本发明提供了一种碳化硅晶体的切割方法，包括以下步骤：利用装配有切割线的切割设备对碳化硅晶体进行砂浆切割处理，得到碳化硅晶片；所述切割线为表面电镀有金刚石磨粒的金属线；所述切割线的线径为20~70μm；所述砂浆切割处理采用的砂浆包括金刚石...

一种去除碳化硅晶片表面金属杂质的清洗方法，包括以下步骤：将待清洗的碳化硅晶片依次进行H<subgt;2</subgt;SO<subgt;4</subgt;‑H<subgt;2</subgt;O<...

本技术提供了一种晶片固定装置。将环形膜可拆卸设置于吸盘与晶片接触的吸附面，并将环形膜与晶片接触的表面为光滑面。通过上述公开的晶片固定装置，可在环形膜与晶片接触的表面的粗糙时，通过更换环形膜，使与晶片接触的环形膜的光滑度，进而避免环形膜对...

本发明提供一种半导体衬底缺陷的检测装置及方法，装置包括：待检测衬底、测试台、上下双镜头成像装置和处理器。待检测衬底放置在可旋转的测试台上方，处理器控制测试台按照预设角度进行旋转，利用上下双镜头成像装置对待检测衬底的边缘进行逐个视野的单独...

本技术提供了一种用于制备碳化硅单晶的坩埚结构，包括：坩埚主体；所述坩埚主体包括原料腔与生长腔；所述原料腔与生长腔通过石墨过滤件分开；所述石墨过滤件设置有贯穿的、上窄下宽的锥形孔洞；所述原料腔与生长腔通过锥形孔洞相连通。与现有技术相比，本...

本申请提供了一种碳化硅晶体的加工方法。在执行方法时，通过晶体外圆加工、晶体粘接、晶体平面加工、晶体定向和定位边加工等步骤，加工工序简单，加工成功率高，可以实现大尺寸碳化硅晶体的生产，并且在晶体外圆加工时利用第一磨削装置通过双向自动进刀的...

本技术公开了一种清洗花篮，包括呈相对布置的第一承置部及第二承置部，第一承置部包括自上而下依次布置的第一竖直部、第一倾斜部和第一立板，第一倾斜部上设置有一个第一避让开口；第二承置部包括自上而下依次布置的第二竖直部、第二倾斜部和第二立板，第...

本申请公开一种抛光垫定位装置及方法。该抛光垫定位装置包括定位杆和第一定位件；所述定位杆具有第一端和第二端；所述第一定位件设于所述第一端，所述第一定位件的外周壁形成第一定位面；所述第一定位件采用弹性材料制成，所述第一定位件用于通过所述第一...

本发明提供了一种UV固化有机硅/SiO2材料对碳化硅晶片的表面处理方法，包括以下步骤：将UV固化有机硅/SiO2杂化涂料涂敷在碳化硅晶片A表面，固化，得到树脂膜；固定A表面，对碳化硅晶片B表面打磨；去除树脂膜，固定打磨后的B表面，并对A...

本发明提供了一种生长高质量大尺寸碳化硅晶体的装置，包括中继环，所述中继环为热解石墨块材，中继环位于生长坩埚和石墨盖中间，生长坩埚上部被生长原料覆盖，石墨盖被碳化硅籽晶覆盖，中继环内表面暴露在生长气氛中。本发明提供的碳化硅生长装置中，中继...

本申请公开了一种碳包裹物的检测方法及装置，该检测装置包括：显微镜头、环形红外发光器、测试平台以及聚焦传感器；环形红外发光器的上方设置有显微镜头；环形红外发光器用于对待检测样品照射红光；显微镜头用于捕拍待检测样品的图像；环形红外发光器的光...

本发明公开了一种双面抛光机及其除胶装置，该除胶装置包括：除胶机构、除胶介质存储箱和控制开关；除胶机构用于设置于双面抛光机的磨盘的外侧，且相对于磨盘能够活动，具有可切换的第一工位和第二工位，除胶机构在第一工位时位于磨盘内且同磨盘的盘面接触...

本发明公开了一种干燥装置及其顶刀，该顶刀包括顶刀本体；顶刀本体用于同晶圆配合的固定结构为轴对称结构，至少用于为晶圆提供对称的两处支撑；固定结构的最低处开设有排水结构，贯通顶刀本体的侧壁。本方案一方面将固定结构设置为轴对称结构，以便于为晶...

本技术公开了一种晶圆清洗装置。该晶圆清洗装置包括：第一槽体，设有溢流孔，且第一槽体内设置有能够承载待清洗晶圆的载台，第一槽体能够与第一气源导通；第二槽体，设有能够容纳第一槽体的容纳空间；水力空化器，连通第一槽体和第二槽体的容纳空间；清洗...

本申请提供了一种碳化硅晶体加工设备及加工方法，该设备包括：设备底座、第一立柱、第二立柱、第一悬臂、第二悬臂、设备工作台、测量模块、主轴、砂轮模块以及磨床控制系统；设备工作台用于固定待加工碳化硅晶体，并按照预设移动轨迹移动至测量模块的测量...

本发明提供了一种高纯碳化硅粉料的制备方法。与现有技术相比，本发明通过在打孔石墨圆筒内将碳硅混合原料进行高温固相反应即可得到高纯碳化硅粉末，同时可通过调控打孔石墨圆筒的孔洞使合成过程中碳硅原料具有方向性，从而得到粒径可控且分布均匀的高纯碳...

本发明公开了一种晶托粘接装置，包括：主体，包括用于放置底托的操作面；压紧部，包括压板、压力传感器和调节组件，压板包括供晶体嵌入设置的凹陷区，压板与操作面间隔设置，压力传感器用于反馈压板施加的压力值，调节组件与压板传动连接以调节压板与操作...

本申请公开了一种碳化硅晶体生长装置及方法，所述装置包括：底托盖

本申请公开了一种晶圆测厚系统及方法，该系统包括显示模块、工控机、电气控制模块、信号采集模块；信号采集模块包括拍照单元、气体控制单元和测厚单元。显示模块用于获取晶圆的初始厚度、目标厚度、预设阈值和时间频率，并显示测试结果。工控机根据时间频...

本发明提供了一种大尺寸碳化硅衬底，所述碳化硅衬底的厚度小于400微米，弯曲度bow值不大于