶片厚度为150-400微米，表面微粗糙度为0.2-0.5纳米。其制备方法包括(1)由一种晶棒切割出厚度为250-500微米的晶片；(2)将晶片用一种粘结剂固定在一块支撑物上，其中所述支...

本发明涉及一种异形半导体晶片及其制备方法，其中所述方法包括以下步骤：(1)由一种晶棒切割出晶片；(2)对晶片进行表面研磨加工；(3)将晶片解理成异形晶片；(4)对异形晶片进行磨边处理；(5)对晶片进行粗抛光，然后进行精抛光，其中将异形晶...

本发明涉及一种异形半导体晶片及其制备方法，其中所述方法包括以下步骤：(1)由一种晶棒切割出晶片；(2)对晶片进行表面研磨加工；(3)将晶片解理成异形晶片；(4)对异形晶片进行磨边处理；(5)将异形晶片用一种粘结剂固定在一块支撑物上，对晶...

本实用新型提供一种用于切割晶棒的可旋转卡具，包括：一个套筒，具有中空的内部以容纳至少部分的待加工的晶棒；至少一个第一紧固件，穿过所述套筒紧固所述晶棒；一个套筒支架，支撑所述套筒；至少一个第二紧固件，穿过所述套筒支架紧固所述套筒；一个旋转...